[发明专利]半导体结构及其制作方法、检测方法在审
| 申请号： | 202211676917.4 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN115939106A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曹瑞霞;胡杏;李琳瑜 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 肖佳敏;蒋雅洁 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法以及检测方法，半导体结构包括：衬底；第一介质层，位于衬底上，且衬底以及第一介质层被划分为沿第一方向分布的第一区域和第二区域；第一方向垂直于第二方向，第二方向为衬底的厚度方向；多个第一导电通孔结构，位于第一区域以及第二区域中，每个第一导电通孔结构沿第二方向从第一介质层延伸至衬底中；至少一个检测结构，至少一个检测结构位于第二区域中，每个检测结构均包括一个第一导电通孔结构以及至少一个第二导电通孔结构，每个第二导电通孔结构沿第二方向从第一介质层延伸至衬底中；所述检测结构用于检测第一导电通孔结构的漏电情况；第二介质层，位于衬底以及第一导电通孔结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 检测 方法 | ||
【主权项】：
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