[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310240553.3 | 申请日： | 2023-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN116314290A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 魏峰;相奇 | 申请（专利权）人： | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周婷婷 |
| 地址： | 511458 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件，包括：衬底、第一导电类型的外延层、第二导电类型的埋层、栅极结构、覆盖介质层、栅极引出电极、引出孔、源极引出电极以及隔离绝缘层。其中，覆盖介质层覆盖栅极结构；覆盖介质层内具有开口，开口暴露出栅极结构。栅极引出电极至少位于开口内，与栅极结构相接触。引出孔位于开口内，沿厚度方向贯穿栅极引出电极、栅极结构，以暴露出第二导电类型的埋层。源极引出电极，位于引出孔内，与第二导电类型的埋层电连接。隔离绝缘层位于源极引出电极与栅极引出电极和栅极结构之间。上述半导体器件具有较好的抗浪涌电流能力以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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