专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电力转换装置-CN201880019141.4有效
  • 冈浦伸吾;风间俊;门田隆资 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2018-04-03 - 2021-07-20 - H02M7/00
  • 本公开的电力转换装置具备:正电极,具有正极主导体以及正极结合导体;负电极,具有负极主导体以及负极结合导体;电容器电路,与正电极以及负电极连接;电力转换部,与正极主导体、正极结合导体、负极主导体、以及负极结合导体连接;以及散热,与电容器电路以及电力转换部结合,正极主导体以及负极主导体、正极结合导体以及负极结合导体被相互绝缘且被面对面配置。
  • 电力转换装置
  • [发明专利]一种新型气体绝缘开关设备的电缆仓导体连接结构-CN202110527257.2在审
  • 李科峰;张建成;赵海波 - 湖南长高电气有限公司
  • 2021-05-14 - 2021-08-13 - H01R11/11
  • 本发明公开了一种新型气体绝缘开关设备的电缆仓导体连接结构,包括:三出向导体,具有第一导体出线、第二导体出线、第三导体出线,第一导体出线设置在三出向导体的下方,第二导体出线设置在三出向导体的上方,第三导体出线设置在三出向导体的一侧;过渡导体,过渡导体竖向设置,过渡导体的上端与第一导体出线连接;电缆头连接装置,包括垫块导体和触头座,垫块导体设有触头座安装和电缆头对接,触头座安装在触头座安装上,电缆头对接用于与电缆头对接,触头座能够与过渡导体的下端对接;屏蔽球,与第二导体出线可拆卸连接;电缆仓的本体导体,本体导体与第三导体出线连接。
  • 一种新型气体绝缘开关设备电缆导体连接结构
  • [实用新型]一种新型气体绝缘开关设备的电缆仓导体连接结构-CN202121039638.8有效
  • 李科峰;张建成;赵海波 - 湖南长高电气有限公司
  • 2021-05-14 - 2021-11-30 - H01R11/11
  • 本实用新型公开了一种新型气体绝缘开关设备的电缆仓导体连接结构,包括:三出向导体,具有第一导体出线、第二导体出线、第三导体出线,第一导体出线设置在三出向导体的下方,第二导体出线设置在三出向导体的上方,第三导体出线设置在三出向导体的一侧;过渡导体,过渡导体竖向设置,过渡导体的上端与第一导体出线连接;电缆头连接装置,包括垫块导体和触头座,垫块导体设有触头座安装和电缆头对接,触头座安装在触头座安装上,电缆头对接用于与电缆头对接,触头座能够与过渡导体的下端对接;屏蔽球,与第二导体出线可拆卸连接;电缆仓的本体导体,本体导体与第三导体出线连接。
  • 一种新型气体绝缘开关设备电缆导体连接结构
  • [发明专利]电子部件模块-CN201980042723.9在审
  • 森启辅;渡边英树 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2019-05-28 - 2021-02-05 - H05K7/20
  • 本公开的电子部件模块包括熔断器、继电器、第1导体、第1连接导体、第2导体、第2连接导体及第3导体。所述第1导体、所述第2导体及所述第3导体在第1方向上按照第3导体、第2导体、第1导体的顺序配置,所述第1熔断器端子部与所述第1连接导体的所述板状连接,所述第2熔断器端子部与所述第2连接导体的所述板状连接,所述第1继电器端子部与所述第2导体的与所述第1方向相反的方向上的端连接,所述第2继电器端子部与所述第3导体的所述第1方向上的端连接。
  • 电子部件模块
  • [实用新型]宽带天线-CN201220169243.4有效
  • 阮伟宏;范文娟 - 启碁科技股份有限公司
  • 2012-04-19 - 2013-01-23 - H01Q1/36
  • 一种宽带天线,该宽带天线包括:一第一辐射导体以及一第二辐射导体;该第一辐射导体包括一第一导体,以及一由该第一导体向外延伸的一第二导体,该第一导体具有一接地端;该第二辐射导体包括一第三导体、电连接于该第三导体的一第四导体与一第五导体,以及一位于该第三导体与该第四导体的交接处的馈入端,该第五导体部位于该馈入端与该接地端之间;该第二导体与该第三导体耦合而共振于一第一频段,该第五导体与该第一导体耦合而共振于一第二频段,该第三导体及该第四导体部分别共振于一第三频段及一第四频段
  • 宽带天线
  • [发明专利]导体器件-CN202310158733.7有效
  • 李荷莉;张拥华 - 粤芯半导体技术股份有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-06-30 - H01L23/544
  • 本申请提供一种半导体器件,埋层、外延层和绝缘依次层叠设置于衬底上;第一导体测试、第二导体测试以及第三导体测试均位于绝缘的两侧,第一导体测试部位于外延层以及埋层中且延伸入衬底内,第一导体测试与外延层以及埋层绝缘;第二导体测试部位于外延层中且延伸入埋层内,第二导体测试与外延层绝缘;第三导体测试延伸入外延层内,部分第三导体测试与外延层绝缘,第三导体测试和所述第二导体测试部位于埋层之上,第三导体测试、第二导体测试以及第一导体测试间隔设置;衬底、外延层以及第一导体测试与埋层、第二导体测试以及第三导体测试的掺杂类型不同,以达到快速检测注入离子的分布情况。
