[发明专利]一种互连结构的制作方法、互连结构及半导体器件在审
| 申请号： | 202211275489.4 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115588648A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;李俊杰;周娜;贺晓彬;杨涛;李俊峰;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种互连结构的制作方法、互连结构及半导体器件，涉及半导体制造技术领域，以降低RC延迟，提高半导体芯片的性能，进而提高半导体芯片的可靠性。所述互连结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上沉积金属堆叠结构，其中，金属堆叠结构中主金属材料包括金属钌；对金属堆叠结构进行刻蚀处理得到目标金属结构；通过沉积介质处理在目标金属结构的外周形成具有空气间隙的介质互连层；对介质互连层进行平坦化处理，直至目标金属结构的顶部裸露，在衬底上形成互连结构。所述互连结构使用上述技术方案所述互连结构的制作方法制作得到。本发明提供的互连结构的制作方法用于半导体制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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