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[发明专利]一种采用价带谱进行X射线光电子能谱校正的方法-CN202010960652.5有效
发明人：刘建;郝俊英;刘维民 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;青岛市资源化学与新材料研究中心(中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心)
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：一种采用价带谱进行X射线光电子能谱校正的方法，包括以下步骤：(1)采用X射线光电子能谱仪对材料进行特征X射线光电子能谱及价带谱的扫描，得到高分辨的谱图测试特征X射线光电子能谱及价带谱；(2)从所述的测试特征X射线光电子能谱及价带谱谱图上识别出材料中各元素特征峰的位置，并以切线相交方式从步骤(1)检测的价带谱得到材料的测试带隙数值；(3)查阅文献及书籍，得到材料的标准带隙数值；(4)将所述的标准带隙数值减去所述的测试带隙值得到的差值进行移动，得到材料真实的特征X射线光电子能谱。本发明采用价带谱进行X射线光电子能谱校正，发展了X射线光电子能谱校正的方法，得到了材料真实的特征X射线光电子能谱。
一种采用价带进行射线光电子校正方法

[实用新型]一种具有新型进样结构的光电子能谱仪-CN202221786751.7有效
发明人：肖旋 -专利权人：沈阳综科谱联科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有新型进样结构的光电子能谱仪，包括光电子能谱仪分析室，光电子能谱仪分析室的顶部连接有分析室连接管道，分析室连接管道远离光电子能谱仪分析室的一端设置有光电子能谱仪分析器，光电子能谱仪分析室的一侧外壁处连接有光电子能谱仪进样管道，光电子能谱仪进样管道的一端开设有进样管道连接孔，进样管道连接孔的内部连接有进样管道连接轴，进样管道连接轴远离进样管道连接孔的一端设置有电动推杆支撑板；该一种具有新型进样结构的光电子能谱仪，通过设置进样管道连接轴、电动推杆支撑板、进样电动推杆、滑板固定吸盘、进样滑板、样品放置盒、进样滑槽，实现了该光电子能谱仪便于进样的功能。
一种具有新型结构光电子能谱仪

[实用新型]一种具有新型进样结构的光电子能谱仪-CN202022895797.X有效
发明人：曾宪荣 -专利权人：广州普川检测技术有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有新型进样结构的光电子能谱仪，包括光电子能谱仪主体，所述光电子能谱仪主体的一侧外表面设置有控制器，所述光电子能谱仪主体的下端外表面设置有支撑脚，所述光电子能谱仪主体的一侧外表面设置有进样结构通过在光电子能谱仪主体的一侧设置载盘，载盘通过电动伸缩杆和滑轨与光电子能谱仪活动连接，有利于通过电动伸缩杆的伸缩带动载盘的运动，避免人工直接将样品放入光电子能谱仪中，从而避免辐射对人体健康造成危害，通过在载盘的一侧设置挡板，挡板的一侧外表面设置有橡胶密封条，当载盘将样品送入光电子能谱仪中进行检测时，橡胶密封条会随着载盘一同运动，直至卡入卡槽中，有利于保证光电子能谱仪主体的密封性。
一种具有新型结构光电子能谱仪

[实用新型]一种用于消除被测样品表面不均匀荷电的装置-CN202122524565.8有效
发明人：刘焕明;王志强;阳运国 -专利权人：北京科技大学顺德研究生院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于消除被测样品表面不均匀荷电的装置，包括设置在用于承载被测样品的光电子能谱系统的标准样品托上的溅射靶和离子遮挡板；装置当被妥放于光电子能谱系统进行被测样品的光电子能谱检测时，装置保障所述样品托上被测样品被光电子能谱系统的附属光源辐照和被测样品产生的光电子能进入光电子能谱系统的附属光电子能谱检测器；样品托上的溅射靶被光电子能谱系统的附属离子束击中，所溅射释出的惰性金属沉积到所述被测样品表面；样品托上的离子遮挡板有效避免所述被测样品表面被光电子能谱系统的附属离子束击中而被损伤。该装置保障光电子能谱检测不受被测样品表面任何不均匀荷电的干扰，从而使测试结果更加准确可信。
一种用于消除样品表面不均匀装置