  • 半导体器件
  • [发明专利]导体装置以及功率器件-CN202310310606.4在审
  • 岛田浩行 - 精工爱普生株式会社
  • 2023-03-27 - 2023-10-17 - H01L29/78
  • 导体装置以及功率器件,能够降低导通电阻。半导体装置具有:导电型彼此相同的第一半导体以及第二半导体,它们沿着第一方向配置;第三半导体,其设置于第一半导体与第二半导体之间,杂质浓度比第一半导体以及第二半导体低;第四半导体,其设置于第二半导体与第三半导体之间,杂质浓度比第一半导体以及第二半导体低;栅极绝缘层以及栅极电极,它们设置于第三半导体的与第一方向交叉的第二方向;以及电介质,其设置于第四半导体的第二方向,电介质由带隙比构成第四半导体的材料大且相对介电常数比构成第四半导体的材料大的材料构成,在对栅极电极施加了规定的电压的情况下,在第四半导体形成耗尽层。
  • 半导体装置以及功率器件
  • [发明专利]通信介质-CN201180054956.4无效
  • 福田浩司;小林直树;塚越常雄 - 日本电气株式会社
  • 2011-11-07 - 2013-07-17 - H04B5/00
  • 一种通信介质包括:第一片导体;第二片导体,所述第二片导体布置为面对所述第一片导体;以及环绕所述第一片导体的端和所述第二片导体的端导体。所述第二片导体包括:没有开口部的屏蔽;具有开口部的通信馈电;以及匹配线路,所述匹配线路配置在所述屏蔽与所述通信馈电之间,并且所述匹配线路的阻抗与所述屏蔽和所述通信馈电相匹配。所述导体环绕所述屏蔽的端
  • 通信介质
  • [发明专利]同轴电缆的末端构造、以及该同轴电缆的末端的连接构造-CN201180056671.4有效
  • 若林徹 - 奥林巴斯株式会社
  • 2011-09-15 - 2013-07-31 - H02G15/02
  • 同轴电缆(10)的末端构造(31)具有内部导体连接(33)、去除(35)和外部导体连接(37)。内部导体连接(33)在端面(10b)上具有导通(10d)。内部导体连接(33)形成于从外部绝缘层(17)露出的外部导体(15)的外周面,经由外部导体(15)和导通(10d)与内部导体(11)连接。去除(35)配设于内部导体连接(33)的更后侧,通过在整周范围内去除从外部绝缘层(17)露出的外部导体(15)的一分而形成。外部导体连接(37)配设于去除(35)的更后侧,形成于外部导体(15)的外周面,通过去除(35)与内部导体连接(33)截断,与外部导体(15)连接。
  • 同轴电缆末端构造以及连接
  • [发明专利]导体器件检测装置以及半导体器件检测方法-CN201210205024.1有效
  • 柳弘俊;尹芸重 - 宰体有限公司
  • 2011-04-11 - 2012-11-14 - G01R31/26
  • 本发明提供半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法,本发明的半导体器件检测装置包括:装载,用于装载半导体器件;加热板,从装载接收半导体器件并对其进行加热;测试,用于对由加热板加热的半导体器件进行电特性测试;反转装载,在将半导体器件从加热板传递至测试之前,使其反转成半导体器件的底面朝向上侧;反转卸载,从测试接收半导体器件,使其反转成半导体器件的底面朝向下侧;卸载板,从反转卸载接收半导体器件而进行加载;以及卸载,根据测试的测试结果,从卸载板部分类出半导体器件而进行加载。
  • 半导体器件检测装置以及方法
  • [发明专利]导体器件检测装置以及半导体器件检测方法-CN201110089753.0无效
  • 柳弘俊;尹芸重 - 宰体有限公司
  • 2011-04-11 - 2011-10-12 - H01L21/00
  • 本发明提供半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法,本发明的半导体器件检测装置包括:装载,用于装载半导体器件;加热板,从装载接收半导体器件并对其进行加热;测试,用于对由加热板加热的半导体器件进行电特性测试;反转装载,在将半导体器件从加热板传递至测试之前,使其反转成半导体器件的底面朝向上侧;反转卸载,从测试接收半导体器件,使其反转成半导体器件的底面朝向下侧;卸载板,从反转卸载接收半导体器件而进行加载;以及卸载,根据测试的测试结果,从卸载板部分类出半导体器件而进行加载。
  • 半导体器件检测装置以及方法
  • [发明专利]导体装置-CN201510556134.6在审
  • 福田达夫 - 株式会社东芝
  • 2015-09-02 - 2016-10-05 - H01L29/868
  • 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、绝缘、及半导体。第2半导体区域设置于第1半导体区域的一分上。第2半导体区域的第2导电型的载子浓度比第1半导体区域的第1导电型的载子浓度低。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。绝缘与第3半导体区域相接。绝缘设置于第2半导体区域及第1半导体区域的周围。半导体设置于绝缘的周围。半导体不与第1半导体区域相接。
  • 半导体装置

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