[发明专利]MEMS封装光学相控阵芯片在审
| 申请号： | 202310042232.2 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116354306A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 许志超;冯军莉 | 申请（专利权）人： | 中恩光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种MEMS封装光学相控阵芯片，包括扩束阵列，用于改变入射光的传播路径，扩束阵列包括绝缘层以及呈阵列分布在绝缘层上的若干通孔；两层导光层，相对设置在扩束阵列的两侧，两层导光层分别位于若干通孔的两端，以与若干通孔配合形成若干封闭的容纳腔，每个容纳腔内填充有碱金属气体；折射率调节机构，用于改变碱金属气体的折射率，折射率调节机构包括控制电路和与控制电路连接的若干磁场发生单元，若干磁场发生单元与若干通孔呈一对一设置。本申请的MEMS封装光学相控阵芯片使出射光的偏折角度不受硅材料对电场的敏感系数的限制，使得出射光的偏折角度更大，以增大激光雷达视场范围，且结构更加简单。 | ||
| 搜索关键词： | mems 封装 光学 相控阵 芯片 | ||
【主权项】：
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