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- [发明专利]半导体装置-CN201510761415.5有效
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鸟居克行
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三垦电气株式会社
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2015-11-10
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2020-08-07
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H01L29/739
- 一种半导体装置。其为了解决如下问题:容性FP的电位分割效果较强,耗尽层容易到达n‑区域的端。特征在于,边缘区具有:半导体基体;作为与第1导电型相反的导电型的第2导电型的半导体区域,其以pn结合的方式配置在半导体基体内;以及导体层,在半导体区域上方和半导体区域外侧的区域上方并列配置有多个所述导体层,所述导体层与半导体区域以及半导体区域外侧的区域绝缘,半导体区域外侧的区域上方的所述导体层与半导体区域外侧的区域上表面之间的距离大于半导体区域上方的所述导体层与导体区域上表面之间的距离。半导体基体上方的导体层与半导体基体上表面之间的距离大于半导体区域上方的导体层与半导体区域上表面之间的距离。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410379586.7在审
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铃木拓马
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株式会社东芝
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2014-08-04
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2015-09-16
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H01L29/78
- 本发明提供具有高的沟道移动度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备:第1导电型的第1半导体区域;第2导电型的第2半导体区域,设置在所述第1半导体区域之上;第1导电型的第3半导体区域,设置在所述第2半导体区域之上,该第3半导体区域的杂质浓度比所述第1半导体区域高;栅极绝缘膜,与所述第3半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第1半导体区域相接,该栅极绝缘膜含有氮,存在随着远离与所述第3半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第1半导体区域的接合部而所述氮的浓度变为低浓度的区域;以及栅极电极,隔着所述栅极绝缘膜而与所述第3半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第1半导体区域相接。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN201510098219.4在审
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壱岐村岳人
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株式会社东芝
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2015-03-05
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2016-01-27
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H01L29/861
- 本发明描述了例如二极管的半导体器件。所述半导体器件包括第一导电类型衬底层。第二导电类型第一半导体层位于第一导电类型衬底层中。第一导电类型第二半导体层位于所述第一半导体层中并且与所述衬底层分开。第二导电类型第三半导体层位于所述第二半导体层中。第一导电类型第四半导体层位于所述第三半导体层中。第一导电类型第五半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第二导电类型第六半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第一电极连接到所述第四半导体层。并且第二电极连接到所述第五半导体层和所述第六半导体层。
- 半导体器件
- [发明专利]一种半导体光源及其驱动电路-CN202110857072.8在审
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梁栋;张成
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常州纵慧芯光半导体科技有限公司
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2021-07-28
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2021-11-02
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H01L33/36
- 本发明实施例公开了一种半导体光源及其驱动电路,半导体光源包括有源层、第一半导体层、第二半导体层、第一电极、第二电极和第三电极;第一半导体层和第二半导体层分别位于有源层的相对两侧;第一电极与第一半导体层欧姆接触;第三电极与第二半导体层欧姆接触;第一电极与第二电极之间设置有第一电介质层;其中,第一半导体层为P型半导体层,第二半导体层为N型半导体层;或者,第一半导体层为N型半导体层,第二半导体层为P型半导体层。该半导体光源集成有电容器,从而可以降低半导体光源与电容器的串联电感,实现较短的光脉宽和较大的光功率,简化驱动电路的设计,提升驱动电路的性能。
- 一种半导体光源及其驱动电路
- [发明专利]半导体装置-CN202110818276.0在审
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花形祥子
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2021-07-20
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2022-03-15
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H01L29/861
- 实施方式提供能够提高电流断路时的电气特性的半导体装置。实施方式的半导体装置包括第1电极、第1导电型的多个第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的多个第4半导体区域、第2导电型的多个第5半导体区域、第2电极。第1、2半导体区域设置于第1电极之上。第3半导体区域设置于第1及第2半导体区域之上。第4半导体区域设置于第3半导体区域之上。第5半导体区域设置于第3半导体区域之上。第2电极设置于第4及第5半导体区域之上。第2及第5半导体区域在与第1方向以及第2方向垂直的第3方向上延伸。多个第5半导体区域位于多个第2半导体区域各自的正上方。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202110790034.5在审
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竹冈绫花;窪田吉孝
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铠侠股份有限公司
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2021-07-13
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2022-08-16
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H01L27/1157
- 本发明的半导体存储装置具备半导体衬底。半导体衬底具备存储单元阵列区域、边缘密封区域、及设置在它们之间的连接区域。存储单元阵列区域具备:多个第1导电层,沿第1方向排列;第1半导体层,与多个第1导电层对向;及第2半导体层,连接在第1半导体层。边缘密封区域具备:沿第1方向排列的第3半导体层及第4半导体层、与电连接在第3半导体层、第4半导体层及半导体衬底的第2导电层。连接区域具备与第2半导体层及第3半导体层或第4半导体层连续形成,在第2方向延伸的第5半导体层及第6半导体层。连接区域具备沿第2方向排列的多个连接部。这些多个连接部中,第5半导体层及第6半导体层电连接。
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710658939.0有效
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高志明;吴荣根;张翰文;陈俊旭;何游俊
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世界先进积体电路股份有限公司
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2017-08-04
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2021-04-09
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H01L21/28
- 本发明提出一种半导体结构及其制造方法,其中半导体结构的制造方法包含提供半导体基底,在半导体基底中形成沟槽,以第一半导体材料填满沟槽,第一半导体材料不具有掺杂物,在第一半导体材料上形成第二半导体材料,第二半导体材料中含有掺杂物,以及实施热处理,使得第二半导体材料中的掺杂物扩散至第一半导体材料中,以形成掺杂的第三半导体材料于该沟槽内。通过本发明的半导体结构制造方法所形成的半导体结构,孔隙或管道不会形成于沟槽内的半导体材料中,并且在热处理之后形成掺杂的半导体材料于沟槽内,藉此避免在后续工艺中所使用的材料流入沟槽内的掺杂的半导体材料的孔隙或管道中所引起的问题,因此提升了半导体装置的可靠度。
- 半导体结构及其制造方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510136674.9有效
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张海洋;王彦
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2015-03-26
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2019-08-27
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H01L21/336
- 一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构的形成方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成鳍部;在所述鳍部侧壁表面以及半导体衬底表面形成第一半导体层;在所述半导体衬底上形成隔离层,所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁的第一半导体层;在高于隔离层的部分鳍部上形成第二半导体层,所述第二半导体层覆盖鳍部的顶部表面以及部分第一半导体层;在所述第二半导体层表面形成第三半导体层,所述第三半导体层的载流子迁移率大于鳍部的载流子迁移率,且所述第一半导体层、第二半导体层的晶格常数介于鳍部与第三半导体层之间。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。
- 半导体结构及其形成方法
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