“介电通道”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2435399个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体集成装置及其制造方法-CN202010001959.2有效
发明人：陈顺福;刘威;陈亮;甘程 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体集成装置及其制造方法，该半导体集成装置包括：第一半导体器件，包括：第一介电层；位于第一介电层内的间隔排布的第一导电通道和第一虚拟导电通道，第一导电通道和第一虚拟导电通道暴露于第一介电层的表面；第二半导体器件，包括：第二介电层；位于第二介电层内的第二导电通道，第二导电通道暴露于第二介电层的表面；第一介电层与第二介电层结合，第二导电通道与第一虚拟导电通道连接。该通半导体集成装置过在结合第一介电层与第二介电层时，直接利用导电通道与虚拟导电通道形成电容，从而简化了电容的制作工艺并降低了成本。
半导体集成装置及其制造方法

[发明专利]垂直通道结构-CN201510770028.8有效
发明人：吴庭维;杨志祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直通道结构，包括基底、多个叠层结构、电荷储存结构、通道结构与介电结构。叠层结构设置于基底上。在叠层结构之间具有开口。电荷储存结构设置于开口的侧壁上。通道结构设置于电荷储存结构上与开口底部的基底上。介电结构包括第一介电层与第二介电层。第一介电层设置于通道结构上。第二介电层设置于第一介电层上，且封住开口，而在介电结构中形成孔隙。第二介电层的顶部高于第一介电层的顶部。介电结构暴露出通道结构的上部。
介电层介电结构通道结构电荷储存结构叠层结构开口基底垂直通道侧壁暴露

[发明专利]集成电路及形成半导体结构的方法-CN202010330749.8在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：环绕式栅极纳米线晶体管具有垂直堆叠的多个纳米线通道、包裹纳米线通道的第一栅极介电层与包裹第一栅极介电层的第一栅极电极。环绕式栅极纳米片晶体管具有垂直堆叠的多个纳米片通道、包裹纳米片通道的第二栅极介电层与包裹第二栅极介电层的第二栅极电极。平面装置具有平面通道、在平面通道上的第三栅极介电层与在第三栅极介电层上的第三栅极电极。第一与第二栅极介电层具有相同厚度。第三栅极介电层比第一和第二栅极介电层厚。纳米线通道与纳米片通道的宽度是小于平面通道的宽度。
集成电路形成半导体结构方法

[发明专利]半导体器件、半导体集成装置以及半导体器件的制造方法-CN202211267189.1在审
发明人：黄诗琪;陈顺福;刘威;李志国;甘程;陈亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件、半导体集成装置与半导体器件的制造方法，该半导体器件包括衬底；位于衬底上的介电层；以及位于介电层内的导电通道；其中，在导电通道的横截面所在的平面上，导电通道围绕部分介电层形成连续的第一预设图案，导电通道的横截面垂直于介电层的厚度方向。该半导体器件通过将介电层内的导电通道设置为连续的，并且导电通道还围绕部分介电层，从而在满足导电通道制造工艺条件的情况下减少了导电通道的占用空间。
半导体器件半导体集成装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件、半导体集成装置以及半导体器件的制造方法-CN202010001960.5有效
发明人：黄诗琪;陈顺福;刘威;李志国;甘程;陈亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件、半导体集成装置与半导体器件的制造方法，该半导体器件包括衬底；位于衬底上的介电层；以及位于介电层内的导电通道；其中，在导电通道的横截面所在的平面上，导电通道围绕部分介电层形成连续的第一预设图案，导电通道的横截面垂直于介电层的厚度方向。该半导体器件通过将介电层内的导电通道设置为连续的，并且导电通道还围绕部分介电层，从而在满足导电通道制造工艺条件的情况下减少了导电通道的占用空间。
半导体器件半导体集成装置以及制造方法

[发明专利]一种谐振芯片及其制作方法-CN202211538318.6在审
发明人：李毅;杨亚涛 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01P7/10 文献下载
摘要：谐振芯片包括：介电层。介电层上设置有谐振通道；介电层包括谐振器与过渡介电层；谐振器形成在过渡介电层表面；谐振通道依次贯通谐振器与过渡介电层；谐振器用于与激发光形成共振响应，并使得电场能量局限在谐振通道内；过渡介电层用于隔离生物分子通过，使生物反应仅在谐振通道内反应。相对于金属包覆层，本申请使用介电层避免了电磁波的能量损耗以及光淬灭的问题。带有谐振通道放入谐振器，将电磁场束缚在谐振通道当中，实现对于谐振通道内单分子荧光过程的增强。使生物反应仅在谐振通道内反应，从而控制和提高反应物的捕获概率。
一种谐振芯片及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN202210209072.1在审
发明人：张壬泓;柳依秀;林宥霆;张志仲;赵高毅;郭俊铭;彭远清;林颂恩;赵家峥;柯忠廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置包括第一通道区、第二通道区以及第一绝缘鳍片，第一绝缘鳍片插入在第一通道区与第二通道区之间。第一绝缘鳍片包括下部以及上部。下部包括填充材料。上部包括：第一介电层，在下部上，第一介电层为第一介电材料；第一盖层，在第一介电层上，第一盖层为第二介电材料，第二介电材料不同于第一介电材料；以及第二介电层，在第一盖层上，第二介电层为第一介电材料。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN201410110738.3有效
发明人：陈蔚宗;蔡娟娟;辛哲宏;蔡学宏;杨智翔 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体结构，包括顶栅极、氧化物半导体通道层、第一介电层、第二介电层以及源极与漏极。氧化物半导体通道层配置于顶栅极与基板之间。第一介电层配置于顶栅极与氧化物半导体通道层之间。第二介电层配置于第一介电层与氧化物半导体通道层之间。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧，且位于第一介电层与基板之间。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。部分第一介电层及部分第二介电层直接接触且完全覆盖氧化物半导体通道层的部分。
半导体结构

