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[发明专利]多层电路板的层间配置结构-CN02127317.0有效
发明人：陈俊宏;陈秀姿;陈彦臻 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-07-31 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层电路板的层间配置结构。在较佳实施例中，是在由上至下分别为组件层、接地层、电源层以及焊接层的四层电路板内，将电源层切割出数个参考接地区(Reference ground)，而每个参考接地区的所在位置都与焊接层的信号布局区相对应，以使布局在组件层的信号线与布局在焊接层的信号线，都可参考到相邻连接层上的参考接地。较佳实施例中的电源层也包括数个可提供不同工作电压的电源平面，其中每个电源平面再通过导通孔(Via)，以与位于焊接层以及组件层上相对应的电源布局产生电性耦合，用于进一步扩大电源平面的面积，进而达到提供更稳定的工作电压源
多层电路板配置结构

[实用新型]多层电路板的层间配置结构-CN02242327.3无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-07-31 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多层电路板的层间配置结构。在较佳实施例中，是在由上至下分别为组件层、接地层、电源层以及焊接层的四层电路板内，将电源层切割出数个参考接地区(Referenceground)，而每个参考接地区的所在位置都与焊接层的信号布局区相对应，以使布局在组件层的信号线与布局在焊接层的信号线，都可参考到相邻连接层上的参考接地。较佳实施例中的电源层也包括数个可提供不同工作电压的电源平面，其中每个电源平面再通过导通孔(Via)，以与位于焊接层以及组件层上相对应的电源布局产生电性耦合，用于进一步扩大电源平面(Powerplan)的面积
多层电路板配置结构

[发明专利]包括电阻结构的半导体器件-CN201810077733.3有效
发明人：申洪湜;金度亨;李斗荣;罗炫旭;李书范;李元赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。
包括电阻结构半导体器件

[发明专利]存储元件及其形成方法-CN202011085013.5在审
发明人：蔡易宗;林志豪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种存储元件包括：配置在衬底上的多个叠层结构；以及介电层。每一个叠层结构包括：第一导体层、第二导体层、栅间介电层、金属硅化物层以及阻障层。第二导体层配置在第一导体层上。栅间介电层配置在第一导体层与第二导体层之间。金属硅化物层配置在第二导体层上。阻障层配置在金属硅化物层与第二导体层之间。介电层横向环绕多个叠层结构的下部，以暴露出多个叠层结构的金属硅化物层的一部分。
存储元件及其形成方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN200910126892.9无效
发明人：蒋汝平;廖修汉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：所述非易失性存储器包括多个栅极结构、多个掺杂区、多个第二间隙壁以及多个接触窗插塞。栅极结构配置于衬底上，各栅极结构包括控制栅极与栅介电层。控制栅极配置于衬底上，且各控制栅极的两侧具有两个第一间隙壁。栅介电层配置于控制栅极与衬底之间。掺杂区配置于相邻两栅极结构之间的衬底中。第二间隙壁配置于栅极结构的侧壁上。接触窗插塞配置于相邻两第二间隙壁之间。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]层间直接剪切试验装置及试验方法-CN201410377404.2有效
发明人：关宏信;袁建;陈刚;颜加俊;石苏意 -专利权人：中国路桥工程有限责任公司;长沙理工大学
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明涉及层间直接剪切试验装置及试验方法。本发明提供了一种用于路面结构双层式试件的层间直接剪切试验装置，其包括：上剪切盒，配置成可改变其容纳体积从而与被测路面结构双层式试件的上层结构相适应；下剪切盒，配置成可改变其容纳体积从而与被测路面结构双层式试件的下层结构相适应；竖向加载装置，配置成直接或间接地向被测路面结构双层式试件施加预定的竖向载荷；和横向加载装置，配置成直接或间接地向被测路面结构双层式试件的上层构件和下层构件的层间界面施加预定的剪切力。此外，本发明还提供了一种用于上述层间直接剪切试验装置的试验方法。本发明的层间直接剪切试验装置能够应用于不同平面尺寸及不同高度的路面结构双层式试件。
直接剪切试验装置试验方法

[发明专利]片状结构体、半导体器件及碳结构体的生长方法-CN200880127676.X有效
发明人：近藤大雄;岩井大介;山口佳孝;曾我育生 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：具有多个线状结构体束(12)，该线状结构体束(12)包括彼此以第一间隙配置的由碳元素构成的多个线状结构体，该多个线状结构体束彼此以比上述第一间隙大的第二间隙配置；石墨层(14)，其形成在多个线状结构体束(12)之间的区域，并与多个线状结构体束连接；填充层(16)，其填充在第一间隙及第二间隙中，用于保持多个线状结构体束(12)及石墨层(14)。
片状结构半导体器件生长方法

[实用新型]层间防火结构-CN202222600078.X有效
发明人：徐志;何旭;胡浩;蔡宝华;张鑫鑫;陈浩;付敖;熊宇恒 -专利权人：中建科工集团有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E04B2/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种层间防火结构，层间防火结构包括：建筑主体，建筑主体上设有承载件；幕墙，幕墙包括支撑件和玻璃，支撑件对玻璃进行支撑；防火板，防火板与承载件连接；防火填充层，防火填充层位于防火板上；其中
防火结构

