[发明专利]LC元件、半导体器件及LC元件的制作方法无效

专利信息
申请号: 94113747.3 申请日: 1994-11-01
公开(公告)号: CN1084549C 公开(公告)日: 2002-05-08
发明(设计)人: 池田毅;冈村进 申请(专利权)人: 池田毅;冈村进
主分类号: H03H7/01 分类号: H03H7/01
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: LC元件、半导体器件及其制造方法。本LC元件由p型Si基片的表面附近形成的指定形状的n+区和在其一部分上形成的同样形状的p+区形成的pn结层和在该结层的表面沿其长度方向形成的第1和第2电极组成。两电极分别起电感器的作用,同时,借助于反向偏置在两电感器之间以分布参数形式形成电容器。该LC元件在宽频段内有良好的衰减特性。这种LC元件和半导体器件易于制作、可省去部件组装作业,且可形成为IC和LSI的一部分。$#!
搜索关键词: lc 元件 半导体器件 制作方法
【主权项】:
1.一种LC元件,其特征在于包括:两个电感器电极,它们相互邻接地配置在半导体基片的同一侧,且形成为螺旋状、蛇形状、曲线状和直线状中的一种形状;一个在反向偏置状态下使用时起着电容器作用的pn结层,它沿着上述两个电感器电极的位置形成于半导体基片上,其p区沿着所述两个电感器电极之一形成,而n区沿着所述两个电感器电极中的另一个形成;以及上述两个电感器电极中的至少一个被用作信号传输线路。
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