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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硼氮共掺杂二氧化钛载钯催化剂及其制备方法和应用-CN202011044622.6在审
发明人：何丽敏;王仰东;畅延青;贾银娟;高焕新 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼氮共掺杂二氧化钛载钯催化剂及其制备方法和应用。该催化剂包括活性组分钯以及硼、氮共掺杂二氧化钛载体，具有纤维状结构。本发明采用硼、氮共同处理二氧化钛，并在氮气/氢气或氨气/氢气混合气氛下焙烧得到硼、氮共掺杂二氧化钛载体；再负载钯金属即得硼氮共掺杂二氧化钛载钯催化剂。本发明的硼氮共掺杂二氧化钛载钯催化剂的制备方法简单、易操作且具有较好的催化加氢性能。本发明所述的钯催化剂用于粗对苯二甲酸加氢精制反应中，其活性和稳定性均有较大提升。
硼氮共掺杂氧化钛载钯催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种苝类硼氮掺杂稠环芳香烃及合成方法和应用-CN202310161554.9在审
发明人：刘旭光;李元浩 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种苝类硼氮掺杂稠环芳香烃，所述硼氮掺杂稠环芳香烃的结构通式如下：本发明为硼氮掺杂稠环芳香烃，硼氮单元的引入有效改善了苝分子内的且此类硼氮杂苝类衍生物材料均有很短的激发态寿命，即τ在0.5左右。本发明阐述的这些性质都有利于此类硼氮杂苝类衍生物用于发光材料。
一种苝类硼氮掺杂芳香烃合成方法应用

[发明专利]一种以生物质为碳源制备硼氮共掺杂石墨化纳米碳的方法-CN201310293898.1有效
发明人：付宏刚;王蕾;赵璐;穆光;尹婕;赵冬冬;于鹏 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种以生物质为碳源制备硼氮共掺杂石墨化纳米碳的方法，本发明涉及本发明涉及硼氮共掺杂石墨化纳米碳的合成方法。本发明要解决现有硼氮共掺杂石墨化纳米碳的制备工艺复杂、反应条件苛刻、硼和氮含量低、产量低、成本高，从而难以实现工业化生产的问题。方法：一、预处理；二、制备前驱体；三、碳化处理；四、酸处理。本发明采用自然界中丰富的生物质为碳源，制备工艺简单，降低了材料的合成成本；通过改变原料的物料比，可以对最终产品中氮、硼的含量以及石墨化程度进行调控，满足不同领域的需要；生物质的成分均匀，使功能化离子可以很好地分散在生物质中本发明用于制备碳源制备硼氮共掺杂石墨化纳米碳。
一种生物碳源制备硼氮共掺杂石墨纳米方法

[发明专利]硅－硼－氮陶瓷纤维先驱体的制备方法-CN200710170513.7无效
发明人：余木火;毕红艳;李书同;谢伟炜;韩克清;赵曦;曹义苗 -专利权人：东华大学
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅－硼－氮陶瓷纤维先驱体的制备方法。通过三氯化硼与氯化铵高温反应合成出三氯环硼氮烷晶体，产物与含有胺基或亚胺基的脂肪族烷基胺在低温下反应，再升至室温反应得到硼代烷基环硼氮烷(a)。用四氯化硅与六甲基硅氮烷室温下反应后再与三氯化硼反应得到Cl₃Si－N－BCl₂(TADB)，TADB再与与含有胺基或亚胺基的脂肪族烷基胺在低温下反应，再升至室温反应得到产物该先驱体具有良好的可纺性，并且裂解产物中含有极少的碳元素，可使最终的硅－硼－氮纤维具有良好的透波性。
陶瓷纤维先驱制备方法

