专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法-CN201911266693.8在审
  • 陈峰 - 陈峰
  • 2019-12-11 - 2021-06-11 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法,所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层,所述第一半导体层和第二半导体层以及各自按其晶格对称性旋转后在垂直方向上均具有不同的解离面本发明的半导体衬底具有特殊的晶格结构和力学结构,将半导体衬底设为复合型衬底结构,同样衬底厚度的条件下,可以减少半导体外延层施加的应力对半导体衬底产生的损害,从而减半导体衬底破碎的几率;同时可以减小工艺难度,增强半导体器件的可靠性。
  • 半导体衬底半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410425882.6有效
  • 蒋莉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-08-26 - 2018-09-07 - H01L21/304
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构;在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成凹槽;在所述凹槽内填充满半导体材料层,且半导体材料层高于所述半导体衬底,所述高于半导体衬底的半导体材料层呈分立结构;采用化学机械研磨的方法去除高于所述半导体衬底的半导体材料层,所述化学机械研磨包括粗研磨和精研磨,采用粗研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的上部分;采用精研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的下部分
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法-CN201210585600.X有效
  • 范春晖;王全 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2012-12-28 - 2017-06-23 - H01L29/78
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一带有绝缘埋层的半导体结构,包括支撑衬底、通过绝缘埋层与所述支撑衬底隔离的顶层半导体层,形成于所述顶层半导体层上的MOS晶体管结构,其特征在于,所述顶层半导体层和绝缘埋层之间还包括半导体缓冲层,且所述半导体缓冲层材料的禁带宽度大于所述顶层半导体层材料的禁带宽度。本发明还公开了带有绝缘埋层的半导体结构制备方法,将覆盖有绝缘埋层的第一半导体衬底和覆盖有半导体缓冲层的第二半导体衬底键合,并将第二半导体衬底减薄作为顶层半导体层,用于制备半导体器件结构。
  • 带有绝缘半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200680028008.2有效
  • 下井田良雄;林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 - 日产自动车株式会社
  • 2006-08-02 - 2008-07-30 - H01L29/267
  • 一种半导体装置,包括:第一导电类型的半导体基体;与所述半导体基体相接触的异质半导体区域;隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极;连接至所述异质半导体区域的源电极;以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域,在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201510761415.5有效
  • 鸟居克行 - 三垦电气株式会社
  • 2015-11-10 - 2020-08-07 - H01L29/739
  • 一种半导体装置。其为了解决如下问题:容性FP的电位分割效果较强,耗尽层容易到达n‑区域的端。特征在于,边缘区具有:半导体基体;作为与第1导电型相反的导电型的第2导电型的半导体区域,其以pn结合的方式配置在半导体基体内;以及导体层,在半导体区域上方和半导体区域外侧的区域上方并列配置有多个所述导体层,所述导体层与半导体区域以及半导体区域外侧的区域绝缘,半导体区域外侧的区域上方的所述导体层与半导体区域外侧的区域上表面之间的距离大于半导体区域上方的所述导体层与导体区域上表面之间的距离。半导体基体上方的导体层与半导体基体上表面之间的距离大于半导体区域上方的导体层与半导体区域上表面之间的距离。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410379586.7在审
  • 铃木拓马 - 株式会社东芝
  • 2014-08-04 - 2015-09-16 - H01L29/78
  • 本发明提供具有高的沟道移动度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备:第1导电型的第1半导体区域;第2导电型的第2半导体区域,设置在所述第1半导体区域之上;第1导电型的第3半导体区域,设置在所述第2半导体区域之上,该第3半导体区域的杂质浓度比所述第1半导体区域高;栅极绝缘膜,与所述第3半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第1半导体区域相接,该栅极绝缘膜含有氮,存在随着远离与所述第3半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第1半导体区域的接合部而所述氮的浓度变为低浓度的区域;以及栅极电极,隔着所述栅极绝缘膜而与所述第3半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第1半导体区域相接。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR 的方法-CN201410274243.4在审
  • 川岛毅士 - 佳能株式会社
  • 2014-06-19 - 2014-12-24 - H01S5/183
  • 一种半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR的方法。该半导体DBR包括第一多层结构、第二多层结构以及保护层。第一多层结构包括:多个第一半导体层,一个或更多个第二半导体层,每个第二半导体层都插入在多个第一半导体层中的对应一对第一半导体层之间;第二多层结构包括:多个第三半导体层,一个或更多个第二半导体层,每个第二半导体层都插入在多个第三半导体层中的对应一对第三半导体层之间第二半导体层具有比第一半导体层低的分解温度。第三半导体层具有比第二半导体层低的分解温度。
