[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202310031450.6 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116648066A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 川嶋祥之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种制造半导体器件的方法。第一栅极电极经由包含金属元素的第一绝缘膜形成于半导体衬底上。侧壁绝缘膜形成于第一栅极电极的侧表面上。第二栅极电极经由第二绝缘膜形成于半导体衬底上。第二栅极电极被形成为经由第二绝缘膜与第一栅极电极邻近。第二绝缘膜由具有第三绝缘膜、具有电荷累积功能的第四绝缘膜和第五绝缘膜的堆叠膜制成。第三绝缘膜由于通过热氧化处理对半导体衬底的部分进行氧化而形成于半导体衬底上，并且由于通过热氧化处理对所述侧壁绝缘膜进行氧化而形成于第一栅极电极的侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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