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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]低电容低RC环绕接触-CN202180084899.8在审
发明人：谢瑞龙;E·A·德希尔瓦;郭婧;唐浩;池澄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该场效应晶体管还包括在金属衬里和第一源极/漏极和/或第二源极/漏极之间的金属‑硅化物(215)，以及在第一源极/漏极和/或第二源极/漏极上的金属衬里上的导电接触(218)，其中该导电接触是与金属衬里的导电材料不同的导电材料
电容 rc 环绕接触

[发明专利]低间隙巩膜接触镜-CN202210837852.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：珠海菲特兰医疗科技有限公司;菲特兰有限公司
申请日： 2022-07-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02C7/04 文献下载
摘要：本发明涉及巩膜接触镜，尤其涉及一种具有低间隙的巩膜接触镜，包括设置在镜片中央的光学区、环绕所述光学区的过渡区以及设置在镜片外围的着陆区，所述着陆区包括球结膜接触部和在所述着陆区的末端的边翘，其中，所述巩膜接触镜被配置为当被放置在眼球上时，所述光学区和所述过渡区的后表面不与所述眼球的前表面接触，所述球结膜接触部的后表面与所述眼球的球结膜接触，用于对所述巩膜接触镜提供支撑，所述边翘在径向上延伸远离所述眼球的球结膜，并且其中，所述光学区的后表面与所述眼球的顶点之间的初始顶点间隙在本发明的巩膜接触镜摘取安全、便捷，视觉效果好，无日间起雾。
间隙巩膜接触

[发明专利]低电阻率接触-CN201280044859.1无效
发明人： R.J.瑟里恩;J.D.里德;J.A.拉姆齐;A.L.格雷 -专利权人：弗诺尼克设备公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L35/10 文献下载
摘要：本发明公开了到半导体结构的低电阻率接触的实施例。在一个实施例中，一种半导体结构包括：半导体层；处于半导体层的表面上的、具有低带隙的半导体接触层；以及处于半导体接触层的与半导体层相对的表面上的电极。半导体接触层的带隙在0到0.2电子伏（eV）范围内并且包括0和0.2电子伏，更优选地在0到0.1eV范围内并且包括0和0.1eV，甚至更优选地在0到0.05eV范围内并且包括0和0.05eV。在一个具体实施例中，半导体接触层和电极形成到p型半导体层的欧姆接触，并且由于半导体接触层的低带隙，欧姆接触具有小于1x10^-6欧姆·cm²的电阻率。
电阻率接触

[实用新型]低弹跳、低接触电阻触头结构-CN201320635031.5有效
发明人：彭琦柯;何跃 -专利权人：中国振华电子集团宇光电工有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01H33/664 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低弹跳、低接触电阻触头结构，包括有触头，触头上安装有触头座，触头座环内放置有加强筋，且加强筋与触头接触，导电杆套入加强筋内，导电杆下底面与触头上端面之间形成第一间隙，导电杆台阶面与加强筋上端面之间形成第二间隙本实用新型在结构上设置有第一间隙以及第二间隙，第一间隙的宽度小于第二间隙的宽度，该触头结构受到断路器的合闸压力作用后，导电杆与触头接触，当触头之间相互接触受到彼此间的反作用力时，加强筋与触头座之间会出现相对运动
弹跳接触电阻结构

[发明专利]低静电接触式清洁系统-CN201980067836.4有效
发明人：希拉·哈密尔顿;斯蒂芬·弗兰克·米切尔;亨特·帕特森 -专利权人：伊利诺斯工具制品有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触式清洁辊(100)，该接触式清洁辊包括清洁表面组件、导电芯(112)和电荷提取元件(118)，该清洁表面组件包括具有体电导率(例如电导率)的弹性体层(110)，该导电芯被配置为支撑清洁表面组件并提供从清洁表面组件提取电荷的导电路径
静电接触清洁系统

[发明专利]低电弧交流接触器-CN200410082645.0无效
发明人：林社振 -专利权人：谢法光
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01H47/02 文献下载
摘要：一种低电弧交流触发器，包括电磁控制触头接点通断结构，特点是还有脉冲电源形成电路和低电弧形成电路，并还有多功能故障检出电路，其是以瞬间大电流转化为强大脉冲磁场能量作动力，推动接触器机械部分的触头接点产生动作，控制电源负载导通或断开，在每次动作过程中，均受电子电路监察，控制在交流电压最低电位位置进行通断程序，降低电弧产生破坏力，同时接触器本身采用光电耦合电路，接受外来低电压信号指令操控，并具有过载，欠相，短路
电弧交流接触器

[实用新型]低道床接触轨绝缘支架-CN201620590062.7有效
发明人：赵金凤;陈吉刚;周琳;徐阳 -专利权人：中铁电气化局集团宝鸡器材有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： B60M1/30 文献下载
摘要：一种低道床接触轨绝缘支架，它包括底部和侧部，所述底部和侧部为一体，所述侧部包括竖直设置的第一侧板和倾斜设置的第二侧板，所述第一侧板下端圆弧过渡连接第二侧板；所述底部包括水平设置的底板及其竖直方向延伸形成的连接部本实用新型改变原有绝缘支架结构，满足低道床使用要求，避免与隧道壁干涉，且结构简单、降低耗材。
道床接触绝缘支架

