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[发明专利]具有行/列折叠的错误复原存储器装置-CN201810061474.5在审
发明人：普罗卡斯·高希;苏拉夫·罗伊;内哈·拉杰 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种错误复原存储器装置包括用于存储一组数据位的多组存储器块和冗余存储器块。存储器块包括一组存储器单元，每个存储器单元邻近于至少两个其它存储器单元，且存储器块是由所述一组存储器单元的矩阵形成。在行折叠式实施方案中，字线连接到每个存储器单元，且一组位线连接到所述对应一组存储器单元。在列折叠式实施方案中，位线连接到每个存储器单元，且一组字线连接到所述对应一组存储器单元。在所述存储器块包括故障时，冗余存储器块用于存储所述一组数据位。
存储器单元存储器块存储器装置冗余存储器错误复原线连接折叠式存储矩阵形成折叠的位线字线组位组字邻近

[发明专利]非易失性存储器-CN201910738613.8在审
发明人：尹敬和;郭判硕;金灿镐;任琫淳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开提供了非易失性存储器。一种非易失性存储器包括垂直堆叠在第二半导体层上并包括第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组的第一半导体层。第二半导体层包括分别在第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组下面的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括通过特定字线连接到第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组中的一个存储器组的存储器单元的一个驱动电路以及通过第一位线连接到第一存储器组的存储器单元的另一个驱动电路，其中特定字线和第一位线在相同的水平方向上延伸
非易失性存储器

[发明专利]用于控制存储器分配的方法和设备-CN201310044928.5有效
发明人：维莱·哈利沃里;茱哈马蒂·库西萨里 -专利权人：特拉博斯股份有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：用于控制存储器分配的方法和设备。本发明涉及对存储器进行分配和释放，所述存储器被组织成包含存储器块组，所述存储器块组中的每一个包含存储器块。存在第一数据实体（101），其指示在每一个存储器块组中的空闲存储器块的数量。对于每一个存储器块组，存在第二数据实体（102、103、......、105），其指示有关存储器块组的哪些存储器块是空闲的。当接收对分配存储器块的请求时，基于第一数据实体，搜索包含空闲存储器块的存储器块组，并且基于与该存储器块组有关的第二数据实体，从该存储器块组搜索空闲存储器块。第一数据实体和第二数据实体构成紧凑数据结构，因此可以有效利用高速缓冲存储器。
用于控制存储器分配方法设备

[发明专利]具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程-CN202180000115.9在审
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;游开开 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器器件，可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一组存储器层与第二组存储器层之间的第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括NAND存储器串，其均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括外围电路，其被配置为循序地对第一组存储器层中的每一个存储器层进行编程，并且然后循序地对第二组存储器层中的每一个存储器层进行编程。外围电路可以包括字线(WL)驱动电路，其被配置为：在对第一组存储器层中的第一存储器层进行编程时，在与第一存储器层相关联的预充电周期期间，将第一预充电电压施加到第一虚设存储器层；以及在对第一组存储器层中的位于第一存储器层上方的第二存储器层进行编程时，在与第二存储器层相关联的预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。
具有降低阈值电压偏移三维存储器器件编程

[发明专利]检查非易失性存储器装置的错误的设备和方法-CN202110456878.6在审
发明人：金正爱;金志烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统。该存储器系统包括：存储器装置，包括多个存储器组，每个存储器组包括多个非易失性存储器单元；以及控制器，被配置为向存储器装置传输命令从而存储器装置在多个存储器组之中的至少一个存储器组内执行数据输入/输出操作，从存储器装置接收针对该命令的响应以及关于至少一个存储器组的状态数据，并且基于响应和状态数据来确定数据输入/输出操作已经成功还是已经失败。
检查非易失性存储器装置错误设备方法

[发明专利]存储器装置及其错误检测方法-CN201910250297.X在审
发明人：朴山河 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器装置，包括具有至少一存储器组的存储器阵列，其中至少一存储器组包括目标存储器阵列以及克隆存储器阵列。克隆存储器阵列对应于目标存储器阵列，且用以存储与目标存储器阵列中的数据相同的数据。当应用于目标存储器阵列的命令执行操作时，该命令同样应用于克隆存储器阵列。一种错误检测方法亦被提出，其适用于具有至少一个存储器组的存储器装置，且所述存储器组包括目标存储器阵列和克隆存储器阵列。
存储器装置及其错误检测方法

