专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810749926.9有效
  • 崔康植 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-07-10 - 2023-05-12 - H10B41/27
  • 半导体器件及其制造方法。一种半导体器件以及制造半导体器件的方法涉及一种半导体器件,其具有在第一方向上延伸的沟道柱以及包围沟道柱的第一导电图案。该半导体器件还具有包围第一导电图案上方的沟道柱的第二导电图案,其中,第二导电图案在第一方向上层叠并彼此间隔开。该半导体器件还具有设置在第一导电图案上方和第二导电图案下方的蚀刻停止图案
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202010494337.8在审
  • 李相勋;克里希那·布瓦卡;姜明吉;崔景敏 - 三星电子株式会社
  • 2020-06-03 - 2020-12-04 - H01L29/78
  • 提供了一种半导体器件半导体器件包括鳍结构,其具有交替地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸的多个第一半导体图案和多个第二半导体图案半导体器件包括半导体盖层,其位于鳍结构的上表面上,并在与第一方向交叉的第二方向上沿鳍结构的相对侧表面延伸。半导体器件包括栅电极,其位于半导体盖层上,并在第二方向上延伸。半导体器件包括位于半导体盖层与栅电极之间的栅极绝缘膜。另外,半导体器件包括连接到鳍结构的源/漏区。多个第一半导体图案包括锗(Ge)含量在25%至35%的范围内的硅锗(SiGe),并且多个第二半导体图案包括硅(Si)。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201210021644.X无效
  • 朴辰哲 - 海力士半导体有限公司
  • 2012-01-31 - 2012-10-31 - H01L23/535
  • 本发明公开了一种半导体器件半导体芯片、半导体组件、半导体单元、半导体系统以及制造半导体器件的方法。当形成埋入式位线或增大绝缘层的厚度时,通过在一侧触点的相反侧形成气隙,该半导体器件能够减小相邻的位线之间的耦合电容,从而改善半导体器件的特性。该半导体器件包括:多个线图案,其包括一侧触点;位线,其埋入在半导体器件的下部中并位于相邻的线图案之间;位线接面区域,其形成在各个线图案中该位线的一侧;以及气隙,其形成在该位线的另一侧和各个线图案之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体检查方法及半导体检查装置-CN202180041063.X在审
  • 嶋瀬朗;毛祥光;内角哲人 - 浜松光子学株式会社
  • 2021-03-31 - 2023-02-03 - H01L21/66
  • 本发明的一实施方式的半导体检查方法包含以下步骤:通过对半导体器件扫描激光,对激光的每一照射位置,取得表示与激光的照射相应的半导体器件的电信号的特性的特性信息,基于每一照射位置的特性信息,产生半导体器件的第1图案图像;基于半导体器件的布局图像与表示半导体器件的电流路径的电流路径信息,产生半导体器件的第2图案图像;及基于第1图案图像与第2图案图像的位置对准的结果,取得表示第1图案图像与布局图像的相对关系的匹配信息
  • 半导体检查方法装置
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202080101293.6在审
  • 万光星;黄威森 - 华为技术有限公司
  • 2020-06-30 - 2023-01-31 - H01L29/78
  • 一种半导体器件及其制作方法、电子设备,涉及半导体技术领域,提供一种包括不同栅长垂直环栅晶体管的半导体器件。该半导体器件包括:基板(01)以及位于基板(01)上的第一半导体鳍(Z1)和第二半导体鳍(Z2);第一半导体鳍(Z1)包括层叠设置的多个隔离半导体图案层和至少一个沟道半导体图案层,其中,每一个沟道半导体图案层夹在两个隔离半导体图案层之间;第二半导体鳍(Z2)包括依次层叠设置的第一隔离半导体图案层、第一沟道半导体层和第二隔离半导体图案层;第一半导体鳍(Z1)中的所有沟道半导体图案层的总厚度与第二半导体鳍(Z2)中的第一沟道半导体层的厚度不同
  • 半导体器件及其制作方法电子设备

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