[发明专利]一种含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料的制备方法-CN201810738515.X有效
发明人：刘勇;刘涛;王华青;刘泽新;纪宝明 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料的制备方法，包括：在透波陶瓷纤维预制件的表面，以硅烷，三氯化硼和氨气为前驱体，氢气为载气，氩气为稀释气体，进行化学气相沉积，得到具有非晶SiBNC涂层的纤维预制件；进行热处理，得到具有SiBN透波涂层的纤维预制件；置于环硼氮烷前驱体浆料中进行压力浸渍，然后裂解，得到含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料。本发明制备的含硅硼氮界面的透波陶瓷基复合材料弯曲强度和断裂韧性高，介电性能优良，表面的硅硼氮涂层连续性和均匀性较好，不易脱落。
一种含硅硼氮界面陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210190200.9有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成一硼氮缓冲层，以覆盖所述栅极结构；紫外线处理所述硼氮缓冲层，以驱除所述硼氮缓冲层中的氢元素；在所述半导体衬底上形成一应力材料层，以覆盖所述硼氮缓冲层；实施一退火过程；去除所述应力材料层和所述硼氮缓冲层。根据本发明，在实施应力记忆技术的过程中，可以在实施所述退火过程之前不去除覆盖于PMOS部分的应力材料层的同时避免由所述应力材料层中的氢原子导致产生的硼扩散现象的发生，从而避免了PMOS的性能下降。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种硼氮共掺杂还原氧化石墨烯气凝胶及其制备方法和应用-CN202110262961.X有效
发明人：朱青;靳顺茹;陈晓露;杨丽;李鑫;史连军;张红 -专利权人：瓮福（集团）有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B01J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼氮共掺杂还原氧化石墨烯气凝胶的制备方法，将氧化石墨烯分散在水中制得氧化石墨烯分散液，然后向氧化石墨烯分散液中加入氨硼烷，进行水热反应，得到硼氮共掺杂还原氧化石墨烯水凝胶，经过洗涤、冷冻干燥后，得到硼氮共掺杂还原氧化石墨烯气凝胶。本发明还公开了上述制得的硼氮共掺杂还原氧化石墨烯气凝胶在汞离子检测中的应用。本发明制得的硼氮共掺杂还原氧化石墨烯气凝胶与核酸适配体、荧光基团共同构建的传感方法，对汞离子的检测具有高灵敏度、高选择性，可以用于水体中微量汞离子的定量检测。
一种硼氮共掺杂还原氧化石墨凝胶及其制备方法应用

[发明专利]一种硼碳氮薄膜的制备方法-CN202110276691.8在审
发明人：吕燕飞;蔡庆锋;彭雪;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼碳氮薄膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼源，甲烷作为碳源，氢气和氩气混合气体为载气，铜或镍金属薄膜作为生长基底，通过CVD法在基底表面生长单分子层厚BCN薄膜，甲烷与氨硼烷蒸气的流量比调控膜中碳含量本发明使用的源，碳源甲烷相对于其他烷类气体，含碳量低，是制备石墨烯的首选含碳起源，氮、硼源氨硼烷常用于制备h‑BN单分子层的氮、硼源。生长基底铜、镍是生长石墨烯、h‑BN单分子层常用基底。
一种硼碳氮薄膜制备方法

[发明专利]一种多孔氮硼共掺杂的碳基氧还原催化剂及其制备方法和应用-CN202011058638.2有效
发明人：韩建涛;魏鹏;方淳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明属于电催化和能源材料技术领域，具体涉及一种多孔氮硼共掺杂的碳基氧还原催化剂及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：1)获取混合原料，所述原料包括含氮的碳前驱体和四苯硼钠；2)对步骤1)得到的所述原料进行固相合成，得到粗产物；3)将步骤2)得到的所述粗产物进行清洗，得到多孔氮硼共掺的碳基氧还原催化剂上述技术方案采用四苯硼钠作为原料，四苯硼钠既作为硼源前驱体又能作为孔形成剂，使用的简单的固相合成方法，即可以得到具有多孔结构的氮硼共掺杂材料。
一种多孔氮硼共掺杂碳基氧还原催化剂及其制备方法应用

[发明专利]硼皮氮芯纳米聚晶材料、其制备方法及超硬刀具-CN201910029670.9有效
发明人：王培;赵予生;邹永涛;王善民;王李平 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供一种硼皮氮芯纳米聚晶材料、其制备方法及超硬刀具。硼皮氮芯纳米聚晶材料，包括内核、晶界层和外壳，内核包括氮掺杂的聚晶金刚石，晶界层包括B－C－N固溶体，外壳包括B－C合金。硼皮氮芯纳米聚晶材料的制备方法，包括如下步骤：将氮掺杂的碳粉体或/和氮掺杂的的金刚石粉体通过湿混在超声条件下填充进入含硼碳纳米管内得到填充物，将填充物在真空的条件下处理，再预压成型得到坯体；将坯体烧结固溶强化得到硼皮氮芯纳米聚晶材料此硼皮氮芯纳米聚晶材料能够解决现有技术中氮化硼硬度不高、和金刚石磨削石墨化的技术问题，达到热稳定性提高，化学惰性和耐磨损性能增强的效果，其硬度高于金刚石，能够用来制备超硬刀具。
硼皮氮芯纳米材料制备方法刀具