[实用新型]低接触电阻直流焊机-CN201720212208.9有效
发明人：王树波 -专利权人：青岛澳铃逆变科技有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低接触电阻直流焊机，所述弹性低电阻导通装置包括固定座，固定座上部安装第一弹簧、电动推杆、辊轮和插接座，第一弹簧的一端连接基础座，基础座的侧部安装滑动杆和两个旋转杆，两个旋转杆相互平行，旋转杆的一端与基础座铰接，旋转杆的另一端铰接推动板，推动板的下部安装插接导电板，滑动杆上安装固定管，本实用新型将直流电机的开关更换为弹性低电阻导通装置，弹性低电阻导通装置的基础座、旋转杆和推动板构成平行四边形
接触电阻直流

[发明专利]低电阻接触结构及其制造-CN200780031776.8有效
发明人： S·V·德什潘德;P·W·德哈文;A·马丹;黄洸汉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-09-06 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种在半导体器件和后端工艺互连之间的电介质材料层中制造接触结构的方法。该方法包括在所述电介质材料层中生成至少一个接触开口；通过化学气相淀积工艺形成第一TiN膜，所述第一TiN膜对所述接触开口加衬；以及通过物理气相淀积工艺形成第二TiN膜，所述第二TiN膜对所述第一TiN膜加衬还提供了根据本发明的实施例制造的接触结构。
电阻接触结构及其制造

[发明专利]形成低电阻接触的方法-CN200880020116.4无效
发明人：朱振甫;刘文煌;朱俊宜;郑兆祯;郑好钧;樊峰旭;段忠 -专利权人：旭明光电股份有限公司
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供在半导体元件的GaN层的反转结构表面上制造接触的技术。可形成具有藉由移除一基板而外露之表面的一n-掺杂GaN层，该n-掺杂GaN层原本形成于该基板上。
形成电阻接触方法

[发明专利]低轮廓接触紧固件-CN200480037150.4无效
发明人：南希·J·托兰;马克·A·克拉纳;威廉·B·S·麦克杜格尔;诺曼·A·科特;霍华德·A·金斯福德;保罗·R·埃里克森;克林顿·多德 -专利权人：维尔克罗工业公司
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： A44B18/00 文献下载
摘要：一种可松开的接触紧固件(600，602)，包括环部件(400)和钩部件(100，420)，特别是，其中小的总体接合厚度(t_c)与在撕裂和剪切两方面的高紧固强度相结合。
轮廓接触紧固

[发明专利]低欧姆接触的背接触电池的制造方法-CN201110066731.2无效
发明人：张勇;刘红成;姜红燕;王玉亭;李忠 -专利权人：天威新能源（扬州）有限公司;保定天威集团有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低欧姆接触的背接触电池的制造方法，依次包括步骤：硅片测试检验、硅片预清洗、去除损伤层、单面沉积SiN层、单面制作小绒面、在SiN膜侧丝网印刷掩蔽膜、在SiN膜侧刻蚀N+层窗口、正面背面同时扩散采用该方法制造的被接触电池，蒸镀一层钛薄膜降低了被接触电池的接触电阻，提高了电池的转换效率，各个步骤采用常规工艺，便于实施，生产成本低，有利于背接触电池的推广应用。
欧姆接触电池制造方法

[发明专利]一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法-CN201110127037.7有效
发明人：宋建博;张志国;于峰涛;王勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法，其特征在于在欧姆接触金属种引入难容的Mo金属，形成TiAlNiMoAu组合，在相同的合金条件下降低了合金后的表面粗糙度和比接触电阻率。该方法利用Mo的低扩散性，以及匹配的二元合金相，既实现了低接触电阻又降低了合金后欧姆接触的粗糙度，又有助于提高工艺中光刻工艺的套刻精度，减小工艺步骤，提高欧姆接触的稳定性，为器件工艺实用化打下坚实的基础
一种接触电阻粗糙欧姆制作方法

[发明专利]低限制接触型高压球囊-CN201610185993.3在审
发明人：职康康;高一菁;曲乐丰 -专利权人：中国人民解放军第二军医大学
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： A61M25/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种低限制接触型高压球囊，属于医疗器械技术领域，所述的球囊表面设有凸起。其优点表现在：本发明的球囊工作段表面具有圆滑凸起，可减少球囊与血管的接触面积，低限制接触型高压球囊可降低球囊在扩张血管时对血管的损伤。
限制接触高压

[发明专利]形成低电阻接触件的方法-CN201410193203.7有效
发明人：聂君文;许宏彰;林威戎;蔡彦明;李振铭;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了用于形成电接触件的方法。在半导体衬底上方形成第一FET和第二FET。在介电层中蚀刻开口，其中，介电层形成在衬底上方，并且该开口延伸至FET的源极和漏极区。
形成电阻接触方法

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