[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 97190579.7 | 申请日： | 1997-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1155062C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 平野博茂;本多利行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;H01L27/108;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是在强电介质存储器件中，可以缓和构成强电介质电容器110a1～110a3，110b1～110b3的下部电极111a，111b及该下部电极的热应力对在其上边形成的强电介质层113的影响，并以此来抑制连接到上述下部电极上的其它的布线106a1、106a2等因该下部电极的热应力而产生断线或者下部电极加在上述强电介质层上的热应力而引起的强电介质电容器的特性离散或特性变动。其方案是把上述下部电极111a和111b做成为如下的构造：在多个部位进行弯曲使得其平面形状变成为锯齿状，而且，分割成多个布线部分111a1、111a2和111b1、111b2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括：内部产生应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的、形成在与该第1布线不同的层上的第2布线；使所述第1布线的一部分成为具有比该一部分以外的部分更容易变形的形状的应力缓和部，使之缓和对第2布线施加影响的第1布线的应力；所述第1布线沿第1方向延伸，把与该第1方向垂直的第2方向作为布线宽度方向；所述第1布线的应力缓和部是把除连接着所述第2布线的端部之外的本体的一部分切掉而形成的、布线宽度比其他部分窄的窄布线宽度部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
