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- [发明专利]电子部件模块-CN201980042723.9在审
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森启辅;渡边英树
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松下知识产权经营株式会社
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2019-05-28
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2021-02-05
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H05K7/20
- 本公开的电子部件模块包括熔断器、继电器、第1导体部、第1连接导体部、第2导体部、第2连接导体部及第3导体部。所述第1导体部、所述第2导体部及所述第3导体部在第1方向上按照第3导体部、第2导体部、第1导体部的顺序配置,所述第1熔断器端子部与所述第1连接导体部的所述板状部连接,所述第2熔断器端子部与所述第2连接导体部的所述板状部连接,所述第1继电器端子部与所述第2导体部的与所述第1方向相反的方向上的端部连接,所述第2继电器端子部与所述第3导体部的所述第1方向上的端部连接。
- 电子部件模块
- [实用新型]宽带天线-CN201220169243.4有效
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阮伟宏;范文娟
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启碁科技股份有限公司
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2012-04-19
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2013-01-23
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H01Q1/36
- 一种宽带天线,该宽带天线包括:一第一辐射导体以及一第二辐射导体;该第一辐射导体包括一第一导体部,以及一由该第一导体部向外延伸的一第二导体部,该第一导体部具有一接地端;该第二辐射导体包括一第三导体部、电连接于该第三导体部的一第四导体部与一第五导体部,以及一位于该第三导体部与该第四导体部的交接处的馈入端,该第五导体部位于该馈入端与该接地端之间;该第二导体部与该第三导体部耦合而共振于一第一频段,该第五导体部与该第一导体部耦合而共振于一第二频段,该第三导体部及该第四导体部分别共振于一第三频段及一第四频段
- 宽带天线
- [发明专利]半导体器件-CN202310158733.7有效
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李荷莉;张拥华
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粤芯半导体技术股份有限公司
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2023-02-24
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2023-06-30
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H01L23/544
- 本申请提供一种半导体器件,埋层、外延层和绝缘部依次层叠设置于衬底上;第一导体测试部、第二导体测试部以及第三导体测试部均位于绝缘部的两侧,第一导体测试部位于外延层以及埋层中且延伸入衬底内,第一导体测试部与外延层以及埋层绝缘;第二导体测试部位于外延层中且延伸入埋层内,第二导体测试部与外延层绝缘;第三导体测试部延伸入外延层内,部分第三导体测试部与外延层绝缘,第三导体测试部和所述第二导体测试部位于埋层之上,第三导体测试部、第二导体测试部以及第一导体测试部间隔设置;衬底、外延层以及第一导体测试部与埋层、第二导体测试部以及第三导体测试部的掺杂类型不同,以达到快速检测注入离子的分布情况。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置以及功率器件-CN202310310606.4在审
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岛田浩行
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精工爱普生株式会社
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2023-03-27
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2023-10-17
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H01L29/78
- 半导体装置以及功率器件,能够降低导通电阻。半导体装置具有:导电型彼此相同的第一半导体部以及第二半导体部,它们沿着第一方向配置;第三半导体部,其设置于第一半导体部与第二半导体部之间,杂质浓度比第一半导体部以及第二半导体部低;第四半导体部,其设置于第二半导体部与第三半导体部之间,杂质浓度比第一半导体部以及第二半导体部低;栅极绝缘层以及栅极电极,它们设置于第三半导体部的与第一方向交叉的第二方向;以及电介质部,其设置于第四半导体部的第二方向,电介质部由带隙比构成第四半导体部的材料大且相对介电常数比构成第四半导体部的材料大的材料构成,在对栅极电极施加了规定的电压的情况下,在第四半导体部形成耗尽层。
- 半导体装置以及功率器件
- [发明专利]同轴电缆的末端构造、以及该同轴电缆的末端的连接构造-CN201180056671.4有效
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若林徹
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奥林巴斯株式会社
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2011-09-15
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2013-07-31
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H02G15/02
- 同轴电缆(10)的末端构造(31)具有内部导体连接部(33)、去除部(35)和外部导体连接部(37)。内部导体连接部(33)在端面(10b)上具有导通部(10d)。内部导体连接部(33)形成于从外部绝缘层(17)露出的外部导体(15)的外周面,经由外部导体(15)和导通部(10d)与内部导体(11)连接。去除部(35)配设于内部导体连接部(33)的更后侧,通过在整周范围内去除从外部绝缘层(17)露出的外部导体(15)的一部分而形成。外部导体连接部(37)配设于去除部(35)的更后侧,形成于外部导体(15)的外周面,通过去除部(35)与内部导体连接部(33)截断,与外部导体(15)连接。
- 同轴电缆末端构造以及连接
- [发明专利]半导体装置-CN201510556134.6在审
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福田达夫
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株式会社东芝
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2015-09-02
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2016-10-05
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H01L29/868
- 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、绝缘部、及半导体部。第2半导体区域设置于第1半导体区域的一部分上。第2半导体区域的第2导电型的载子浓度比第1半导体区域的第1导电型的载子浓度低。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。绝缘部与第3半导体区域相接。绝缘部设置于第2半导体区域及第1半导体区域的周围。半导体部设置于绝缘部的周围。半导体部不与第1半导体区域相接。
- 半导体装置
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