专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据传输电路、方法及存储装置-CN202110397018.X在审
  • 张良 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-04-13 - 2022-10-18 - G11C7/10
  • 本申请涉及一种数据传输电路、方法及存储装置,比较模块用于将数据总线上的总线数据和全局数据线上的全局数据进行比较,输出总线数据与全局数据不相同的位数是否超过预设阈值的比较结果;第一数据转换模块用于在比较结果超过预设阈值的情况下将总线数据取反后提供给数据总线缓冲模块,并在比较结果未超过预设阈值的情况下,将总线数据提供给数据总线缓冲模块,数据总线缓冲模块用于根据比较结果生成数据极性标识信号,并将总线数据或所述总线数据取反后的数据传输至全局数据线;写电路模块用于根据数据极性标识信号将全局数据线上的全局数据或取反后传输至本地数据线
  • 数据传输电路方法存储装置
  • [发明专利]本地放大电路、数据读出方法和存储器-CN202210044983.3在审
  • 汪瑛 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-14 - 2023-07-25 - G11C7/10
  • 本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种本地放大电路、数据读出方法和存储器,包括:写控制晶体管基于写使能信号,将全局数据线连接至本地数据线;列选择晶体管基于列选择信号,将位线连接至本地数据线;第一控制PMOS管,栅极连接本地数据线,源极或漏极的其中一端连接全局数据线,另一端连接读控制晶体管;第二控制PMOS管,栅极连接互补本地数据线,源极或漏极的其中一端连接互补全局数据线,另一端连接读控制晶体管;预充电模块,用于将本地数据线和互补本地数据线预充电至高电平;读控制晶体管基于读使能信号,将第一控制PMOS管和第二控制PMOS管与读控制晶体管相连的端子上拉/下拉至预设电平,缩短列选择信号和读使能信号之间的时间间隔
  • 本地放大电路数据读出方法存储器
  • [发明专利]一种实现线动画的方法、装置-CN202011001669.4在审
  • 季益明 - 杭州海康威视系统技术有限公司
  • 2020-09-22 - 2020-12-22 - G06T13/20
  • 本申请公开了一种实现线动画的方法,包括:加载既定轨迹线的轨迹点数据,其中,对于任一轨迹点,所述轨迹点数据包括轨迹点时间帧,所述轨迹点时间帧用于表示在既定的帧速率下,动画端头到达该轨迹点需要的帧数;确定当前全局时间帧,所述当前全局时间帧用于表示绘制当前动画线的动画端头所属的时间帧,根据所述当前全局时间帧和所述轨迹点时间帧的关系,确定所述当前全局时间帧下的目标轨迹点;根据目标轨迹点时间帧和所述全局时间帧,确定绘制位置本发明简化了线动画的处理过程,提高了动画的处理效率,从而能够实现百万级这样大规模的动画线的动画。
  • 一种实现动画方法装置
  • [实用新型]写操作电路和半导体存储器-CN201921804726.5有效
  • 张良 - 长鑫存储技术(上海)有限公司
  • 2019-10-25 - 2020-06-02 - G11C11/409
  • 该写操作电路包括:串并转换电路,用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换,以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据,以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据,生成数据缓冲模块的输入数据;数据缓冲模块,用于根据数据缓冲模块的输入数据,确定是否翻转全局总线;DBI解码模块,用于根据第二DBI数据,对全局总线数据进行解码,并将解码后的数据写入存储块,解码包括确定是否翻转全局总线数据;预充电模块,连接于预充电信号线,用于将全局总线的初始态设置为低。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge下拉架构下,减少全局总线的翻转次数,从而大幅压缩电流,降低功耗。
  • 操作电路半导体存储器
  • [实用新型]写操作电路和半导体存储器-CN201921804508.1有效
  • 张良 - 长鑫存储技术(上海)有限公司
  • 2019-10-25 - 2020-05-19 - G11C11/409