[发明专利]一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法-CN202010398999.5在审
发明人：卜腊菊;翟晨阳;鲁广昊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法，包括以下步骤：(1)将两块ITO玻璃衬底清洗，用氮气吹干，经紫外‑臭氧处理后，置于正辛基三氯硅烷溶液中修饰；(2)在经修饰的两块ITO玻璃衬底上制备聚合物薄膜，分别标记为薄膜1和薄膜2；(3)利用紫外光电子能谱仪检测聚合物薄膜1的紫外光电子能谱，利用低气压(20帕斯卡)氧等离子体刻蚀聚合物薄膜2并检测其紫外光电子能谱。本发明将低压氧等离子体刻蚀技术与紫外光电子能谱法相结合，检测聚合物半导体薄膜不同深度位置处的紫外光电子能谱，即亚层光电子能谱，并获得能级分布，有利于探索聚合物半导体薄膜性质与光电器件性能间的关系，在薄膜分析领域有广泛应用前景
一种利用等离子体刻蚀测量聚合物光电子方法

[发明专利]砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法-CN202080096470.6在审
发明人：上松康二;佐藤一成;中西文毅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种具有主面的砷化镓单晶衬底，其中，在通过X射线光电子能谱法测定主面时，以三氧化二砷形式存在的As原子数相对于以五氧化二砷形式存在的As原子数之比为2以上，所述X射线光电子能谱法使用能量为150eV的X射线、并且将光电子的出射角度设定为5°。
砷化镓单晶衬底制造方法

[实用新型]一种X射线光电子能谱仪粉末样品快速制备装置-CN201720720350.4有效
发明人：周楷;周小元;夏之宁;饶历 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： G01N23/227 文献下载
摘要：本实用新型属于化学分析检测技术领域，公开了一种X射线光电子能谱仪粉末样品快速制备装置，底座用于支撑X射线光电子能谱仪的样品台，上面设置有底座定位凸起，模具部通过底座定位凸起固定在X射线光电子能谱仪样品台上在加样部加样孔道上分别加入粉末样品，封样部通过封样定位凸起固定在加样部上，压实部压头在冲压的过程中穿过封样孔道、加样孔道和模具孔道后把样品压实并将样品粘在X射线光电子能谱仪样品台上。通过这种样品快速制备装置，使X射线光电子能谱的样品制备过程变得简单快捷，并能有效避免传统手工制样中的样品间交叉污染，提高X射线光电子能谱仪的样品制备效率。
一种射线光电子能谱仪粉末样品快速制备装置

[发明专利]一种基于静电储存环的深能级光电子能谱研究装置-CN202210075573.5在审
发明人：马雷;尹广佳;苗琳;史蒂夫哈林顿;陈志 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-01-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明属于光电子能谱的技术领域，具体涉及一种基于静电储存环的深能级光电子能谱研究装置，本发明基于桌面级设备实现单一尺寸且温度精密控制的团簇深能级光电子能谱的测量，本发明包括磁控溅射源，四极杆质量选择器，低温离子阱，束流光学整形及注入段和静电储存环和垂直分布电场补偿式速度影像光电子能谱仪，静电储存环被设计为约束束流做环形运动并成数量级提高束流强度，从而实现储存环束流注入与光电子能谱电离激光运行的解耦合，
一种基于静电储存能级光电子研究装置

[发明专利]一种基于紫外光电子能谱检测粉末样品的方法-CN202310178307.X在审
发明人：杨文超;潘燕芳;唐梦奇;覃伟鸥;黎良伟;湛永钟;何欢 -专利权人：广西大学;清华大学深圳国际研究生院;南宁海关技术中心
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于紫外光电子能谱检测粉末样品的方法，涉及粉末样品检测领域，解决了现有的紫外光电子能谱技术不能有效地对粉末材料进行表面分析的问题，现提出如下方案，其包括S1：将粉末样品溶解于适当的溶解剂中，使用超声波振荡5～30min；S2：将溶解后的溶液滴定到硅片上；S3：将硅片放置于旋转涂膜机上，制备成膜；S4：通过紫外光电子能谱检测硅片上的膜，即可实现对粉末样品的紫外光电子能谱检测。本方法具有可以有效地对各种可溶性粉末样品进行紫外光电子能谱检测，且检测操作便利的特点。
一种基于紫外光电子检测粉末样品方法

[发明专利]检测X射线光电子能谱仪稳定性的方法-CN202010160621.1有效
发明人：陆朋朋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测X射线光电子能谱仪稳定性的方法，包括获取表面形成有氮氧化硅薄膜的校准片对应的氧氮含量的比率的第一上限值和第一下限值，氧氮含量的比率是指校准片对应的氧含量和氮含量之和与氮氧化硅薄膜厚度的比值；使用所述光电子能谱仪对校准片进行测量，获取氧氮含量的比率的第一测试值；当第一测试值在第一上限值和第一下限值之间时，使用X射线光电子能谱仪获取的制程监控片的氮含量的值在正常波动范围内，认为该光电子能谱仪能准确测试出制程监控片的氮含量，进而判定光电子能谱仪处于稳定状态，能够排除校准片的氮氧化硅薄膜被进一步氧化带来的干扰，避免了因X射线光电子能谱仪测试异常引起的生产失误，降低了生产成本。
检测射线光电子能谱仪稳定性方法

