专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2020-03-24 公布专利
2020-03-20 公布专利
2020-03-17 公布专利
2020-03-13 公布专利
2020-03-10 公布专利
2020-03-06 公布专利
2020-03-03 公布专利
2020-02-28 公布专利
2020-02-25 公布专利
2020-02-21 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电子设备-CN201710015158.X在审
  • --- 爱思开海力士有限公司
  • 2017-01-10 - 2017-11-24 - G11C13/00
  • 半导体存储器可以包括全局线对,所述全局线对包括全局位线和全局源极线;多个单元矩阵,所述多个单元矩阵耦接在所述全局位线和所述全局源极线之间,每个单元矩阵包括多个局部线对和耦接到所述多个局部线对的多个储存单元,其中每个储存单元可操作以储存数据并耦接在对应的局部线对的局部线之间;以及多个隔离开关对,所述多个隔离开关对将所述多个单元矩阵耦接到所述全局线对的全局位线和全局源极线,每个单元矩阵一个隔离开关对。
  • 电子设备
  • [发明专利]半导体存储器件-CN201610147020.0在审
  • --- 爱思开海力士有限公司
  • 2016-03-15 - 2017-04-05 - G11C16/10
  • 一种半导体存储器件包括存储单元,包括第一存储块和第二存储块;电源单元,适用于将多个操作电压施加至第一全局线或第二全局线中的一个;开关电路,适用于响应于第一控制信号来开关第一全局线和第一内部全局线,以及响应于第二控制信号来开关第二全局线和第二内部全局线;以及通过电路,适用于响应于块选择信号来将第一内部全局线电连接至第一存储块的字线和选择线,以及将第二内部全局线电连接至第二存储块的字线和选择线
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器件及其数据读取和写入方法-CN200510003962.3无效
  • 韩国- 三星电子株式会社
  • 2005-01-05 - 2005-07-13 - G11C11/409
  • 一种半导体存储器件,包括连接到局部数据线对的第一和第二全局数据线对,允许减小电流消耗并增加操作速度的降低了的预充电电压。还包括读出放大器,用于放大第二全局数据线对的数据并将放大后的数据输出到数据线,以及写入驱动器,用于在写入操作期间,将数据线的数据输出到第一全局数据线对。在第一和第二全局数据线对,以及局部数据线对和第一全局数据线对之间连接开关电路。该存储器件进一步包括第一全局数据线预充电电路,用于将第一全局数据线对预充电到第一电压值,以及第二全局数据线预充电电路,用于将第二全局数据线对预充电到第二电压值。
  • 半导体存储器件及其数据读取写入方法
  • [发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体系统-CN201210445118.6有效
  • --- 爱思开海力士有限公司
  • 2012-11-08 - 2018-01-02 - G11C29/56
  • 存储芯片中的每个包括全局线、MUX单元、选择单元和输出单元。全局线传送储存在存储器单元中的数据。MUX单元接收加载在全局线上的数据以输出测试数据。选择单元插入在两个或更多个全局线中,并且被配置成在测试模式下输出测试数据而不输出加载在两个或更多个全局线上的数据。输出单元耦接至全局线,并且被配置成在正常模式下输出数据,以及在测试模式下基于与存储芯片有关的信息而将从连接至选择单元的两个或更多个全局线中的任一个接收的测试数据输出至I/O焊盘。
  • 半导体器件包括半导体系统
  • [发明专利]非易失性存储器成块结构-CN96193576.6无效
  • --- 英特尔公司
  • 1996-04-25 - 2003-12-10 - G11C8/00
  • 一种非易失性存储器(31)包括一条全局线(65)及一个第一块(61)及一个第二块(62)。第一块包括多条第一局部线(71)及耦合在全局线与第一局部线上的一个第一解码器(78),用于在启动该第一解码器时按照一个地址将全局线有选择地耦合到第一局部线之一上,并在截止第一局部解码器时将该第一局部线全局线隔离第二块包括多条第二局部线(81)及耦合在全局线与第二局部线上的一个第二解码器(88),用于在启动第二解码器时按照一个地址将全局线有选择地耦合到第二局部线之一上,并在关闭第二局部解码器时将第二局部线全局线隔离
  • 非易失性存储器成块结构
  • [发明专利]半导体存储器件-CN200710091592.2有效
  • 日本- 松下电器产业株式会社
  • 2007-03-29 - 2007-10-03 - G11C11/4096
  • 预充电电位控制电路(106)在预充电时,当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第一检测电位高时,对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第一检测电位以下的施加用低电压;当全局数据线对(GDL、/GDL)共同的电位比预定的第二检测电位低时,对全局数据线对(GDL、/GDL)施加第二检测电位以上的施加用高电压;当上述全局数据线对(GDL、/GDL)的电位在第一检测电位以下且第二检测电位以上时,
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]认证装置、认证方法及认证程序-CN200880130127.8有效
  • 日本- 富士通株式会社
  • 2008-06-30 - 2011-05-25 - G06T7/00
  • 对于提取自线形状的特征量要用于认证的图像数据,执行使用了局部线形状的局部校正,其中该局部线形状是包含在本区域的附近区域中的线信息所表示的,对于图像数据,执行使用了全局线形状的全局校正,其中该全局线形状是包含在比附近区域更广的区域中的线信息所表示的,计算包含在通过局部校正校正后的图像数据中的线信息、与包含在通过全局校正校正后的图像数据中的线信息之间的差分,比较差分与阈值,在差分比阈值小的情况下,输出通过局部校正校正后的线信息作为包含在图像数据中的线信息,在差分比阈值大的情况下,输出通过全局校正校正后的线信息作为包含在图像数据中的线信息。
  • 认证装置方法程序
  • [发明专利]快闪存储器设备及操作其的方法-CN200710196224.4无效
  • 韩国- 海力士半导体有限公司
  • 2007-11-30 - 2008-10-08 - G11C16/02
  • 所述多个存储单元块中的每一个包括选择线和字线,并且具有包括在选择线和字线之间的通过字线。所述工作电压生成器向全局选择线全局字线和全局通过字线输出工作电压。所述块开关单元响应于块选择信号而将所述全局字线连接到字线和选择线。电压提供电路连接到所述选择线和通过字线,并被配置为响应于块选择反转信号而向所述选择线和通过字线提供地电压。
  • 闪存设备操作方法

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