专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种复合沟道的有机场效应-CN201410734606.8在审
  • 陈真;郑亚开;唐莹;韦一;彭应全 - 中国计量学院
  • 2014-12-04 - 2016-02-10 - H01L51/05
  • 本发明公开一种复合沟道的有机场效应管,属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想,远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种复合沟道的有机场效应管,通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层,由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量,增加了激子离解产生载流子的数量,故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路,对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
  • 一种复合沟道有机场效应
  • [发明专利]磁头、头悬架组件和磁性再现装置-CN200510092661.2无效
  • 船山知己 - 株式会社东芝
  • 2005-08-19 - 2006-03-22 - G11B5/39
  • 一种磁头,具有磁阻效应元件(1),该磁阻效应元件叠置了多个磁性膜,并且该磁头在磁阻效应元件的膜厚度方向上传导读出电流,该磁头的特征在于包括:第一屏蔽层(2),叠加在磁阻效应元件的一个表面上,并且其面积大于这个表面的面积;第一引线层(4),形成在从第一屏蔽层叠加在磁阻效应元件上的部分到第一屏蔽层上的另一个部分的范围内,并且该第一引线层向磁阻效应元件施加读出电流;第二屏蔽层(3),叠加在磁阻效应元件上的与所述一个表面相对的另一个表面上,并且其面积大于该另一个表面的面积;第二引线层(5),形成在从第二屏蔽层叠加在磁阻效应元件上的部分到第二屏蔽层上的另一个部分的范围内,并且该第二引线层向磁阻效应元件施加读出电流。
  • 磁头悬架组件磁性再现装置
  • [实用新型]一种复合沟道的有机场效应-CN201420758725.2有效
  • 陈真;郑亚开;唐莹;韦一;彭应全 - 中国计量学院
  • 2014-12-04 - 2015-11-25 - H01L51/05
  • 本实用新型公开一种复合沟道的有机场效应管,属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想,远达不到现代集成电路工艺要求。本实用新型提出一种复合沟道的有机场效应管,通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层,由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量,增加了激子离解产生载流子的数量,故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路,对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
  • 一种复合沟道有机场效应
  • [发明专利]考虑光纤传输和退化叠加的软件密集系统可靠性分析方法-CN202311117913.7在审
  • 伊枭剑;许晨浩;刘树林;方晓彤 - 北京理工大学
  • 2023-09-01 - 2023-10-03 - G06F11/00
  • 本发明公开了一种考虑光纤传输和退化叠加的软件密集系统可靠性分析方法,包括:构建由软硬件子系统和光纤传输链路组成的软件密集型系统结构图,根据所述结构图生成GO图模型;根据所述GO图模型确定存在退化叠加效应组合的故障阈值,并根据所述故障阈值得到具有退化叠加效应的组件可用度;根据所述GO图模型中光纤链路参数,建立光功率损耗模型,确定光功率传输损耗的概率密度函数,根据所述概率密度函数,得到信号流传输的可用度;根据所述具有退化叠加效应的组件可用度和信号流传输的可用度对所述软件密集型系统进行可靠性分析本发明在对系统进行可靠性分析时,考虑了退化叠加效应和数据传输损耗,可显著提高系统可靠性预测精度。
  • 考虑光纤传输退化叠加软件密集系统可靠性分析方法
  • [发明专利]一种带隙基准电路及芯片-CN202310272301.9在审
  • 张钒睿;尚宇 - 龙芯中科(南京)技术有限公司
  • 2023-03-20 - 2023-06-23 - G05F1/567
  • 本发明提供一种带隙基准电路及芯片,第一负温度系数电路包括串联的第一场效应管和第一BJT晶体管,可生成第一负温度系数电压。第二负温度系数电路包括串联的第二场效应管和第二BJT晶体管,可生成第二负温度系数电压。第二场效应管上还连接有第一电阻,叠加电路连接于电源正极与第一电阻之间、以及电源正极与第一场效应管之间。叠加电路可基于第一负温度系数电压以及第二负温度系数电压得到正温度系数电压,并叠加后输出带隙基准电压。本发明可得到具有更低温度系数的带隙基准电压,从而,可提高带隙基准电压的稳定性。
  • 一种基准电路芯片

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