专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]胎面图案-CN202080050233.6在审
  • W·Y·吉 - SRJ股份有限公司
  • 2020-07-07 - 2022-03-11 - B62D55/125
  • 一种用于车辆履带,诸如用于挖土设备的环形履带的胎面图案,包括多个块部。每个块部包括在基本上相反的方向上延伸的两个侧向牵引部分。两个侧向牵引部分纵向地对齐并且各自限定一对壁,壁限定多个台阶。
  • 图案
  • [发明专利]图案检查装置-CN202080091062.1在审
  • 孙伟;后藤泰范;山本琢磨;榊原慎 - 株式会社日立高新技术
  • 2020-01-10 - 2022-08-12 - H01L21/66
  • 根据基准波形(112)以及表示从背散射电子图像中提取出的沿第一方向的来自图案的背散射电子信号强度的BSE信号波形(211),生成表示取得相同的背散射电子信号强度的BSE信号波形的坐标与基准波形的坐标的差值与背散射电子信号强度之间的关系的差值波形,并基于差值波形来判定在图案的侧壁有无一次电子束未照射到的遮挡区域(203)。在此,基准波形表示在基准图案上扫描了一次电子束时的沿第一方向的来自基准图案的背散射电子信号强度,其中,基准图案是相对于图案的表面以及底面垂直地形成了侧壁的图案
  • 图案检查装置
  • [发明专利]图案化方法-CN202111229032.5在审
  • V·M·布兰卡;F·拉扎瑞诺 - IMEC 非营利协会
  • 2021-10-21 - 2022-07-19 - H01L21/033
  • 根据一个方面,提供了一种图案化方法,其包含:在下部图案记忆层上,形成第一上部阻挡的图案,然后形成上部图案记忆层,然后形成第二上部阻挡的图案;随后,使用光刻和蚀刻在上部图案记忆层中图案化上沟槽,并沿上沟槽的侧壁形成间隔线,以限定提供间隔的上沟槽,至少一个子集被相应的第一上部阻挡中断;通过将提供间隔的上沟槽蚀刻到下部图案记忆层中,在下部图案记忆层中形成第一下沟槽,第一下沟槽的至少一个子集被保留在由第一上部阻挡中的相应阻挡限定的位置处的下部图案记忆层部分中断;随后,形成辅助沟槽掩模堆叠体并使用光刻和蚀刻使其中的辅助沟槽图案化;和此后,对下部图案记忆层中的第二下沟槽进行图案化,图案化包括:使用图案化的辅助沟槽掩模堆叠体、间隔线和第二上部阻挡作为蚀刻掩模,第二下沟槽的至少一个子集被保留在由所述第二上部阻挡中的相应阻挡所限定的位置处的下部图案记忆层部分中断
  • 图案方法
  • [发明专利]图案拆解方法-CN202110600284.8在审
  • 杨闵丞;罗伟铨;郑永丰 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-12-16 - G03F1/36
  • 本发明公开一种图案拆解方法,包括以下步骤。提供目标图案,其中目标图案包括交替排列的多个第一图案与多个第二图案,且第二图案的宽度大于第一图案的宽度。将每个第二图案拆解成第三图案与第四图案,其中第三图案与第四图案具有重叠部分,且第三图案与第四图案重叠所形成的图案与第二图案相同。将多个第三图案与邻近于第四图案的第一图案指定为第一光掩模的多个第一光掩模图案。将多个第四图案与邻近于第三图案的第一图案指定为第二光掩模的多个第二光掩模图案
  • 图案拆解方法
  • [发明专利]图案化工艺-CN201310026986.5有效
  • 郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2013-01-24 - 2017-03-01 - H01L21/027
  • 一种图案化工艺。提供具有第一区域及第二区域的待图案化层。于待图案化层上形成掩模层。将掩模层图案化,以于第一区域中形成第一开孔以及于第二区域中形成第二开孔。于第一开孔的侧壁上形成经掺杂的多晶硅间隔体。以经掺杂的多晶硅间隔体及经图案化的掩模层为掩模,移除部分待图案化层,以于第一区域中形成第三开孔以及于第二区域中形成第四开孔。
  • 图案化工
  • [发明专利]图案化方法-CN200910005762.X有效
  • 施仁杰;叶孝蔚 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2009-02-06 - 2009-10-14 - G03F7/20
  • 本发明提供一种图案化方法,包括于基底上形成光致抗蚀剂图案,光致抗蚀剂图案于基底上包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中,于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层,其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口,以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺。
  • 图案方法

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