[发明专利]腐蚀剂及使用其制做半导体装置的方法无效
| 申请号： | 98102876.4 | 申请日： | 1998-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1155061C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 石田秀俊;野间淳史;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于腐蚀钛材料和氧化硅中至少一种的腐蚀剂包括HCl、NH4F和H2O的混合液体。当该腐蚀剂具有小于1的NH4F/HCl克分子比时，只有钛材料被腐蚀。当该腐蚀剂具有大于1的NH4F/HCl克分子比时，只有氧化硅被腐蚀。当该腐蚀剂具有为1的NH4F/HCl克分子比时，钛材料和氧化硅被以相同的速率腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀剂 使用 制做 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制做半导体装置的方法，包括有步骤：作为一单一步骤使用一腐蚀剂腐蚀钛材料层和氧化硅层两者，其中所述钛材料层实质上由从BaTiO3、SrTiO3、BaXSr(1-X)TiO3组成的组，及类似的IIA族金属钛酸盐中选择出来的至少一种材料组成，且其中该腐蚀剂包括HCl、NH4F和H2O的混合液体；及设定该混合液体中的NH4F/HCl的克分子比，该克分子比是根据该钛材料层和氧化硅层中的哪一将被选择地腐蚀而设定的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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