[发明专利]一种利用光电子能谱测量能带弯曲的方法和装置-CN201910430691.1有效
发明人：赵弇斐;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光电子能谱测量能带弯曲的方法和装置。此方法包括：获取待测样品在N个不同光电子发射角下的芯能级光电子能谱；N为整数且N≥4；根据芯能级光电子能谱与对应的光电子发射角的理论关系、光电子发射角与对应的积分深度的理论关系以及各不同光电子发射角下的芯能级光电子能谱分别获取N个不同积分深度对应的能级取值；光电子发射角与积分深度一一对应；根据能级取值与积分深度的理论关系、N个积分深度以及各积分深度对应的能级取值，拟合得到表层芯能级；表层芯能级为积分深度为0时对应的芯能级；根据能带弯曲与表层芯能级的理论关系以及表层芯能级的取值
一种利用光电子测量能带弯曲方法装置

[发明专利]一种表征纤维沿径向不同深度化学结构的方法-CN201610532183.0在审
发明人：徐志伟;隋显航;李晓捷;李楠;陈澄;钱晓明;赵立环;邓辉 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01N23/227 文献下载
摘要：其内容包括1)首先对纤维表面特定微区进行X射线光电子能谱测试；2)调整氩离子枪的溅射角度与离子源能量对测试区域进行原位溅射剥离处理；3)重复上述步骤。通过X射线光电子能谱测试与原位氩离子溅射交替进行，实现纤维沿径向不同深度化学结构的分析。本发明的核心是采用X射线光电子能谱‑氩离子枪溅射联用技术，通过X射线光电子能谱测试与原位的氩离子溅射交替进行，获得纤维特定微区沿径向不同深度化学结构信息，即深度剖析。
一种表征纤维径向不同深度化学结构方法

[发明专利]一种窄侧壁样品光电子能谱测试中消除干扰信号的方法以及样品夹具-CN202010054951.2在审
发明人：朱雷;纪约义;吴俊贤;徐可;华佑南;李晓旻 -专利权人：胜科纳米（苏州）有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明涉及窄截面光电子能谱测试技术领域，尤其涉及一种窄侧壁样品光电子能谱测试中消除干扰信号的方法以及样品夹具。一种窄侧壁样品光电子能谱测试中消除干扰信号样品夹具，包括基板和固定板；所述基板的顶部设置有至少一个准直板，所述准直板沿所述基板的顶部向外延伸；所述固定板和所述基板之间设置有连接结构；所述基板、所述固定板和所述准直板的表面至少有不小于本发明提供的窄侧壁样品光电子能谱测试中消除干扰信号的样品夹具用于消除来自于测试样品表面的信号干扰，特别适用于样品相邻测试面材料与截面材料不同的样品测试，能够成功屏蔽来自测试样品相邻测试面的干扰信号，实现了对样品截面的光电子能谱精准测试
一种侧壁样品光电子测试消除干扰信号方法以及夹具

[发明专利]一种阿秒X-射线脉冲的测量方法及其应用-CN201110416546.1有效
发明人：葛愉成 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明的方法利用参数化的计算公式确定每个测量得到的光电子的相关相位，利用解析性的光电子能谱解谱技术，一步重建脉冲的形状和具体的时间结构。本发明的方法不需要大量的光电子能谱的时间分辨测量，也不需要的冗长的迭代计算和实验数据拟合过程，能从每个测量得到的光电子能谱重建出阿秒X-射线脉冲的时域特性。由于变换方程建立了阿秒脉冲时间特性、重要的激光参数(峰值强度、电场包络形状、相位、载波-包络相位等)、原子或分子的电离能、光电子能谱之间的直接联系，可以用它从各个已知参数值计算出未知的参量。
一种射线脉冲测量方法及其应用

[发明专利]非水二次电池用负极活性物质和非水二次电池-CN201810384155.8有效
发明人：冈野哲之;中堤贵之;前西真弓;高畑昌弘;松下纯子;蚊野聪;北条伸彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：在将采用X射线光电子能谱法由所述石墨得到的硼1s能谱的总峰面积设为SB、将所述硼1s能谱之中与氮结合的硼引起的能谱的峰面积设为SBN光电子能谱法由所述石墨得到的碳1s能谱的峰面积设为SC、将采用X射线光电子能谱法由所述石墨得到的氮1s能谱的峰面积设为S
二次电池负极活性物质

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