[发明专利]变容管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211252531.0 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115498047A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 潘梓澎;刘一凡;张志勇 | 申请（专利权）人： | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/51;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 孙敬霞;韩德凯 |
| 地址： | 100195 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种变容管及其制备方法。本公开的一些实施例中，变容管包括：衬底、沟道层、短接的源漏电极、栅介质层和栅极，沟道层为碳纳米管薄膜，栅介质层采用铁电材料，衬底、沟道层、源漏电极、栅介质层和栅极形成金属‑铁电‑半导体MFS结构。本公开提供的变容管可以在实现双向电压工作的同时，获得大于5的变容比，并保持较高的Q值和工作频率，满足高集成度大带宽射频电路的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 变容管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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