[发明专利]一种电容加载型基片集成波导均衡器在审
| 申请号： | 202310175831.1 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116417765A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 彭浩;张臣;杨洋;刘宇;周翼鸿;杨涛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及微波毫米波技术领域，具体为一种电容加载型的基片集成波导均衡器。包括SIW本体、渐变过渡线、50Ω微带线、陶瓷基板和绝缘压块。所述SIW本体长边单侧设有1个贯通了SIW本体表面金属层的槽。陶瓷基板设在槽的上方；其中心点与槽的中心点在该槽的垂直方向上对齐，陶瓷基板的顶面或底面设有面电阻层，并能完全覆盖住槽；绝缘压块放置在陶瓷基板上，通过绝缘压块使陶瓷基片和SIW本体紧密接触，使陶瓷基片与SIW的金属层之间形成等效电容，相当于在陶瓷基片原有的损耗面电阻上又叠加了一部分容抗特性。等效电容的引入使得低频端(26GHz)的损耗大于高频端(40GHz)的损耗，从而进一步提高了均衡量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 加载 型基片 集成 波导 均衡器 | ||
【主权项】：
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