[发明专利]包括应力层的横向双极结型晶体管以及方法在审
| 申请号： | 202211447416.9 | 申请日： | 2022-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN116314305A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | J·辛格;A·M·德里克森;A·J·乔瑟夫;A·克诺尔;J·R·霍尔特 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/735;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括应力层的横向双极结型晶体管以及方法，揭示具有横向双极结型晶体管(BJT)的半导体结构。此半导体结构可很容易地集成于先进绝缘体上硅(SOI)技术平台中。而且，为保持或提升性能特性(例如，截止频率(fT)/最大振荡频率(fmax)以及贝塔截止频率)(否则这些特性将因该BJT的取向从垂直变为横向而受到负面影响)，该半导体结构还可包括部分覆盖该横向BJT以增强电荷载流子迁移率的介电应力层(例如，在NPN型晶体管的情况的拉伸应变层，或者在PNP型晶体管的情况的压缩应变层)，且该横向BJT可被配置为横向异质结双极型晶体管(HBT)。本发明还揭示形成该半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 应力 横向 双极结型 晶体管 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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