[发明专利]有机发光装置-CN201610316537.8有效
发明人：颜玺轩;叶文勇;胡纪平;钟渊山;赖志明;林轩宇;刘玟泓;陈信助 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光装置包括第一基板、发光结构层、第一电极层、第二电极层、第二基板、第一传导件、第二传导件以及防护组件。发光结构层配置于第一基板上。第一电极层配置于发光结构层上，且第一电极层包括彼此分隔开来的垫状图案。第二电极层配置于发光结构层与第一基板间。第二基板贴附于第一电极层上并包括第一线路与第二线路。第一线路包括连续图案以及接点图案。第一传导件连接于第一线路与第一电极层间。第二传导件连接于第二线路与第二电极层间。防护结构在接点图案与连续图案间分别形成开路或通路。有机发光装置不容易损坏而具有延长的使用寿命。
有机发光装置

[发明专利]用于多层结构的层间连接件-CN201410431597.5有效
发明人：林以唐;万幸仁;陈能国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。一种示例性半导体器件结构包括第一器件层、第二器件层和层间连接结构。第一器件层包括第一导电层和在第一导电层上形成的第一介电层，第一器件层形成在衬底上。第二器件层包括第二导电层，第二器件层形成在第一器件层上。层间连接结构包括一种或多种导电材料并且配置为电连接至第一导电层和第二导电层，层间连接结构穿过至少部分第一介电层。第一导电层配置为电连接至第一器件层内的第一半导体器件的第一电极结构。本发明还涉及用于多层结构的层间连接件。
用于多层结构连接

[发明专利]显示面板-CN201710924626.5有效
发明人：沈孟纬;叶永城 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：一种显示面板包括第一基板、主动元件层、像素电极层、辅助导电层、第一间隙物及第二间隙物。主动元件层配置于第一基板上。像素电极层配置于第一基板上且与主动元件层电性连接。辅助导电层配置于主动元件层上。第一间隙物配置于辅助导电层上。第一间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层重叠。第二间隙物配置于主动元件层上。第二间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层不重叠。第一间隙物的顶点与第一基板的距离大于第二间隙物的顶点与第一基板的距离。
显示面板

[发明专利]非挥发性记忆体及其制作方法-CN201210184679.5有效
发明人：古紹泓 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：此非挥发性记忆体包括栅介电层、浮置栅极、控制栅极、栅间介电结构以及二个掺杂区。栅介电层配置于基底上。浮置栅极配置于栅介电层上。控制栅极配置于浮置栅极上。栅间介电结构配置于控制栅极与浮置栅极之间。栅间介电结构包括第一氧化物层、第二氧化物层以及带电荷氮化物层。第一氧化物层配置于浮置栅极上。第二氧化物层配置于第一氧化物层上。带电荷氮化物层配置于第一氧化物层与第二氧化物层之间。二个掺杂区分别配置于浮置栅极二侧的基底中。本发明还提供了一种此非挥发性记忆体制作方法。本发明通过形成带电荷氮化物层，增加了氮化物层的导电率，提高了非挥发性记忆体的栅极耦合比与转导值。
挥发性记忆体及其制作方法

[发明专利]液晶显示面板-CN201310004800.6无效
发明人：谢瑞益;张民杰;简立晁 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本发明公开一种液晶显示面板，其包括有源元件阵列基板、对向基板以及液晶层。有源元件阵列基板包括第一基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层以及第二绝缘层。至少一凹陷结构形成于第一金属层或第二金属层的上方。凹陷结构具有顶部以及底部。对向基板包括第二基板、第一间隙物以及第二间隙物。第一间隙物配置于第二基板上且位于第一金属层或第二金属层的上方。第二间隙物配置于第二基板上。第二间隙物的端部宽度大于凹陷结构的底部宽度且小于凹陷结构的顶部宽度。当液晶显示面板受到外力挤压时，第二间隙物的端部边缘适于抵顶于凹陷结构的侧壁上。
液晶显示面板

[实用新型]薄膜晶体管和像素结构-CN201720797428.2有效
发明人：陆富财;杨尚融;刘恩池;黄金海;黄彦余 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜晶体管和像素结构。薄膜晶体管配置于基板上且包括第一电极、通道层、栅极、栅绝缘层、层间介电层以及第二电极。第一电极配置于基板上。通道层覆盖第一电极。栅极配置于通道层上且在基板的法线方向上与第一电极重叠。栅绝缘层配置于栅极和通道层之间以电性绝缘栅极和通道层。层间介电层覆盖栅极且具有暴露通道层的接触窗。第二电极配置于层间介电层上且填入接触窗以接触通道层。第二电极在法线方向上与栅极重叠。第二电极与栅极重叠的面积实质上等于第一电极与栅极重叠的面积。本实用新型的薄膜晶体管所占面积小。
薄膜晶体管像素结构

[发明专利]保护元件及过电流及过电压保护模块-CN201310300693.1有效
发明人：王钟雄;林鸿铭;锺瀚扬;许惠雯;苏柏维;陈鸿铭 -专利权人：乾坤科技股份有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01H85/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护元件及过电流及过电压保护模块，包括基板、电极层、金属结构、加热器、外盖以及灭电弧结构。电极层配置于基板。电极层包括至少一间隙。金属结构配置于电极层并位于间隙上方，具有比电极层低的熔点。加热器配置于基板，加热器发热而使金属结构呈现熔融状态。外盖配置于基板，并覆盖于金属结构与部分电极层。灭电弧结构配置于外盖与基板之间。
保护元件电流过电压模块

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