[发明专利]形成互连结构的方法-CN202011296349.6在审
发明人：林伯俊;李东颖;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成互连结构的方法包含形成通道；形成第一阻障层以至少覆盖通道的顶面与侧壁；形成第一介电层于第一阻障层上；执行第一平坦化制程以去除第一介电层的一部分与第一阻障层的一部分，从而暴露通道顶面；形成第二介电层于第一介电层上，其中第二介电层具有暴露通道顶面的开口；形成阻挡层于通道顶面上；形成第二阻障层于第二介电层上；去除阻挡层以暴露通道顶面以及形成导电特征于开口中，其中导电特征接触通道顶面。
形成互连结构方法

[实用新型]一种具有高功率密度的波浪能收集装置-CN202321106895.8有效
发明人：王中林;段钰雪;徐鸿轩;蒋涛 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：多个板二均分别与多个板一交叉连接，以在多个板二、多个板一之间形成多个介电通道。多个电极对分别设置在多个介电通道内，每个电极对包括金属电极一、金属电极二且金属电极一、金属电极二间隔设置在对应的所述介电通道内壁上。多个滚动件分别设置在多个所述介电通道内；滚动件包括若干个可在所述介电通道内滚动的介电小球，所述介电小球在所述介电通道内滚动时与所述金属电极一、金属电极二摩擦发电。
一种具有功率密度波浪收集装置

[发明专利]晶体管结构及晶体管结构的制造方法-CN202210624636.8在审
发明人：卢超群;郭明宏;陆君南 -专利权人：发明与合作实验室有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：此晶体管结构包括栅极导电区、栅极介电区、通道区和漏极区。栅极导电区位于基材的初始表面之下。栅极介电区围绕栅极导电区。通道区围绕栅极介电区。漏极区与栅极导电区在水平方向彼此隔离，其中漏极区包括重掺杂区。其中，栅极介电区包括第一介电部分和第二介电部分，第一介电部分位于栅极导电区与重掺杂区之间，第二介电部分位于栅极导电区与通道区之间。其中，第一介电部分的水平厚度大于第二介电部分的水平厚度。
晶体管结构制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202010241453.9在审
发明人：江国诚;林志昌;陈仕承;王志豪;王培勋;张罗衡;张荣宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：依据本发明实施例的半导体装置包含第一源极/漏极部件、第二源极/漏极部件、位于第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间的第一半导体通道元件和第二半导体通道元件，以及第一介电部件和第二介电部件的每一者包含第一介电层和不同于第一介电层的第二介电层第一介电部件和第二介电部件夹设于第一半导体通道元件与第二半导体通道元件之间。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]封装基板-CN202010432794.4有效
发明人：余俊贤;蔡宪铭 -专利权人：恒劲科技股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装基板，其包括：一第一介电材料层，其组成材料为一第一铸模化合物，且一第一导电线路及一第一导电通道设于该第一介电材料层内；一第二介电材料层，其组成材料为一第二铸模化合物，且一第二导电线路及一第二导电通道设于该第二介电材料层内；一第三介电材料层，其组成材料为一第三铸模化合物，且一第三导电线路及一第三导电通道设于该第三介电材料层内；一第四介电材料层，其组成材料为一第四铸模化合物，且一第四导电线路、一第四导电通道及至少一电路元件设于该第四介电材料层内；其中，该第一介电材料层、该第二介电材料层、该第三介电材料层及该第四介电材料层上设有彼此上下重叠的镂空区。
封装

[发明专利]半导体装置-CN202110377536.5在审
发明人：陈仕承;江国诚;林志昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括有源区、多个通道部件的垂直堆叠、栅极结构、底部介电结构、源极/漏极结构和锗层，有源区包括通道区以及与通道区相邻的源极/漏极区。多个通道部件的垂直堆叠位于通道区上。栅极结构位于通道部件的垂直堆叠周围与之上。底部介电结构位于源极/漏极区上。源极/漏极结构位于底部介电结构上。锗层位于底部介电结构与源极/漏极区之间。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110940461.7在审
发明人：廖廷丰;陈晟弘;刘光文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：半导体结构包括通道柱、形成于通道柱上的介电层、形成于介电层中且电性连接于通道柱的通孔元件、以及形成于介电层与通孔元件之间的间隔元件。
半导体结构及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top