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- [发明专利]水上人工结构设施施工建设技术-CN201410136996.9有效
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苏汉明
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广东海上城建控股发展有限公司
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2014-04-04
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2019-01-15
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B63B9/00
- 本发明涉及一种水上、尤其海洋人工结构设施的施工建造方法，包括：a.将预制的预应力混凝土水上、尤其海洋固定平台运输到海上预定位置，固定平台包括上部结构平台以及多个浮力筒，上部结构平台由浮移工装承载能够在水上按需浮移，且在浮移工装与上部结构平台之间设有多个能够升降的支架工装；b.在浮移工装上浮的状态下，将预制的预应力混凝土固定平台靠向已经事先在海底固定的一个预应力混凝土固定平台；c.浮移工装下沉，以使预应力混凝土固定平台的浮力筒坐沉于海底；d.将这两个固定平台的上部结构平台调平；e.调平后，浮移工装从预应力混凝土固定平台撤出。本发明还涉及由上述方法施工建设而成的水上、尤其海洋人工结构设施。
- 水上人工结构设施施工建设技术
- [发明专利]硅压力芯片结构设计及工艺-CN201410111931.9有效
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张鹏;吴宽洪;张涛;熊建功
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慧石（上海）测控科技有限公司
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2014-03-25
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2014-07-16
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G01L9/06
- 本发明公开了一种采用多层硅结构制作压力芯片的结构设计及工艺。它包括：（1）采用硅-绝缘层-硅-绝缘层-硅的多层（三层）硅结构制作压力芯片。在第一层硅上设置全桥压阻元件、连接点和硅密封条；在压阻元件和连接点的周围形成沟槽；在多层（三层）硅结构的第三层硅内形成带有岛型结构空腔；（2）选择另一片常规SOI片做为密封结构，在其第一层硅上设置硅密封条和硅连接柱；（3）采用硅-硅健合技术将多层（三层）硅结构和常规SOI片健合形成多层（五层）硅结构；（4）减薄常规SOI片的第二层硅；采用等离子干法刻蚀在常规SOI片的第二层硅上开通孔；（5）在常规SOI片的第二层硅的表面和通孔内壁上淀积绝缘层
- 压力芯片结构设计工艺
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