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[实用新型]一种二维材料生长设备-CN202220677700.4有效
发明人：李佳君;丛靖昆;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二维材料生长设备，包括生长腔体、样品台、若干前驱体组件，生长腔体外侧设有加热装置，生长腔体连接有出气管，前驱体组件包括前驱体管腔、进气管，前驱体管腔外侧设有前驱体加热装置，前驱体管腔与生长腔体、进气管相连，前驱体管腔内放置有石英舟，各前驱体组件中石英舟装填的前驱体不同，样品台设置在生长腔体内并沿生长腔体内部轴向移动，样品台安装有加热器和生长衬底，加热器用于调节生长衬底和生长腔体之间的温度差。本实用新型具有防止各前驱体在到达衬底前发生反应，能够根据需求单独调整生长衬底的温度进而调控前驱体与生长衬底之间过冷度，前驱体到达衬底的距离可调节以保证前驱体有合适的气相反应时间等优点。
一种二维材料生长设备

[发明专利]基于双层碳化硅支架批量生长REBCO高温超导块体的方法-CN201210352797.2有效
发明人：姚忻;于德京;程玲;彭波南;许恒恒 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种批量生长REBCO超导块体的方法，在底部加热的生长炉中放置具有上、下两层搁板的支架；制作多个前驱体和小前驱体，将多个前驱体分别放置在两层搁板上，其中，上层搁板上的前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶，下层搁板上的前驱体的上表面放置有小前驱体，小前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶；进行熔融结构生长以得到多个REBCO超导块体。本发明实现了双层批量生产REBCO超导块材，充分地利用了生长炉内部的空间，降低了生产成本。并且，本发明批量生长的REBCO超导块体生长良好，具有均一、稳定的性质。
基于双层碳化硅支架批量生长 rebco 高温超导块体方法

[发明专利]一种量子点的制备方法-CN201910208244.1在审
发明人：程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点的制备方法，包括如下步骤：提供量子点核；将所述量子点核分散到第一前驱体溶液中，得到混合溶液；加入第二前驱体和第三前驱体进行晶体生长，得到所述量子点；其中，所述第一前驱体溶液被配置为离子前驱体溶液，所述第二前驱体和第三前驱体选自阴离子前驱体；或者，所述第一前驱体溶液被配置为阴离子前驱体溶液，所述第二前驱体和第三前驱体选自阳离子前驱体；并且，所述第二前驱体与所述第一前驱体反应进行晶体生长的反应活性大于所述第三前驱体与所述第一前驱体反应进行晶体生长的反应活性
一种量子制备方法

[发明专利]限域生长的金属有机框架化合物柔性膜的合成方法-CN202011189199.9有效
发明人：杨国锐;延卫;王筱珺;丁书江;王玲;王思岚 -专利权人：西安交通大学苏州研究院;西安交通大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： D04H1/728 文献下载
摘要：本发明公开了限域生长的金属有机框架化合物柔性膜的合成方法，包括如下步骤：1)、配制静电纺丝前驱体溶液：包括外层前驱体溶液和内层前驱体溶液；2)、同轴静电纺丝：将外层前驱体溶液加入至同轴静电纺丝机的外层溶液通道中；同时，将内层前驱体溶液加入至同轴静电纺丝机的内层溶液通道中，喷丝头采用同轴型，经静电纺丝得到核壳型前驱体纤维；3)、MOFs限域生长：将步骤2)得到的核壳型前驱体纤维置于第三溶剂中进行反应；内层的第二高分子聚合物溶解释放出中心原子与配体并在纤维内部空腔中生长；待MOFs生长完毕后，对得到的限域生长MOFs柔性膜进行清洗和烘干。该方法不仅可以控制MOFs的生长尺寸，还可以将其加工成柔性膜材料，拓展其使用领域。
生长金属有机框架化合物柔性合成方法