[发明专利]具有特殊分组指令的微控制器-CN201080004730.9有效
发明人：齐克·R·伦德斯特鲁姆;维维安·德尔波特;肖恩·斯蒂德曼;约瑟夫·朱利谢 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：一种用于微控制器的指令集，所述微控制器具有：数据存储器，其被划分成多个存储器组，其中所述数据存储器具有所述多个存储器组中的一个以上存储器组，所述多个存储器组形成特殊功能寄存器未被映射到的线性数据存储器块；组选择寄存器，其未被映射到所述数据存储器且用于选择存储器组；以及间接存取寄存器，其被映射到至少一个存储器组，其中所述指令集包括：可操作以对选定组内的所有存储器位置直接寻址的多个指令；提供对所述组选择寄存器的存取的至少一个指令；以及使用所述间接存取寄存器执行对所述数据存储器的间接寻址的至少一个指令。
具有特殊分组指令控制器

[发明专利]存储器系统-CN202010906541.6在审
发明人：郑俊燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开一种存储器系统，该存储器系统可以包括：多个非易失性存储器设备，每个非易失性存储器设备包括多个存储器区域；以及控制器，被配置成将多个非易失性存储器设备中的存储器区域分组为存储器组，使得每个存储器组包括来自多个非易失性存储器设备中的每一个的至少一个存储器区域，该控制器进一步被配置成执行从第一源存储器组读取第一数据并将第一数据存储在第一目标存储器组中的第一迁移操作。控制器可以被配置成当已经针对第一源存储器组设置了标记时，以第一数据从非易失性存储器设备输出到控制器的顺序将第一数据存储在第一目标存储器组中。
存储器系统

[发明专利]具有多电平、单次写入存储器单元的可重写存储器件-CN201080056716.3无效
发明人： R.E.舒尔莱恩;L.法索里 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：在此描述的实施例涉及具有多电平、单次写入存储器单元的存储器件。在一个实施例中，存储器件具有存储器阵列，其包括多个多电平单次写入存储器单元，其中，每个存储器单元可编程到多个电阻率等级之一。该存储器件还包括被配置以从存储器阵列选择一组存储器单元并读取与该组存储器单元相关的一组标记位的电路。该组标记位指示该组存储器单元已经被写入的次数。该电路还被配置以为选择适合于该组存储器单元已经被写入的次数的阈值读取电平，并且对该组中的每个存储器单元，基于所选择的阈值读取电平，读取该存储器单元作为未编程的单个位的存储器单元或作为已编程的单个位的存储器单元
具有电平写入存储器单元重写存储器件

[发明专利]每个周期具有一个读端口和一个或多个写端口的多组存储器-CN201610273711.5有效
发明人： D·布朗伯格;R·舍曼 -专利权人：马维尔以色列(M.I.S.L.)有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种用于数据存储的方法，包括在网络元件中从分组处理电路至少接收读命令和写命令，用于在包括多个单端口存储器组的存储器阵列中执行。当读命令和写命令要访问存储器阵列中的不同存储器组时，在同一存储器访问周期中在不同的存储器组中为分组处理电路被执行读命令和写命令。当读命令和写命令都要访问第一存储器组时，选择存储器阵列中的第二存储器组。在同一存储器访问周期中在第一存储器组中执行读命令并且在第二存储器组中执行写命令。
每个周期具有一个端口多个写存储器

[发明专利]存储器访问控制设备、存储器访问控制方法、数据存储方法以及存储器访问控制程序-CN200780011909.5有效
发明人：泷泽哲郎 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：根据本发明的访问控制设备提高了对在存储器中存储的数据的存储器访问效率，所述访问控制设备包括多个存储器组，划分所述数据并将所述数据存储在多个存储器组的不同存储器区域中，所述不同存储器区域是基于对所述多个存储器组的访问地址的预定比特来区分的，并且在访问存储器的相同时钟周期内，同时访问在多个存储器组的不同存储器区域中存储的数据。
存储器访问控制设备方法数据存储以及控制程序

