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[发明专利]一种通用掩模版盒-CN201811041483.4在审
发明人：朱希进;尤春;刘维维;季书凤;杨长华;薛文卿;张月圆;刘浩;陈青;刘孝君 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用掩模版盒，包括掩模版盒上合盖，掩模版盒上合盖一侧设有掩模版存放盒，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒之间通过两个软铰链连接，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒上均设有5009掩模版限板，5009掩模版限板分别设置于掩模版盒上合盖和掩模版存放盒的四边中心位置，每个设有两个限位杆，上的限位板之间设有5009掩模版限位槽，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒四周均设有6025掩模版限位板，5009掩模版限板内侧设有互为直角的倾斜面
掩模版掩模版盒合盖存放盒限板通用掩模版限位板四边中心位置绿色环保防尘防水雾倾斜面软铰链限位槽限位杆加工

[实用新型]一种通用掩模版盒-CN201821461009.2有效
发明人：朱希进;尤春;刘维维;季书凤;杨长华;薛文卿;张月圆;刘浩;陈青;刘孝君 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通用掩模版盒，包括掩模版盒上合盖，掩模版盒上合盖一侧设有掩模版存放盒，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒之间通过两个软铰链连接，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒上均设有5009掩模版限板，5009掩模版限板分别设置于掩模版盒上合盖和掩模版存放盒的四边中心位置，每个设有两个限位杆，上的限位板之间设有5009掩模版限位槽，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒四周均设有6025掩模版限位板，5009掩模版限板内侧设有互为直角的倾斜面
掩模版掩模版盒合盖存放盒本实用新型限板通用掩模版限位板四边中心位置绿色环保防尘防水雾倾斜面软铰链限位槽限位杆加工

[发明专利]淀积掩模框架组件及其制造方法、有机电致发光器制造方法-CN200310124813.3有效
发明人：重村莘治 -专利权人：三星日本电气移动显示株式会社
申请日： 2003-11-22 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：涉及一种淀积掩模框架组件，这种淀积掩模框架组件的制造方法，以及利用淀积掩模框架组件制造有机电致发光器件的方法。所述淀积掩模框架组件包括一掩模、一框架和一掩模上盖，掩模具有在其上形成孔的预定图形的薄板，框架支撑掩模的一侧表面使掩模张紧，掩模上盖支撑着掩模相反的一侧表面，并且上盖的形状相应于框架。
淀积掩模框架组件及其制造方法有机电致发光

[发明专利]光掩模版及其制作方法、图形化的方法-CN200710094458.8无效
发明人：肖德元;隋建国;刘永 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种光掩模版制作方法，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。本发明还提供一种光掩模版和图形化的方法。本发明将掩模版半导体器件图案和掩模版对准标记图案做在同一光掩模版上，在晶圆半导体器件区域将光掩模版上掩模版半导体器件图案与之对准并曝光，在晶圆对准标记区域将光掩模版上的掩模版对准标记图案与之对准并曝光。简化了光刻步骤，节省了工艺时间及光掩模版材料。
模版及其制作方法图形方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202211226835.X在审
发明人：朴珍荣;洪定杓;金亮阧;金容焕;朴相郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法可以包括：设置衬底，层形成在衬底上；在层上形成下硬掩模层，下硬掩模层包括硅；在下硬掩模层上形成上硬掩模图案，上硬掩模图案包括氧化物；通过使用上硬掩模图案作为蚀刻掩模并且使用包括基于金属氯化物的第一气体和基于氮化物的第二气体的蚀刻气体蚀刻下硬掩模层，形成下硬掩模图案；以及通过使用下硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻材料层，在层中形成多个接触孔。
形成半导体器件方法

