专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]金属导体结构及线路结构-CN201510958146.1有效
  • 蔡苑铃;姜颖容;余俊璋 - 财团法人工业技术研究院
  • 2015-12-18 - 2019-01-04 - H05K1/09
  • 本发明公开一种金属导体结构及线路结构。所述金属导体结构,包括第一金属导体层、第二金属导体层以及第三金属导体层。其中第一金属导体层由第一高分子材料与第一金属粒子所组成;第二金属导体层覆盖在第一金属导体层上,且第二金属导体层是由第二金属粒子所组成的具有孔隙的结构;第三金属导体层覆盖在第二金属导体层上,且第三金属导体层的金属材料填充在第二金属导体层的孔隙中所述线路结构包括绝缘基板或高分子基板以及上述金属导体结构,其中上述金属导体结构形成在绝缘基板上或内埋在所述高分子基板。
  • 金属导体结构线路
  • [发明专利]安全插座-CN201310095886.8有效
  • 杨志勇;邹祥斌 - 广州瀚诚电子产品有限公司
  • 2013-03-23 - 2014-09-24 - H01R13/713
  • 本发明公开了安全插座,包括火线插孔、设于该火线插孔的火线输出导体、零线插孔、设于该零线插孔的零线输出导体、火线输入导体、零线输入导体、第一金属导体、第二金属导体;火线输入导体、零线输入导体、第一金属导体、第二金属导体构成左滑动轨,火线输出导体、第一金属导体、第二金属导体和零线输出导体构成右滑动轨;左滑动轨内设有左滑动组件,右滑动轨内设有右滑动组件;火线输入导体和第二金属导体通过左滑动组件活动连接,第二金属导体和火线输出导体通过右滑动组件活动连接;零线输入导体和第一金属导体通过左滑动组件活动连接,第一金属导体和零线输出导体通过右滑动组件活动连接。
  • 安全插座
  • [发明专利]一种复合电缆芯-CN201410595101.8有效
  • 杨华;刘君 - 国家电网公司;博爱县电业公司
  • 2014-10-30 - 2017-08-15 - H01B9/00
  • 本发明公开了一种复合电缆芯,为圆柱形,由金属导体金属导体、复合纤维导体及弹性包覆层构成,其中金属导体由至少两层构成,并包覆在金属导体外侧,弹性包覆层包覆在金属导体外侧,其中金属导体金属导体之间、金属导体金属导体之间及金属导体与弹性包覆层之间间距均不低于1毫米,复合纤维导体均匀填充在金属导体金属导体之间、金属导体金属导体之间及金属导体与弹性包覆层之间位置。
  • 一种复合电缆
  • [发明专利]PCB板加工方法、PCB板及电子设备-CN202211405728.3在审
  • 胡云杰;陈熙;梁才远;周渊;王亮 - 深南电路股份有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-03-07 - H05K3/10
  • 本发明公开了一种PCB板加工方法、PCB板及电子设备,该PCB板加工方法,包括:在基板上加工外导体金属层;在外导体金属层内填充第一绝缘介质层;在第一绝缘介质层上加工内导体金属层,内导体金属层和外导体金属层同轴设置;在内导体金属层内填充第二绝缘介质层;在第二绝缘介质层的表面电镀用于实现信号连接的第一金属层,得到包括同轴电缆的PCB板。通过调整内导体金属层与外导体金属层之间的第一绝缘介质层厚度,便能够满足一些要求内导体金属层与外导体金属层的间隔距离较小的应用场景,同时使得同轴电缆的内导体金属层在传输信号时,外导体金属层能够全面对内导体金属层进行屏蔽,提高对同轴电缆的内导体金属层的屏蔽性能。
  • pcb加工方法电子设备
  • [发明专利]不可恢复式三芯感温电缆-CN202010184936.X在审
  • 李磊 - 唐山微睿联信息技术有限公司
  • 2020-03-17 - 2020-07-03 - H01B7/02
  • 本发明提供不可恢复式三芯感温电缆,包括第一金属弹性导体、第二金属弹性导体、第三导体,所述第一金属弹性导体外部涂有绝缘材料层;所述第二金属弹性导体外部也涂有绝缘材料层,所述第二金属弹性导体涂有的绝缘材料层外还涂有金属复合带层,所述第三导体的外部涂有半导体特性感温材料层;所述第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三导体之间进行绞合,绞合后将第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三导体外套上防护套。本发明由三根涂有不同材料层的导体组成,当温度升高时,两跟金属弹性导体形成短路,并形成报警信号,当三根导体都进行导通时,可以通过三根导体之间的阻值的变化输出报警信号,且感温报警的灵敏度高、成本低。
  • 不可恢复式三芯感温电缆
  • [发明专利]一种连接器金属导体的抗腐蚀表面处理工艺-CN202211542622.8在审
  • 刘坤;潘勋 - 东莞市益通电子科技有限公司
  • 2022-12-03 - 2023-04-18 - C23C28/02
