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- [实用新型]读操作电路和半导体存储器-CN201921804568.3有效
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张良
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长鑫存储技术(上海)有限公司
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2019-10-25
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2020-09-01
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G11C11/4091
- 本申请实施例提供一种读操作电路和半导体存储器,包括:数据判断模块,从存储块中读出读取数据,并根据读取数据中为高的数据的位数,确定是否翻转读取数据,以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据;数据接收模块,根据翻转标识数据,确定是否翻转全局总线数据,以输出缓存数据;并串转换电路,对缓存数据进行并串转换,以生成DQ端口的输出数据;预充电模块,将全局总线的初始态设置为低。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharg下拉架构的全局总线上传输“0”的数据较多,从而可以减少内部全局总线翻转次数,大幅压缩电流,降低功耗。
- 操作电路半导体存储器
- [发明专利]共享全局性字线磁性随机存取存储器-CN03106026.9有效
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H·李;F·A·佩尔纳
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惠普公司
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2003-02-20
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2003-09-03
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G11C11/15
- 本发明包括提供共享全局性字线MRAM结构的装置和方法。该MRAM结构包括取向为第一方向的第一位线导线。取向为第二方向的第一读出线导线。第一存储单元物理连接于第一位线导线和第一读出线导线之间。全局性字线基本取向为第二方向,而且磁性耦合于第一存储单元。第二位线导线基本取向为第一方向。第二读出线导线基本取向为第二方向。第二存储单元物理连接于第二位线导线和第二读出线导线之间。全局性字线也磁性耦合于第二存储单元。第一存储单元和第二存储单元可以是MRAM器件。MRAM器件的逻辑状态可由MRAM器件的磁化取向确定。
- 共享全局性磁性随机存取存储器
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