[发明专利]曝光方法和曝光装置-CN02154533.2无效
发明人：平柳德行 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2002-12-06 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能容易地进行掩模交换和温度管理的曝光方法和曝光装置。在真空初缩掩模版库64上设有用于承载放置被搬运的初缩掩模版的多级初缩掩模版台68。在该初缩掩模版台68内形成液道68a。通过使温度调节用的水流过初缩掩模版台68的液道68a，可以对初缩掩模版台上的初缩掩模版进行温度调节。另一方面，在大气初缩掩模版库66上设有多级初缩掩模版台69。初缩掩模版容器67分别放置在各初缩掩模版台69上。在初缩掩模版容器67和各初缩掩模版上贴有条形码70。当搬运初缩掩模版时，通过读取贴在初缩掩模版上的条形码70，可以对所搬运的初缩掩模版进行确认。
曝光方法装置

[发明专利]使用双波纹技术制造半导体器件的方法-CN03107534.7无效
发明人：南部英高 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在基片上顺序地形成无机层间膜、有机层间膜、由氧化硅构成的下掩模和由氮化硅构成的上掩模。在所述上掩模上形成开口。然后，在所述上掩模上形成由氮氧化硅构成的覆盖掩模，并使其具有20纳米至100纳米的膜厚度。此后，在其上形成防反射涂膜和抗蚀剂膜。随后，使用抗蚀剂膜作为掩模，对所述防反射涂膜、所述覆盖掩模和所述下掩模进行蚀刻。之后，使用覆盖掩模作为掩模，对有机层间膜和无机层间膜进行蚀刻以形成通路孔。同时，除去所述覆盖掩模，使所述上掩模暴露出来。此后，使用所述上掩模作为掩模，对所述无机层间膜进行蚀刻以形成互连沟道。
使用波纹技术制造半导体器件方法

[发明专利]半导体结构形成的方法-CN200710002191.5有效
发明人：刘弘仁;谢维贤;叶章和 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体结构形成的方法，包括：提供一基板；形成一第一下掩模层于基板上；形成一第一图案化掩模于第一下掩模层上，以界定一第三图案化掩模的一部分；形成一第二下掩模层于第一下掩模层上方且覆盖第一图案化掩模；形成一第二图案化掩模于第二下掩模层上，且第二图案化掩模与第一图案化掩模无重叠，以界定第三图案化掩模的另一部分；以第一图案化掩模及第二图案化掩模为掩模下切蚀刻第一下掩模层与第二下掩模层，以形成第三图案化掩模；以第三图案化掩模为掩模蚀刻基板，以形成多个岛；以及移除第三图案化掩模。
半导体结构形成方法

[发明专利]掩模、掩模容器以及掩模上累积的静电荷的放电方法-CN201811365845.5有效
发明人：张晓伦;郭爵旗;李宗彦;傅中其;陈立锐;郑博中;许哲彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G03F1/40 文献下载
摘要：本公开提供一种提供了掩模、掩模容器和掩模上累积的静电荷的放电方法。掩模包括遮罩基板、反射多层结构、覆盖层、吸收结构和导电材料结构。遮罩基板具有前侧表面和后侧表面。
掩模容器以及掩模上累积静电荷放电方法

[发明专利]使用蚀刻掩模堆叠的多掩模处理-CN200680023375.3有效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：提供一种用于在基片上的蚀刻层中形成蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成蚀刻掩模堆叠。在该蚀刻掩模堆叠上形成第一掩模。在该第一掩模上形成侧壁层，其减小由该第一掩模限定的间距的宽度。穿过该侧壁层将第一特征组蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。去除该掩模和该侧壁层。执行额外的特征步骤，包括在该蚀刻掩模堆叠上形成额外掩模，在该额外掩模上形成侧壁层，将第二特征组至少部分蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。穿过该蚀刻掩模堆叠中的第一特征组和第二特征组将多个特征蚀刻入该蚀刻层。
使用蚀刻堆叠多掩模处理

[发明专利]形成掩模结构的方法和使用其形成微小图形的方法-CN200610142919.X有效
发明人：李斗烈;赵汉九;李昔柱;吕起成;高次元;丁成坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。
形成结构方法使用微小图形

