[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202211546997.1 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN116646355A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郑学澈;金佳林;金仁谦;韩智允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 沈照千;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一器件区域和第二器件区域；第一有源图案，位于第一器件区域上；第二有源图案，位于第二器件区域上，具有比第一有源图案的宽度小的宽度；第一沟道图案，位于第一有源图案上；第一源极/漏极图案，连接到第一沟道图案；第二沟道图案，位于第二有源图案上；第二源极/漏极图案，连接到第二沟道图案；以及栅电极，在第一方向上从第一沟道图案延伸到第二沟道图案。第一沟道图案包括竖直堆叠且彼此间隔开的多个半导体图案。第二沟道图案从第二有源图案竖直地突出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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