[发明专利]一种具有循环类量子阱结构的铜锌锡硫基薄膜前驱体及其制备方法-CN202011644126.4有效
发明人：洪瑞江;梁云锋;曾龙龙;曾淳泓 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有循环类量子阱结构的铜锌锡硫基薄膜前驱体及其制备方法，该制备方法包括：利用天平对生长前后的衬底质量进行精确称量，并通过摩尔质量换算得到相应前驱体生长源物质的量，以获取生长源的生长速率、成膜厚度和生长时间之间的关系，然后通过控制生长时间来控制各前驱体生长源元素的配比，进而根据生长时间的划分，对铜锌锡硫基薄膜的前驱体进行类量子阱式生长；还包括采用具有高本底真空、生长速率稳定以及可重复性高特点的磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发的生长方法。基于上述制备方法，本发明可对薄膜及其前驱体的组成成分及元素配比进行精确调控，解决了现有铜锌锡硫基薄膜的整体元素配比失衡的技术问题。
一种具有循环量子结构铜锌锡硫基薄膜前驱及其制备方法

[发明专利]采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置-CN201110262400.6无效
发明人：单崇新;鞠振刚;倪佩楠;李炳辉;王双鹏;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层；再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱体A反应，形成单层A-B薄膜；重复以上步骤形成多层的-A-B-A-B-A-B-薄膜；然后同时通入MOCVD反应前驱体A和MOCVD反应前驱体B在衬底上方发生化学反应，再与多层的-A-B-A-B-A-B-薄膜结合，获得复合模式生长的半导体薄膜。本方法有效结合两种生长方式的优点，实现两种生长模式的复合生长模式，易于大规模的工业化生产。本发明还提供了复合模式生长半导体薄膜的装置。
采用复合模式生长半导体薄膜方法装置

[发明专利]一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法-CN202310217553.1在审
发明人：张洪泽;王鑫华;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中通过水前驱体辅助生长氧化铝键合晶圆中界面气泡多的问题。所述器件包括第一晶圆、第二晶圆，以及位于所述第一晶圆和第二晶圆之间且从所述第一晶圆至所述第二晶圆依次叠加排列的前驱体臭氧辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层和前驱体臭氧辅助生长氧化铝层，两个所述前驱体水辅助生长氧化铝层之间键合连接。
一种基于复合氧化铝中间层晶圆键合器件方法

[发明专利]正极材料前驱体的制备方法及系统-CN202010522401.9有效
发明人：何志;何劲松;何珂桥;李仲恺;刘超;杨光耀;赵聪 -专利权人：成都思达能环保设备有限公司;四川思达能环保科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种正极材料前驱体的制备方法及系统，正极材料前驱体的制备方法包括：向反应器提供包含用于制备正极材料前驱体的金属盐溶液的原料；促使原料反应生成正极材料前驱体，并在正极材料前驱体生长过程中继续向反应器提供确保正极材料前驱体生长到设定要求的所述金属盐溶液；通过位于反应器中的过滤元件对反应器中的溶液进行固液分离过滤从而将反应器中的液体量维持在反应所需的范围；当正极材料前驱体生长到设定要求后，将其排出。
正极材料前驱制备方法系统

[发明专利]利用核生长阻滞的区域选择性薄膜形成方法-CN202280009152.0在审
发明人：金才玟;金荷娜;崔雄辰;韩智娟;郑主焕;曹贤植 -专利权人：株式会社EGTM
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，区域选择性薄膜形成方法包括：核生长阻滞剂供应步骤，将核生长阻滞剂供应至置有基板的腔体之内，使所述核生长阻滞剂吸附至所述基板的非生长区域；净化所述腔体内部的步骤；前驱体供应步骤，向所述腔体内供应前驱体，使得所述前驱体吸附至所述基板的生长区域；净化所述腔体内部的步骤；以及薄膜形成步骤，向所述腔体内供应反应物质，使该反应材料与所述吸附的前驱体反应以形成薄膜。
利用生长阻滞区域选择性薄膜形成方法

[发明专利]多籽晶非对称(110)/(110)取向诱导生长REBCO高温超导块体的方法-CN201210244120.7有效
发明人：姚忻;程玲;郭林山;吴越珅 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种多籽晶诱导生长REBCO超导块体的方法，包括步骤：制备RE123相和RE211相的粉末；制备前驱体；将多个籽晶非等间距地放置在前驱体的上表面，这些籽晶是c轴取向的NdBCO/MgO薄膜，该薄膜与前驱体的上表面相接触的表面是其ab面；将前驱体与多个籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长REBCO超导块体，这些籽晶在前驱体上诱导生长REBCO晶体，这些REBCO晶体两两之间在其生长前沿彼此相对的对角处相遇并生长成一个整体本发明通过合适地安排各个籽晶方向和间距，实现了在REBCO超导块体的生长过程中有效地排除晶界处的残余熔体，从而提高了超导块材的整体性能。
籽晶对称 110 取向诱导生长 rebco 高温超导块体方法

