[实用新型]光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置

摘要

本公开的实施例提供了一种光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置，光电二极管设置于半导体衬底内。光电二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极以及第二电极。第二掺杂区与半导体衬底形成PN结，第二掺杂区和第一掺杂区的导电类型不同。第一电极与第一掺杂区电连接。第二电极与第二掺杂区电连接，且第一电极和第二电极中，至少一个为金属氧化物电极。透明覆盖层覆盖第一电极和第二电极中的金属氧化物电极。如此，可减少了接触区域的刻蚀面貌对光电二极管阵列的影响，从而降低因刻蚀工艺所造成的光电二极管阵列中电阻大、膜层搭接不良等特性和工艺问题。