  • 本发明提供的一种连接器金属导体的抗腐蚀表面处理工艺,先对金属导体进行水镀加工,以在金属导体表面形成镍底层以防止金属导体氧化,并在镍底层上形成其它金属镀层以提高金属端子的耐磨性、耐插拔性能,提高金属导体表面镀层的稳定性、抗腐蚀性能;然后再对水镀加工后的金属导体进行PVD真空镀加工,以在金属导体的其它金属镀层表面形成PVD镀膜层,离子的绕射性能好,能够很好地镀在金属导体这种形状复杂的产品上,其与金属导体表面的结合力更大,膜层的硬度更高、耐磨性和耐腐蚀性更好,膜层的性能也更稳定,可以有效地提高金属导体的抗腐蚀能力,避免金属导体被腐蚀,确保金属导体正常工作。
  • 一种连接器金属导体腐蚀表面处理工艺
  • [发明专利]可携式电子装置-CN201210166183.5有效
  • 锺轩禾;林昱宏 - 东莞广迎五金塑胶制品有限公司
  • 2012-05-26 - 2012-10-03 - H01R13/514
  • 本发明为有关一种可携式电子装置,属于电子类,主要包括一电子模块及至少一滑设于电子模块上的绝缘胶体,其电子模块一侧处具有至少一电子模块金属导体组,电子模块金属导体组包含有第一金属导体组、第二金属导体组、第三金属导体组及第四金属导体组,而绝缘胶体上具有分别对应上述各金属导体组并予以进行配合使用的第五金属导体组、第六金属导体组、第七金属导体组及第八金属导体组,藉此,当绝缘胶体前后移动滑移在电子模块上时,第一至第四金属导体组即与第五至第八金属导体组形成相互磨擦进而导通,即亦可通过此一磨擦动作使各金属导体组不会产生氧化,且采用滑设组装技术而使各金属导体组无须焊接即可电性导通,不会产生产品不良的问题。
  • 可携式电子装置
  • [发明专利]园区布线用光电混合缆-CN202211681310.5在审
  • 李国昌;张楼彬 - 富通集团有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-04-25 - H01B11/22
  • 本申请公开了园区布线用光电混合缆,包括金属导体、光纤松套管,光纤松套管内设光纤;金属导体包括第一金属导体、第二金属导体,均为层状结构;第一金属导体、第二金属导体之间绝缘并相对设置;在横截面,所述第一金属导体、第二金属导体为半圆环状;沿长度方向,第一金属导体、第二金属导体具有波浪弯;第一金属导体、第二金属导体之间形成包围空间,光纤松套管固定设置在所述包围空间内。
  • 布线用光混合
  • [实用新型]一种移相器-CN200520065549.5无效
  • 吴中林;杨斌;高卓峰 - 中山市通宇通讯设备有限公司
  • 2005-09-30 - 2006-12-06 - H01Q3/32
  • 本实用新型公开了一种移相器,其包括金属壳体,金属壳体内固定安装有左右两根金属导体管,左右金属导体管上分别连接有电缆线,所述的左右金属导体管内分别嵌套有金属导体棒,金属导体棒与左右金属导体管之间不发生接触,金属导体棒上连接有可推拉其在金属导体管内前后运动的手柄;本产品内的金属导体棒在金属导体管中前后运动,则嵌套在金属导体管中的部分金属导体棒的长度发生变化,从而改变了传送路径的实际长度,以达到信号中引起一定数量的相位改变的目的
  • 一种移相器
  • [发明专利]导体器件与其制作方法-CN201811291670.8有效
  • 毛淑娟;罗军;许静 - 中国科学院微电子研究所
  • 2018-10-31 - 2022-03-22 - H01L21/336
  • 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该方法包括:提供半导体预备体,半导体预备体包括源区、漏区、第一预金属导体化合物层,第一预金属导体化合物层位于源区和/或漏区的表面上,第一预金属导体化合物层包括第一金属和半导体材料,半导体材料选自GeSi、Si或Ge;使得第一预金属导体化合物层的远离源区和/或漏区的表层掺杂有第二金属,和/或在第一预金属导体化合物层的远离源区和/或漏区的表面设置由第二金属形成的第二金属层,第二金属的功函数大于第一金属的功函数;对掺杂有第二金属的半导体预备体进行热处理,形成第二金属导体化合物层和第一金属导体化合物层。该制作方法制备得到的半导体器件具有较小的电阻。
  • 半导体器件与其制作方法
  • [发明专利]导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片-CN201110049434.7有效
  • 吉泽和隆;江间泰示 - 富士通半导体股份有限公司
  • 2011-02-28 - 2011-09-28 - H01L23/58
  • 本发明提供一种半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片,该半导体晶片包括:第一半导体芯片区,形成有一半导体元件;第二半导体芯片区,形成有一半导体元件;以及划片区,夹在第一半导体芯片区和第二半导体芯片区之间;其中:第一半导体芯片区包括第一金属环,该第一金属环环绕形成在第一半导体芯片区中的该半导体元件;第一金属环由多个金属层构成,多个金属层包括下侧金属层和叠置在该下侧金属层上方的上侧金属层,并且该上侧金属层以如下方式,即以第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或位于第一半导体芯片区的内部位置的方式,叠置在下侧金属层上方。
  • 半导体晶片及其制造方法以及芯片

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