专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1276631个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]存储器结构及其形成方法-CN202111243473.0在审
  • 陈赫;董金文;朱继锋;华子群;肖亮;王永庆 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-08-03 - 2022-02-22 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种存储器结构及其形成方法,所述存储器结构包括:第一基底,包括:衬底和存储层,所述衬底具有相对的第一表面和第二表面,所述存储层位于所述衬底的第一表面上,所述第一基底包括焊垫区域;介质层,位于所述衬底的第二表面上;焊垫,位于所述焊垫区域上的介质层表面;隔离结构,贯穿所述衬底,且位于所述焊垫下方的衬底被所述隔离结构包围,以用于隔离所述焊垫下方的衬底与所述隔离结构外围的衬底。本发明的存储器结构中焊垫与衬底之间的寄生电容被减小,有利于提高存储器性能。
  • 存储器结构及其形成方法
  • [发明专利]存储器结构及其形成方法-CN201880096614.0有效
  • 陈赫;董金文;朱继锋;华子群;肖亮;王永庆 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-08-03 - 2021-11-12 - H01L27/11524
  • 本发明涉及一种存储器结构及其形成方法,所述存储器结构包括:第一基底,包括:衬底和存储层,所述衬底具有相对的第一表面和第二表面,所述存储层位于所述衬底的第一表面上,所述第一基底包括焊垫区域;介质层,位于所述衬底的第二表面上;焊垫,位于所述焊垫区域上的介质层表面;隔离结构,贯穿所述衬底,位于所述焊垫区域边缘,包围所述焊垫区域内的衬底,用于隔离所述焊垫区域内的衬底与所述隔离结构外围的衬底。本发明的存储器结构中焊垫与衬底之间的寄生电容被减小,有利于提高存储器性能。
  • 存储器结构及其形成方法
  • [发明专利]三维集成结构及其形成方法-CN202180003166.7在审
  • 胡思平 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-09-02 - 2022-01-07 - H01L27/11524
  • 所述半导体装置包括具有第一侧的第一衬底,装置形成在该第一侧之上。在半导体装置中,第一电介质结构形成在第一衬底的其中定位所述装置的第一侧之上。第一电介质结构包括与第一衬底的第一侧接触的底表面。第一电介质结构的底表面的一部分不被第一衬底覆盖。半导体装置还包括第一电子结构,其定位在第一电介质结构的底表面的未被覆盖的部分之上,使得第一电子结构和第一衬底定位在第一电介质结构的底表面的同一侧。第一电子结构键合到第一电介质结构。
  • 三维集成结构及其形成方法
  • [发明专利]一种平坦化方法-CN201010545902.5有效
  • 肖志强;黄蕴;张明;吴建伟 - 无锡中微晶园电子有限公司
  • 2010-11-16 - 2011-06-15 - H01L21/31
  • 本发明涉及一种平坦化方法,其包括如下步骤:a、提供衬底衬底上设置底层金属连线;b、淀积绝缘介质层;c、涂布光刻胶;d、对衬底及光刻胶进行热处理;e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;f、用EKC溶液清洗;g、再次淀积绝缘介质层;h、再次涂布光刻胶;i、对上述衬底及光刻胶进行热处理;j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当;k、对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗。
  • 一种平坦方法
  • [发明专利]一种侧发光的LED芯片-CN202210186402.X在审
  • 叶华 - 深圳禾只木装饰照明有限公司
  • 2022-02-28 - 2022-05-27 - H01L33/46
  • 本发明涉及一种侧发光的LED芯片,该LED芯片为倒装LED芯片,该LED芯片包括电极层、半导体层以及外延衬底,其中,该电极层设置在该半导体层的下方,该外延衬底设置在该半导体层的上方,该电极层、该半导体层以及该外延衬底自下而上叠设在一起,该外延衬底的顶部设置有光学介质层,借助该光学介质层在该外延衬底的顶部形成一光反射面,该光反射面处于该外延衬底与该光学介质层之间,该LED芯片具有侧向出光面,该侧向出光面位于该LED芯片的四周,该半导体层中产生光线,该光线向上穿透进入该外延衬底中,之后,该光线在该光反射面位置被反射后,从该侧向出光面照射出来。
  • 一种发光led芯片

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top