专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于共注的Ga2-CN202111537404.0在审
  • 盛况;宛江彬;王珩宇;任娜 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2021-12-15 - 2022-04-05 - H01L21/425
  • 本发明涉及一种基于共注的Ga2O3的P型掺杂方法,包括离子注入、后退火和表面抛光,离子注入是向半导体衬底上生长的外延层先后注入氮元素和二价金属元素并用多能量注入以形成均匀的掺杂,氮元素和二价金属元素是为了提供空穴,形成受体掺杂的杂质,同时预先氮元素的注入也会降低氧元素电负性太高引起的空穴的自陷效应,可以增加Ga2O3的P型区的空穴迁移率,同时引入的另一种受体掺杂杂质可以使受体掺杂浓度升高,后退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以一定的温度退火以修复晶格损伤并激活掺杂元素,表面抛光是将进行过两次离子注入和退火的晶圆面向下抛光一定厚度以降低离子注入后晶圆表面的粗糙度同时消除高温退火后掺杂元素向外扩散导致的表面掺杂不均匀。
  • 一种基于gabasesub
  • [发明专利]一种数据处理方法以及装置-CN201610338367.3无效
  • 李光余 - 李光余
  • 2016-05-20 - 2016-10-26 - H04L9/06
  • 数据处理方法,包括:针对参与处理的一个或多个分组,建立扩散网络;其中,所述分组为预设长度的元素集合,且每个所述分组至少包含一个元素;所述扩散网络由扩散路径组成,每一条所述扩散路径均连接并指向分组中的元素和/或元素组,元素组为元素的组合;根据所述扩散路径组建扩散式;其中,扩散式由原体和受体组成,且原体包含受体;对所述扩散式进行扩散运算。
  • 一种数据处理方法以及装置
  • [发明专利]单晶层、特别是压电层的制造方法-CN201680080405.8在审
  • 布鲁诺·吉瑟兰;J-M·贝斯奥谢 - 索泰克公司
  • 2016-12-21 - 2018-09-28 - C30B25/18
  • 本发明涉及一种制造单晶层(10)的方法,其特征在于,该方法包括以下连续步骤:‑提供包含具有ABO3组成的压电材料的供体衬底(100),其中,A由来自Li、Na、K、H、Ca的至少一种元素构成;B由来自Nb、Ta、Sb、V的至少一种元素构成;‑提供受体衬底(110),‑将称为“晶种层”的层(102)从所述供体衬底(100)转移至所述受体衬底(110)上,这通过将供体衬底键合于受体衬底上以使所述晶种层(102)处于键合界面处、随后减薄所述供体衬底(100)直到所述晶种层(102)而进行;‑在所述晶种层(102)的压电材料ABO3上通过外延来生长具有A’B’O3组成的单晶层(103),其中:A’由以下元素Li、Na、K、H中的至少一种构成;B’由以下元素Nb、Ta、Sb、V中的至少一种构成;A’不同于A,或者B’不同于B。
  • 衬底晶种层供体单晶层压电材料衬底键合键合界面连续步骤压电层减薄制造生长

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