[发明专利]一种苯并三氮唑硼氮衍生物小分子材料及其在有机电子器件的应用-CN202110810617.X在审
发明人：胡光;王子鸣;赵洁仪;陈宇;刘佳浩;梁元基;张开龙;胡伟伟;孔亚州 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯并三氮唑硼氮衍生物小分子材料及其在有机电子器件的应用，该化合物是以带烷基链的苯并三氮唑作为中心核的n‑型非富勒烯受体材料；一种有机电子器件，包含至少一种如上所述的化合物。一种苯并三氮唑硼氮衍生物，具有吸收波长位于长波长的红外吸收，其吸收光谱表现为具有宽的吸收范围，且具有高光电转化效率；此类苯并三氮唑硼氮衍生物制备得到的有机太阳能电池元件具有高的光电转化效率、及长的器件寿命；硼与氮具有相反的共振效应，相应的硼‑氮稠环化合物可提高分子三重态能级，但不影响其堆积成膜，降低复合损失，有效提高电池效率。
一种三氮唑硼氮衍生物分子材料及其有机电子器件应用

[发明专利]一种铝硼铬氮铁合金及其制备方法和应用-CN202210465915.4有效
发明人：吴光亮;吴昊天;肖业明 -专利权人：长沙东鑫环保材料有限责任公司;中南大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝硼铬氮铁合金及其制备方法和应用，所述铝硼铬氮铁合金，以铬、铝为基，硼、铁、氮元素作为辅助元素的氮化产品，它们组成5元氮化物相体系，是在铬‑铝‑氮三元相图基础上，通过添加硼、铁等元素，形成Gr‑Al‑N‑B‑Fe组成的5元相图，可用于高强度级别氮合金化钢的生产，其组织为铁素体+珠光体+贝氏体的多相组织，如Rel≥700Mpa强度级别的钢材，本发明所提供的铝硼铬氮铁合金，熔点在1480‑1520℃之间，正好处于高强钢的凝固点附近，密度在4.5‑5.6t/m3之间，作为炼钢冶炼增氮剂，氮在钢中吸收率超过78％，钢中氮控制命中率可达100％，节约钢铁生产成本
一种铝硼铬氮铁合金及其制备方法应用

[发明专利]一种二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法-CN201911047283.4有效
发明人：杨金山;闫静怡;董绍明;张翔宇;高乐 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01B35/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法，所述二维硼碳氮纳米材料的片状直径为1～50μm，层数为1～10层；所述二维纳米硼碳氮半导体材料的制备方法包括：（1）将硼源、固体碳源和纳米氧化铁催化剂加入溶剂中并混合得到混合浆料；所述硼源选自固体硼源或/和液体硼源，优选为无定形硼粉、硼酸三甲酯、硼砂中的至少一种；所述固体碳源选自石墨、石墨烯、活性炭中的至少一种；（2）将所得混合浆料涂敷在衬底表面并烘干，置于压力2～40atm的氮气气氛中、在800～1400℃下热处理0.5～20小时，得到所述二维纳米硼碳氮半导体材料。
一种二维纳米硼碳氮半导体材料制备方法

[发明专利]一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法-CN202011247446.6在审
发明人：赫文秀;韩晓星;兰大为;张永强;孙雪姣;崔金龙 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜及其制备方法，属于透明导电薄膜材料领域。提供的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜的制备方法包括在CVD法制备石墨烯薄膜时第一次掺杂适量氮硼和在将氮、硼共掺杂石墨烯引入目标基体时的第二次掺杂过程，两次掺杂工艺简单，掺杂剂掺杂稳定，使得制备得到的氮、硼共掺杂石墨烯复合薄膜不仅具有较小的厚度
一种掺杂石墨复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种低氮低硼低磷低碳锰铁的生产方法-CN202111615852.8有效
发明人：韩永光;王洪涛;薛金柱;管洪璞;刘冰;郑海东;王永胜;李晓峰 -专利权人：吉铁铁合金有限责任公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氮低硼低磷低碳锰铁的生产方法，其包括如下步骤：(1)按原料比例配料；(2)各原料加入精炼电炉；(3)冶炼；(4)合金出炉制得低氮低硼低磷低碳锰铁成品。通过本发明生产方法可控制低碳锰铁中氮、硼、磷有害元素的含量，生产的低碳锰铁中氮的质量百分含量小于0.015％；硼的质量百分含量小于0.008％；磷的质量百分含量小于0.1％，本发明生产的低氮低硼低磷低碳锰铁产品可提高钢材性能
一种低氮低硼低磷低碳锰铁生产方法

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