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[发明专利]半导体封装件-CN202110862123.6在审
发明人：朴完洙;宋生燮;吴琼硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件，其包括：基板；芯片堆叠件，包括在所述基板上以上升阶梯形状堆叠的半导体芯片；第一电源/接地引线，通过所述第一电源/接地引线，所述基板连接到所述芯片堆叠件的最下面的半导体芯片，并且所述芯片堆叠件的相邻的半导体芯片彼此连接；以及第二电源/接地引线，从第一半导体芯片延伸并且连接到所述基板。所述第一半导体芯片是所述芯片堆叠件的除了最下面的半导体芯片和最上面的半导体芯片之外的一个半导体芯片。所述芯片堆叠件包括第一堆叠件和位于所述第一堆叠件上的第二堆叠件。所述第二堆叠件构成与所述第一堆叠件的通道独立的通道。
半导体封装

[发明专利]堆叠式封装结构-CN201110402818.2在审
发明人：金容勋;李稀石;辛成浩;俞世浩;李允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：提供了一种堆叠式封装结构。该堆叠式封装结构包括堆叠式封装件以及围绕该堆叠式封装件的侧表面和顶表面的电磁屏蔽层，所述堆叠式封装件包括：下半导体封装件；上半导体封装件，设置在下半导体封装件上，并与下半导体封装件隔开预定距离；封装件间连接部，将下半导体封装件和上半导体封装件电连接，同时支撑下半导体封装件和上半导体封装件之间的空间；绝缘层，至少设置在封装件间连接部的外部，并填充下半导体封装件和上半导体封装件之间的空间。
堆叠封装结构

[发明专利]高效发光二极管-CN201510229202.8有效
发明人：金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：根据示例性实施例的LED包括基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
高效发光二极管

[发明专利]高效发光二极管-CN201110140245.0有效
发明人：金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
高效发光二极管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210852451.2在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;刘奕莹;梁顺鑫;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：示例性形成半导体结构的方法包括在半导体台面上方形成具有半导体层堆叠件的半导体鳍。半导体堆叠件包括第一半导体层、第二半导体层，并且第一半导体层位于半导体台面和第二半导体层之间。该方法还包括形成与半导体台面相邻的隔离部件以及沿着半导体层堆叠件的侧壁形成半导体保护层。半导体保护层在半导体台面的顶表面之下延伸，并且隔离部件的部分位于半导体保护层和半导体台面的侧壁之间。该方法还包括在沟道区域中，用栅极堆叠件替换半导体鳍的第一半导体层和半导体保护层。隔离部件的部分位于栅极堆叠件和半导体台面的侧壁之间。本发明的实施例还提供了半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110443667.9在审
发明人：陈冠霖;江国诚;朱熙甯;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体结构包括设置在半导体衬底上方的半导体层的第一堆叠件，其中半导体层的第一堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个Si层，并且Si层基本上不含Ge；以及邻近半导体层的第一堆叠件的半导体层的第二堆叠件，其中半导体层的第二堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个第二SiGe层，并且其中第一SiGe层和第二SiGe层具有不同的组分。半导体结构还包括与半导体层的第一堆叠件交错以形成第一器件的第一金属栅极堆叠件和与半导体层的第二堆叠件交错以形成不同于第一器件的第二器件的第二金属栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及发送和接收数据的方法-CN202110733511.4在审
发明人：周浩华;王徐玫;黄智强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：多个半导体器件堆叠件布置。堆叠件中的各个半导体器件由发送到堆叠件中的标识信号选择。在每个堆叠件中将信号与存储在每个半导体器件中的唯一堆叠件标识符进行比较，当信号与唯一堆叠件标识符相同时，选择半导体器件，而在信号与唯一堆叠件不同时，则半导体器件保持在默认旁路模式内。本申请的实施例还涉及半导体器件及发送和接收数据的方法。
半导体器件发送接收数据方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201180016665.6有效
发明人：李剡劤;慎镇哲;金钟奎;金彰渊 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-04-04 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，半导体堆叠件包括具有第一导电类型的上半导体层、有源层以及具有第二导电类型的下半导体层；隔离槽，将半导体堆叠件分为多个区域；连接件，设置在基底和半导体堆叠件之间，连接件将所述多个区域彼此电连接；分布式布拉格反射器(DBR)，具有多层结构，DBR设置在半导体堆叠件和连接件之间。连接件穿过DBR电连接到半导体堆叠件，并且DBR的一些部分设置在隔离槽和连接件之间。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]半导体晶圆结构及其形成方法-CN202210764345.9在审
发明人：李名哲;吴国铭;陈昇照;萧豪毅;骆冠宇;陈品孜;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及包括半导体衬底以及沿半导体衬底设置的多个半导体器件的半导体晶圆结构。包括多个介电层的介电堆叠件布置在半导体衬底上方。导电互连结构位于介电堆叠件内。密封环层位于介电堆叠件上方并且沿介电堆叠件的第一侧壁横向围绕介电堆叠件。密封环层包括延伸至半导体衬底中的第一沟槽中的第一突起。本申请的实施例还涉及半导体晶圆结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210306031.4在审
发明人：吴旭升;梁英强;尚慧玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括在基底上方的第一半导体堆叠件，其中第一半导体堆叠件包括彼此分离并沿着基本垂直于基底顶面的方向堆叠的第一半导体层；第二半导体堆叠件位于基底上方，其中第二半导体堆叠件包括彼此分离且沿着基本垂直于基底顶面的方向堆叠的第二半导体层；在第一半导体层的边缘部分之间和在第二半导体层的边缘部分之间的内部间隔物；以及位于第一和第二半导体堆叠件之间的一块体源极/漏极部件，其中块体源极/漏极部件通过第一气隙与基底分隔开，且块体源极/漏极部件通过第二气隙与内部间隔物分隔开
半导体装置