  • 半导体dbr发光器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN201510098219.4在审
  • 壱岐村岳人 - 株式会社东芝
  • 2015-03-05 - 2016-01-27 - H01L29/861
  • 本发明描述了例如二极管的半导体器件。所述半导体器件包括第一导电类型衬底层。第二导电类型第一半导体层位于第一导电类型衬底层中。第一导电类型第二半导体层位于所述第一半导体层中并且与所述衬底层分开。第二导电类型第三半导体层位于所述第二半导体层中。第一导电类型第四半导体层位于所述第三半导体层中。第一导电类型第五半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第二导电类型第六半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第一电极连接到所述第四半导体层。并且第二电极连接到所述第五半导体层和所述第六半导体层。
  • 半导体器件
  • [发明专利]一种半导体光源及其驱动电路-CN202110857072.8在审
  • 梁栋;张成 - 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
  • 2021-07-28 - 2021-11-02 - H01L33/36
  • 本发明实施例公开了一种半导体光源及其驱动电路,半导体光源包括有源层、第一半导体层、第二半导体层、第一电极、第二电极和第三电极;第一半导体层和第二半导体层分别位于有源层的相对两侧;第一电极与第一半导体层欧姆接触;第三电极与第二半导体层欧姆接触;第一电极与第二电极之间设置有第一电介质层;其中,第一半导体层为P型半导体层,第二半导体层为N型半导体层;或者,第一半导体层为N型半导体层,第二半导体层为P型半导体层。该半导体光源集成有电容器,从而可以降低半导体光源与电容器的串联电感,实现较短的光脉宽和较大的光功率,简化驱动电路的设计,提升驱动电路的性能。
  • 一种半导体光源及其驱动电路
  • [发明专利]半导体装置-CN202110818276.0在审
  • 花形祥子 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-07-20 - 2022-03-15 - H01L29/861
  • 实施方式提供能够提高电流断路时的电气特性的半导体装置。实施方式的半导体装置包括第1电极、第1导电型的多个第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的多个第4半导体区域、第2导电型的多个第5半导体区域、第2电极。第1、2半导体区域设置于第1电极之上。第3半导体区域设置于第1及第2半导体区域之上。第4半导体区域设置于第3半导体区域之上。第5半导体区域设置于第3半导体区域之上。第2电极设置于第4及第5半导体区域之上。第2及第5半导体区域在与第1方向以及第2方向垂直的第3方向上延伸。多个第5半导体区域位于多个第2半导体区域各自的正上方。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202110790034.5在审
  • 竹冈绫花;窪田吉孝 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-07-13 - 2022-08-16 - H01L27/1157
  • 本发明的半导体存储装置具备半导体衬底。半导体衬底具备存储单元阵列区域、边缘密封区域、及设置在它们之间的连接区域。存储单元阵列区域具备:多个第1导电层,沿第1方向排列;第1半导体层,与多个第1导电层对向;及第2半导体层,连接在第1半导体层。边缘密封区域具备:沿第1方向排列的第3半导体层及第4半导体层、与电连接在第3半导体层、第4半导体层及半导体衬底的第2导电层。连接区域具备与第2半导体层及第3半导体层或第4半导体层连续形成,在第2方向延伸的第5半导体层及第6半导体层。连接区域具备沿第2方向排列的多个连接部。这些多个连接部中,第5半导体层及第6半导体层电连接。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710658939.0有效
  • 高志明;吴荣根;张翰文;陈俊旭;何游俊 - 世界先进积体电路股份有限公司
  • 2017-08-04 - 2021-04-09 - H01L21/28
  • 本发明提出一种半导体结构及其制造方法,其中半导体结构的制造方法包含提供半导体基底,在半导体基底中形成沟槽,以第一半导体材料填满沟槽,第一半导体材料不具有掺杂物,在第一半导体材料上形成第二半导体材料,第二半导体材料中含有掺杂物,以及实施热处理,使得第二半导体材料中的掺杂物扩散至第一半导体材料中,以形成掺杂的第三半导体材料于该沟槽内。通过本发明的半导体结构制造方法所形成的半导体结构,孔隙或管道不会形成于沟槽内的半导体材料中,并且在热处理之后形成掺杂的半导体材料于沟槽内,藉此避免在后续工艺中所使用的材料流入沟槽内的掺杂的半导体材料的孔隙或管道中所引起的问题,因此提升了半导体装置的可靠度。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510136674.9有效
  • 张海洋;王彦 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-03-26 - 2019-08-27 - H01L21/336
  • 一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构的形成方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成鳍部;在所述鳍部侧壁表面以及半导体衬底表面形成第一半导体层;在所述半导体衬底上形成隔离层,所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁的第一半导体层;在高于隔离层的部分鳍部上形成第二半导体层,所述第二半导体层覆盖鳍部的顶部表面以及部分第一半导体层;在所述第二半导体层表面形成第三半导体层,所述第三半导体层的载流子迁移率大于鳍部的载流子迁移率,且所述第一半导体层、第二半导体层的晶格常数介于鳍部与第三半导体层之间。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法

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