[发明专利]一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法-CN201410119439.6在审
发明人：姚忻;王伟;陈媛媛;崔祥祥;陈尚荣 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相粉末；b）按RE123+（1～15）wt.%CaCO₃+（0.3～1.5）wt%CeO₂的配比制备第一前驱体；c）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO₂的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第一前驱体的上表面，第一前驱体放置在第二前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过添加第二前驱体，有效抑制高温熔融状态下Ba-Cu-O液体的流失，有利于诱导生长长满的钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体。
一种生长掺杂 rebco 高温超导单晶体方法

[发明专利]晶体结构可调控的三元正极材料的制备方法-CN201611265114.4有效
发明人：邹朋辉;杨万光 -专利权人：广东天劲新能源科技股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体结构可调控的三元前驱体、正极材料及其制备方法，具体是：将镍钴锰可溶盐、NaOH、浓氨水和导向生长的表面活性剂分别配制成溶液后进行共沉淀反应，得到结构定向生长的三元前驱体；将该前驱体与锂源混合，经高温煅烧后得到类前驱体结构的定向生长的三元层状正极材料。本发明通过调控前驱体的生长，得到了晶体结构沿着[003]方向生长的正极材料，提高了内部结构生长的有序度和稳定性，减少了阳离子混排，降低了Li+扩散电阻，提高了Li
晶体结构调控三元正极材料制备方法

[发明专利]一种窄粒径多晶三元前驱体及其制备方法和应用-CN202211732806.0在审
发明人：杨洋;高策;邢天航;于新成;王文远;常鹏 -专利权人：中冶瑞木新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种窄粒径多晶三元前驱体及其制备方法和应用。本发明提供的窄粒径多晶三元前驱体的制备方法，包括以下步骤：(1)将镍钴锰混合盐溶液、沉淀剂和络合剂同时通入含有底液的晶种釜和生长釜中，进行反应；(2)待晶种釜中晶种的平均粒径生长到目标值后，将晶种泵入生长釜中继续生长，使生长釜内物料的平均粒径生长到目标值；(3)将生长釜中得到的物料进行固液分离、陈化、洗涤、烘干处理得到前驱体。该方法制得的前驱体一次颗粒呈针状有序堆积，二次颗粒呈多孔结构、球形度较好且无裂纹，粒径分布窄，使该前驱体拥有较高比表面积，同时具有较高振实密度，用于制备正极材料后能保证电池的容量和循环性能。
一种粒径多晶三元前驱及其制备方法应用

[发明专利]一种喷雾干燥连续制备正极材料的方法及装置-CN202210108190.3在审
发明人：徐荣益;李亨利;孔令涌;李意能;刘其峰 -专利权人：佛山市德方纳米科技有限公司;曲靖市德方纳米科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种喷雾干燥连续制备正极材料的方法及装置，所述方法包括：正极材料前驱体的料浆喷入喷雾干燥装置内，经干燥和造粒，得到前驱体颗粒；所述前驱体颗粒在喷雾干燥装置内以悬浮状态经喷入的碳源进行包膜，得到包膜的前驱体；所述包膜的前驱体在气流作用下引入晶体生长系统中依次进行气固分离和晶体生长，得到包膜的正极材料。本发明能够将喷雾干燥、造粒、包覆膜以及晶体生长连续集中进行，实现了前驱体到正极材料的一步合成，而且能够提高包膜的均匀性，且有利于减小颗粒间相互团聚的情况。
一种喷雾干燥连续制备正极材料方法装置

[发明专利]一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法-CN201310628453.4有效
发明人：姚忻;王伟;彭波南;郭林山;陈媛媛;雷一明;庄宇峰;李昊辰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
一种嵌入式籽晶生长掺杂 ybco 单晶体方法

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