专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种废气治理技术综合实训装置-CN202122865668.0有效
  • 汪小芳;何蕊 - 昆山清旭环境科技有限公司
  • 2021-11-22 - 2022-04-26 - G09B9/00
  • 本实用新型公开了一种废气治理技术综合实训装置,包括废气发生系统、除尘工艺系统、脱硫工艺系统、脱硝工艺系统、UV光解工艺系统和尾气吸收工艺系统,所述废气发生系统安装在装置的端部,且除尘工艺系统连接在废气发生系统上,所述脱硫工艺系统通过管道连接在除尘工艺系统的一侧,所述脱硫工艺系统的一侧连接有清水清洗单元和碱液反应单元,所述脱硝工艺系统安装在脱硫工艺系统的一侧,所述UV光解工艺系统和尾气吸收工艺系统依次连接在脱硝工艺系统的一侧;本实用新型为工程与教学相结合的实验操作平台,在使用时实现工艺处理的可视化、可操作化、以及可研究化的作用,从而满足工程实训操作和教学一体化的目标。
  • 一种废气治理技术综合装置
  • [实用新型]半导体工艺设备-CN202220241848.3有效
  • 杨钦淞;郭雪娇 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-01-28 - 2022-07-19 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种半导体工艺设备,其包括工艺腔室、腔室加热组件、冷却管路、工艺气体输入通道和气体加热装置,其中:腔室加热组件设置于工艺腔室的外部;冷却管路设置于工艺腔室的外部,以对腔室加热组件进行冷却;工艺气体输入通道与工艺腔室连通;气体加热装置与冷却管路的出口端连通,工艺气体输入通道设置于气体加热装置中,冷却管路用于将通入的流体介质与腔室加热组件进行热交换后,流体介质进入气体加热装置内,流体介质对工艺气体输入通道中的工艺气体进行加热上述方案可以解决工艺腔室内的高温料源遇到温度较低的工艺气体时容易发生凝结而附着在工艺腔室的内壁上,从而会影响工艺腔室内的工艺环境的问题。
  • 半导体工艺设备
  • [发明专利]涂胶显影机的工艺模块结构及布局方法-CN201310529037.9在审
  • 胡延兵;魏猛;王阳;卢继奎 - 沈阳芯源微电子设备有限公司
  • 2013-10-30 - 2015-05-06 - G03F7/26
  • 本发明涉及在集成电路生产时与光刻机联线作业的涂胶显影机,具体地说是一种涂胶显影机的工艺模块结构及布局方法。包括离心处理工艺模块和热处理工艺模块,多个所述离心处理工艺模块堆砌成叠层的离心处理工艺组,多个所述热处理工艺模块堆砌成叠层的热处理工艺组,所述热处理工艺模块结构上具有双通道。涂胶站和显影站内均设有离心处理工艺组和热处理工艺组,多个所述离心处理工艺组横向平行排列,多个所述热处理工艺组纵向平行排列,涂胶站和显影站内的工艺组呈反C型布局排列,反C型布局的中心放置晶圆传送机器人。本发明工艺模块的排布合理,机台结构紧凑占地面积小,内部工艺模块具有互换性,扩展了本机的工艺适应性。
  • 涂胶显影工艺模块结构布局方法
  • [发明专利]一种工艺腔室漏率检测方法、半导体工艺设备-CN202011273465.6在审
  • 方林 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-11-13 - 2021-03-12 - G01M3/00
  • 本申请实施例提供了工艺腔室漏率检测方法、半导体工艺设备,该方法包括:实时确定工艺腔室是否满足漏率检测条件,若是,将工艺腔室的漏率检测指示参数设置为指示需要进行漏率检测;实时监控工艺腔室的漏率检测指示参数,在监控到漏率检测指示参数指示需要进行漏率检测时,确定是否存在工艺腔室的并行工艺腔室;若是,在工艺腔室不存在晶圆时或者工艺腔室中的晶圆由于针对晶圆的工艺操作完成离开工艺腔室后,将工艺腔室的状态标识为下线状态;对所述工艺腔室执行漏率检测操作,得到检测结果,并将工艺腔室的漏率检测指示参数设置为指示不需要进行漏率检测。实现了针对工艺腔室进行漏率检测时,无需将整个半导体工艺设备停机,避免了产能下降。
  • 一种工艺腔室漏率检测方法半导体工艺设备
  • [发明专利]刻蚀方法-CN201510367411.9有效
  • 金一诺;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2015-06-29 - 2020-12-08 - H01L21/311
  • 本发明揭示了一种刻蚀方法,使用刻蚀气体对晶圆的阻挡层和/或掩膜层进行刻蚀,包括:提供第一工艺腔和第二工艺腔,第一工艺腔与第二工艺腔具有不同的工艺条件;在第一工艺腔内对阻挡层进行第一道刻蚀工艺并产生第一标记产物,监测第一标记产物在第一工艺腔内的浓度;第一标记产物在第一工艺腔内的浓度达到第一终点值时,第一道刻蚀工艺结束,并将晶圆转移至第二工艺腔;在第二工艺腔内对阻挡层或掩膜层进行第二道刻蚀工艺并产生第二标记产物,监测第二标记产物在第二工艺腔内的浓度;第二标记产物在第二工艺腔内的浓度达到第二终点值时,第二道刻蚀工艺结束。