[发明专利]堆叠式半导体封装件-CN201710963144.0有效
发明人：李俊镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：提供了一种堆叠式半导体封装件，其具有各种尺寸的各种类型的半导体芯片并且能够小型化。堆叠式半导体封装件包括基体基底层和设置在基体基底层的顶表面上的子半导体封装件。子半导体封装件包括：多个子半导体芯片，彼此分隔开；子模层，填充多个子半导体芯片之间的空间，以围绕多个子半导体芯片的侧表面。堆叠式半导体封装件包括堆叠在子半导体封装件上的至少一个主半导体芯片，至少一个主半导体芯片通过第一电连接构件电连接到基体基底层。
堆叠半导体封装

[发明专利]堆叠式封装结构及其制法-CN200710108916.9无效
发明人：蔡和易;黄建屏;黄荣彬;张锦煌;萧承旭 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2007-06-04 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式封装结构及其制法，是提供一表面设有多个堆叠焊垫的基板，以于该基板上电性连接至少一半导体芯片，并形成包覆该半导体芯片且外露出该些堆叠焊垫的封装胶体，以构成下层半导体封装件，接着于至少一堆叠焊垫上利用打线方式形成导电凸块，以供至少一上层半导体封件通过焊球而接置于该下层半导体封装件的导电凸块及堆叠焊垫上，其中该焊球与该导电凸块的堆叠高度大于下层半导体封装件的封装胶体高度，从而构成堆叠式封装结构，藉以在堆叠细线路半导体封装件或在上、下层半导体封装件因制程应力发生翘曲时，得以通过该导电凸块填补焊球溃缩后高度的不足，而使该焊球得以有效接触及湿润于该下层半导体封装件的基板上。
堆叠封装结构及其制法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110120471.6在审
发明人：姚茜甯;杨柏峰;杨世海;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构包括：半导体层的堆叠件，设置在衬底上方；金属栅极堆叠件，具有设置在半导体层的堆叠件上方的顶部部分和与半导体层的堆叠件交错的底部部分；内部间隔件，设置在金属栅极堆叠件的底部部分的侧壁上；气隙，被包围在内部间隔件层中；以及外延源极/漏极(S/D)部件，设置在内部间隔件层上方并与金属栅极堆叠件相邻。本申请的实施例还提供了半导体结构的形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000662.7有效
发明人：李浩;张安邦;郑浩宁 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含半导体堆叠和第一欧姆接触件。所述半导体堆叠形成于衬底上。所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和形成于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙。所述第一欧姆接触件安置于所述半导体堆叠上方。所述第一欧姆接触件具有暴露所述第一氮化物半导体层的第一开口。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]显示用发光元件及具有其的LED显示装置-CN202080075493.9在审
发明人：张锺敏;金彰渊 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：根据一实施例的发光元件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；以及第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件，其中，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一粘合层及第二粘合层中的一个是电连接与其相邻的发光堆叠件的导电性粘合层
显示发光元件具有 led 显示装置

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