  • 该写操作电路包括:串并转换电路,用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换,以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据,以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据,生成数据缓冲模块的输入数据;数据缓冲模块,用于根据数据缓冲模块的输入数据,确定是否翻转全局总线;DBI解码模块,用于根据第二DBI数据,对全局总线数据进行解码,并将解码后的数据写入存储块,解码包括确定是否翻转全局总线数据;预充电模块,连接于预充电信号线,用于将全局总线的初始态设置为高。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge上拉架构下,减少全局总线的翻转次数,从而大幅压缩电流,降低功耗。
  • 操作电路半导体存储器
  • [发明专利]磁性结存储器设备及其写入方法-CN202010704346.5在审
  • 金灿景;金知妍;郑铉泽;金智恩;金泰成;郑尚勋;朱宰郁 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-21 - 2021-01-29 - G11C11/16
  • 磁性结存储器设备包括:第一存储器组,包括第一磁性结存储器单元;第一本地写入驱动器,与第一存储器组相邻,连接到全局数据线,第一本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第一磁性结存储器单元;第二存储器组,与第一存储器组相邻并且包括第二磁性结存储器单元;第二本地写入驱动器,与第二存储器组相邻,连接到全局数据线,第二本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第二磁性结存储器单元;以及全局写入驱动器,被配置为经由全局数据线分别向第一本地写入驱动器和第二本地写入驱动器提供第一写入数据和第二写入数据
  • 磁性结存设备及其写入方法
  • [发明专利]用于读取非易失性存储器器件的存储器单元的电路和方法-CN201610862920.3有效
  • G·卡姆帕尔多;S·波利兹 - 意法半导体股份有限公司
  • 2016-09-28 - 2021-04-27 - G11C16/26
  • 一种用于读取非易失性存储器器件的存储器单元的电路,设置有存储器阵列,其中单元以字线和位线被布置,在其之中的是与存储器单元关联的第一位线以及第二位线,具有:与第一位线关联的第一电路分支和与第二位线关联的第二电路分支,每个具有第一分压电容器耦接到其的局部节点,以及第二分压电容器耦接到其的全局节点;解码器级,用于将局部节点耦接至第一或第二位线并且耦接全局节点至局部节点;以及差分比较器级,其具有能够耦接到第一电路分支或第二电路分支的全局节点的输入,并且供应指示所存储的数据的输出信号;耦接级,用于耦接第一和第二电路分支的全局节点;以及控制单元,用于控制解码器级、耦接级、和差分比较器级以用于生成输出信号。
  • 用于读取非易失性存储器器件存储器单元电路方法
  • [实用新型]读取电路及非易失性存储器器件-CN201621091075.6有效
  • G·卡姆帕尔多;S·波利兹 - 意法半导体股份有限公司
  • 2016-09-28 - 2017-09-12 - G11C16/04
  • 一种用于读取非易失性存储器器件的存储器单元的电路,设置有存储器阵列,其中单元以字线和位线被布置,在其之中的是与存储器单元关联的第一位线以及第二位线,具有与第一位线关联的第一电路分支和与第二位线关联的第二电路分支,每个具有第一分压电容器耦接到其的局部节点,以及第二分压电容器耦接到其的全局节点;解码器级,用于将局部节点耦接至第一或第二位线并且耦接全局节点至局部节点;以及差分比较器级,其具有能够耦接到第一电路分支或第二电路分支的全局节点的输入,并且供应指示所存储的数据的输出信号;耦接级,用于耦接第一和第二电路分支的全局节点;以及控制单元,用于控制解码器级、耦接级、和差分比较器级以用于生成输出信号。
  • 读取电路非易失性存储器器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201911333701.6在审
  • 宋清基 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-12-23 - 2021-02-02 - G06N3/063
  • 当执行算术操作时,核心输出驱动器将从核心区域输出的第一数据传输到全局输入/输出(I/O)线。当执行算术操作时,焊盘输入驱动器将通过焊盘区域输入的第二数据传输到全局I/O线。算术结果数据生成电路通过全局I/O线顺序地接收第一数据和第二数据,来生成核心数据和焊盘数据。算术结果数据生成电路还基于核心数据和焊盘数据执行用在神经网络中的算术操作以生成算术数据。
  • 半导体器件

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