[实用新型]半导体结构及集成电路有效
| 申请号： | 202320182325.0 | 申请日： | 2023-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN219393403U | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吴贵阳;刘宪成;闫赵宇;胡海峰 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/737;H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体结构及集成电路，半导体结构包括衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；位于外延层中的基区以及发射区，发射区与基区接触，发射区具有第一掺杂类型，基区具有第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；位于外延层上的场氧化层，场氧化层用于限定基区；位于基区上的基极多晶以及位于发射区上的发射极多晶，基极多晶具有第二掺杂类型，发射极多晶具有第一掺杂类型；位于基区上的介质层，介质层将发射极多晶和基极多晶隔离。本申请利用自对准工艺对多晶硅和金属同时光刻刻蚀使得基极多晶与基极完全对准以及发射极多晶与发射极完全对准，避免多晶硅的厚度损失以及接触孔出现机偏等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司，未经杭州士兰集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202320182325.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自落抽取式包装盒
- 下一篇：一种PVC板生产用转运架
- 同类专利
- 专利分类