  • 刻蚀方法
  • [发明专利]一种三维机加工艺的生成系统-CN201611053579.3有效
  • 郭长坡;王西雁;夏慧 - 北京动力机械研究所
  • 2016-11-24 - 2019-08-06 - G05B19/4097
  • 本发明公开了一种三维机加工艺的生成系统,包括设计工艺协同模块、工艺编制模块和三维机加工艺车间应用模块,其中,设计工艺协同模块用于实现基于MBD的三维结构设计模型,实现数据共享、数据分发及在统一数据源上实现机加工序模型的创建;工艺编制模块用于实现机加工艺、工序、工步等工艺要素的结构化及自动汇总生成二维的工艺规程文件;三维机加工艺车间应用模块用于展示所述机加工艺的三维工艺结构和二维工艺规程文件。本发明具有如下优点:实现了设计部门和工艺编制部门的协同,使得工艺编制能够从设计处获得准确而唯一的数据源,形成结构化的数据后,为设计数据及工艺数据的检索、追溯和提取提供了极强的便利性。
  • 一种三维工艺生成系统
  • [发明专利]温控装置及半导体加工设备-CN201911346039.8有效
  • 姬丹丹;杜飞龙 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2019-12-24 - 2022-08-16 - H01L21/67
  • 本发明提供一种温控装置及半导体加工设备,温控装置包括冷却组件、测温元件和调控组件;冷却组件的进液口与工艺槽的出液口连接,出液口与调控组件的第一入口连接,用于将工艺槽的出液口输出的部分工艺液体进行冷却,并将冷却后的工艺液体输出到调控组件的第一入口;测温元件设置在工艺槽内,用于测量工艺槽内的工艺液体的实时温度;调控组件的第二入口与工艺槽的出液口连接,出口与工艺槽的回液口连接,用于根据测温元件测得的实时温度,调节经过第一入口和第二入口回流到工艺槽的工艺液体的流量本发明提供的温控装置及半导体加工设备能够实时并快速地控制工艺槽中工艺液体的温度,从而提高工艺槽中工艺液体温度控制的效率,提高工艺效果。
  • 温控装置半导体加工设备
  • [发明专利]一种工业机器人工艺参数收集和应用的方法-CN202011232699.6有效
  • 谢云斌;张永明 - 上海智殷自动化科技有限公司
  • 2020-11-06 - 2023-08-22 - B25J9/16
  • 本发明提供一种工业机器人工艺参数收集和应用的方法,在工业机器人本地控制器上定义一个工艺软件包模板,工艺包包含工业机器人末端执行器的速度信息、工件的属性信息和有经验的工艺人员调试合格的完备的工艺数据,该工艺包数据可以通过网络上传到云端工艺数据库,工艺数据库储存来自不同的工业机器人应用的工艺数据,不断增加数据的工艺数据库可以根据人工智能方法训练并推理产生新的工艺数据,由资深工艺工程师确认是否合格,工艺数据库也可以通过网络选择性地将某个或某几个工艺包下载到工业机器人本地控制器上,在产品更换规格型号时,可以直接应用本地的工艺包,特别地,如果用户更换工业机器人应用时,可以直接应用不同的工艺包。
  • 一种工业机器人工艺参数收集应用方法
  • [发明专利]一种泡生法蓝宝石晶体生长的工艺机器人系统-CN201410647025.0无效
  • 刘瑜;陈晓玲 - 刘瑜
  • 2014-11-17 - 2015-03-04 - C30B29/20
  • 涉及一种泡生法蓝宝石晶体生长的工艺机器人系统,设置工艺参数采集系统、工艺进程模拟系统、工艺可靠性分析系统及工艺参数改进系统。工艺参数采集系统是检测传感器的数据,形成反应晶体生长状态的工艺参数。工艺进程模拟系统设置晶体生长理论所形成的长晶核心算法,根据工艺参数采集系统获得的工艺参数再现晶体生长的状态。工艺可靠性分析系统是基于晶体生长的状态和工艺参数,判断整个工艺完成情况的系统。工艺参数改进系统则是基于工艺可靠性分析系统的结果,对工艺参数进行即时调整的程序。
  • 一种泡生法蓝宝石晶体生长工艺机器人系统
  • [实用新型]工艺腔双面镀膜PECVD装置-CN201220062262.7有效
  • 祁宏山;肖新民 - 常州天合光能有限公司
  • 2012-02-24 - 2012-10-17 - C23C16/44
  • 本实用新型公开了一种多工艺腔双面镀膜PECVD装置,用于对太阳能电池片表面进行镀膜处理,具有镀膜腔,所述镀膜腔至少包括连续排列的第一工艺腔、第二工艺腔以及尾端工艺腔,第一工艺腔和尾端工艺腔内分别设有镀膜方向相反的等离子发生器,第二工艺腔内近第一工艺腔一侧设有与第一工艺腔镀膜方向相同的等离子发生器,第二工艺腔内近尾端工艺腔一侧设有与尾端工艺腔镀膜方向相同的等离子发生器。本实用新型采用工艺腔模块化组合的方式,实现对太阳能电池片多层双面一次性连续沉积镀膜,避免了不同工艺之间的交叉污染,有利于镀膜技术的量产化作业,可根据制作工艺需要灵活增加或减少工艺腔的数量。
  • 工艺双面镀膜pecvd装置

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