[发明专利]掩模支撑模板和其制造方法及掩模与框架连接体的制造方法-CN201911156878.3有效
发明人：李炳一;张泽龙 -专利权人： TGO科技株式会社
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K71/10 文献下载
摘要：本发明涉及掩模支撑模板和其制造方法及框架一体型掩模的制造方法。本发明涉及的掩模支撑模板的制造方法，该掩模支撑模板(50)用于支撑OLED像素形成用掩模(100)并将该掩模(100)对应至框架(200)上，该方法的特征在于包括：(a)在一面形成有临时粘合部(55)的模板(50)上粘合掩模金属膜(110)的步骤；(b)缩减在模板(50)上粘合的掩模金属膜(110)的掩模单元部(CG)的厚度的步骤；以及(c)通过在掩模单元部(CG)上形成掩模图案(P)来制造掩模(100)
支撑模板制造方法框架连接

[发明专利]一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法-CN201711220783.4有效
发明人：朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法，其特征在于，步骤包括：在SiC衬底上形成抗刻蚀掩模层；在抗刻蚀掩模层上形成形貌控制掩模层；腐蚀形貌控制掩模层，包括：在形貌控制掩模层上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，形成形貌控制掩模层的腐蚀窗口，利用腐蚀窗口对形貌控制掩模层进行腐蚀，以及在形貌控制掩模层上涂覆第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行光刻，在形貌控制掩模层上形成刻蚀窗口，利用刻蚀窗口对形貌控制掩模层进行侧蚀，在光刻胶层与抗刻蚀掩模层之间形成刻蚀间隙；腐蚀抗刻蚀掩模层，在抗刻蚀掩模层上形成缓坡角度；以及刻蚀衬底，形成具有缓坡角度的衬底。
一种角度可控 sic 衬底缓坡刻蚀方法

[实用新型]掩模网及掩模组件-CN201820709638.6有效
发明人：王国兵;苏倩;王梦凡;叶訢;康梦华 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种掩模组件。一种掩模组件，包括：框架、掩模网、以及掩模板，所述掩模网与所述掩模板堆叠设置，所述框架用于固定所述掩模网和所述掩模板；其中，所述掩模板上设置有至少一个面板蒸镀区；所述掩模网是平面网，所述掩模网开设有至少一个异形形状的第一开口；在所述掩模网与所述掩模板叠放在一起时，所述第一开口与所述面板蒸镀区正对，且所述第一开口在所述掩模板上的投影落入该面板蒸镀区内。本实用新型还涉及一种应用于掩模组件中的掩模网。上述掩模网及掩模组件，避免将掩模板的面板蒸镀区设置为与异形显示面板相符合的形状，便可以使得掩模板在张网过程中，掩模板上各处的应力比较均匀，显示面板的质量较好。
掩模板掩模掩模组件蒸镀本实用新型开口堆叠设置显示面板异形显示异形形状平面网张网正对投影应用

[发明专利]利用氟化氩曝光光源制造半导体器件的方法-CN200310123524.1无效
发明人：李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：于一半导体基板上形成一导电层；依序在该导电层上形成一第一硬掩模层、一第二硬掩模层及一第三硬掩模层；利用氟化氩曝光光源于该第三硬掩模层上形成一光刻胶图案，以便形成一预定的图案；使用该光刻胶图案作为蚀刻掩模对该第三硬掩模层进行蚀刻，形成一第一硬掩模图案；使用该第一硬掩模图案作为蚀刻掩模对该第二硬掩模层进行蚀刻，形成一第二硬掩模图案；移除该第一硬掩模图案；以及使用该第二硬掩模图案作为蚀刻掩模对该第一硬掩模层和导电层进行蚀刻，并形成一具有该导电层以及该第二和第一硬掩模图案的叠层硬掩模图案，借此从该叠层硬掩模图案上移除尖顶形图案。
利用氟化曝光光源制造半导体器件方法

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