[发明专利]存储器存取控制器、系统及用于最优化存储器存取时间的方法-CN201080012764.2有效
发明人：斯里尼瓦斯·马达利;迪提·维贾亚拉卡什米·西拉马格瑞 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种可配置存储器存取控制器及相关系统及方法。在本文中所描述的实施例中，所述可配置存储器控制器适于为给定存储器系统中的多个存储器组中的每一者提供单独的存储器存取配置。为每一存储器组提供的所述存储器存取配置可为维持每一存储器组中的至少一个存储器页开放或关闭。以此方式，可在个别化基础上为每一存储器组提供存储器存取配置，以基于每一存储器组中的数据活动性的类型而最优化存储器存取时间。在本文中所描述的实施例中，所述存储器控制器还可经配置以允许一个或一个以上存储器组的动态配置。动态配置涉及改变或越权控制特定存储器组的所述存储器存取配置以最优化存储器存取时间。
存储器存取控制器系统用于优化时间方法

[发明专利]存储器装置和用于验证存储器访问的方法-CN201811208846.9有效
发明人：约埃尔·哈彻;贝恩德·迈尔;贾·奥特斯泰特;斯特芬·桑尼卡尔布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明涉及存储器装置和用于验证存储器访问的方法。根据一个实施例描述一种存储器装置，所述存储器装置具有：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有能写入的存储器单元的列和行；存储器控制装置，所述存储器控制装置配置为：发起对一行存储器单元中的第一组存储器单元进行访问；并且与对所述第一组存储器单元进行访问一起，发起对该行存储器单元中的第二组存储器单元进行读取访问，验证电路，所述验证电路配置为，基于：在对所述第二组存储器单元进行读取访问时所读取的值是否与之前由所述第二组存储器单元所存储的值一致，检查对所述第一组存储器单元的访问是否已经对存储器单元的正确的行执行。
存储器装置用于验证访问方法

[发明专利]一种FPGA存储器的工艺映射方法-CN201410490278.1有效
发明人：李璇;王元鹏;樊平;刘明 -专利权人：京微雅格（北京）科技有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种FPGA存储器的工艺映射方法，所述方法包括：根据存储器逻辑网表的原始信息进行分类封装，生成端口组集合；根据所述端口组集合包括的端口组的数量和端口组参数，构造存储器宏；根据目标工艺库中的资源规模对所述存储器宏的数据空间和地址空间进行切分，得到存储器组件；所述存储器组件包括功能参数，所述功能参数具体为：构造所述存储器宏的端口组的端口组参数；将所述存储器组件按位扩展和地址扩展生成存储器组件扩展组；根据所述存储器组件扩展组中包括的每一个存储器组件，再进行存储器组件类型的精确匹配；根据所述精确匹配后的所述存储器组件的连接关系和所述功能参数，在器件工艺映射库进行映射，生成所述FPGA存储器。
一种 fpga 存储器工艺映射方法

[发明专利]具有智能电流/功耗最小化的增强型动态存储器管理-CN201480004109.0有效
发明人： H·J·朴;R·G·霍夫曼;Y·J·李 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：获得多个易失性存储器设备中的每个易失性存储器设备的低功率状态电流/功耗。将数据从这些易失性存储器设备中的第一组易失性存储器设备复制到这些易失性存储器设备中的第二组易失性存储器设备，其中第二组易失性存储器设备具有比所述第一组易失性存储器设备低的电流/功耗。另外，可获得这多个易失性存储器设备中的每个易失性存储器设备内的每个存储体的电流/功耗。随后将数据从第二组存储器设备中的同一存储器设备内的第一组存储体复制到第二组存储体，其中第二组存储体具有比所述第一组存储体低的电流/功耗。第一组易失性存储器设备和/或第一组存储体随后被置于降电状态。
具有智能电流功耗最小化增强动态存储器管理

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