[发明专利]光敏探测器和制备方法在审

申请号：	202211193735.1	申请日：	2022-09-28
公开（公告）号：	CN115632075A	公开（公告）日：	2023-01-20
发明（设计）人：	孙孟娜;张娟;黄清雨;王鹏;康亮亮;闫华杰;焦志强	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L31/0236	分类号：	H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/18;H10K30/00;H10K30/82;H10K71/00
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	李红标
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明公开了一种光敏探测器和制备方法，光敏探测器包括：吸光层，吸光层包括光敏材料，吸光层的一侧表面分布有多个凹槽；第一电极，第一电极设置在吸光层的另一侧，第一电极为透光电极；第二电极，第二电极设置于吸光层的一侧。在本发明的光敏探测器中，吸光层包括光敏材料，吸光层的一侧表面分布有多个凹槽，第一电极设置在吸光层的另一侧，第一电极为透光电极，第二电极设置于吸光层的一侧。通过在吸光层表面设置多个凹槽，可以减少吸光层对光的反射，多次光散射有利于提高光吸收的能力，利于提高光电探测器的检测精确度和灵敏度，该探测器结构简单，检测可靠性高。
搜索关键词：	光敏探测器制备方法
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摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池，其中，太阳能电池的制作方法包括：提供初始晶片，并对初始晶片进行前处理，前处理包括：腐蚀处理、第一清洗步骤及预制绒处理，腐蚀处理及第一清洗步骤用于去除初始晶片表面杂质，预制绒处理用于形成表面具有初始绒面结构的晶片；进行分选测试，分选测试包括：外观检测及电性能检测，以从多个晶片中分选出适于制作太阳能电池的晶片作为电池原片；对电池原片表面进行制绒，制绒包括：第二清洗步骤、制绒处理及第三清洗步骤，以在电池原片表面形成绒面结构。至少可以提高分选测试的准确率。

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摘要：本发明公开了一种叉指石墨烯型InGaN可见光探测器及其制备方法，所述探测器结构依次为Si衬底层、多层缓冲层、InGaN功能层、叉指石墨烯电极和表面微纳结构。所述多层缓冲层从下到上依次为AlN层、AlGaN层和GaN层。基于石墨烯与InGaN界面的肖特基结的整流特性，将叉指石墨烯作为透明导电电极以探测光生载流子，可以增大器件光敏面积，提升载流子迁移速率，减小漏电流。同时，利用表面微纳结构增强可见光的光吸收，可以提高器件的响应度与量子效率。

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摘要：本发明提供了一种晶硅太阳能电池新型复合绒面结构制备方法，是利用激光刻蚀与旋涂仪相配合在晶硅表面制备基于多次反射、吸收的高质量减反射复合绒面结构的方法，相比于其它单一激光制绒手段，可形成“光纤”型复合绒面结构，通过对微结构阵列几何参数的调控和薄膜材料的选择，获得超低反射率的复合绒面结构。本发明应用AutoCAD模拟计算微结构底边角对复合绒面结构内反射次数的影响，同时结合有限差分时域法建立晶硅表面微单元模型，模拟计算在垂直入射的条件下微结构的光吸收效应，获得微结构尺寸的最优参数。本发明所述方法不仅高效可控、对环境无污染，且可进一步大幅度降低晶硅表面反射率，提高太阳能电池转换效率。

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摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面形成有若干间隔的凹槽以将硅基底的背面划分为若干交替排列的第一区域和第二区域，相邻的第一区域和第二区域通过凹槽隔离。P型掺杂层形成在第一区域上，N型掺杂层形成在第二区域上，N型掺杂层在硅基底内形成有第一内扩层。N型掺杂层的宽度小于第二区域的宽度，沿第一区域和第二区域的排列方向，N型掺杂层与凹槽之间具有第一预设距离。如此，可以使得N型掺杂层在硅基底内所形成的第一内扩层完全位于硅基底的内而不会暴露在凹槽所形成的截面上，避免第一内扩层所形成的空间电荷区暴露在凹槽所形成的截面上，减少空间电荷区的复合，提升效率。

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摘要：本实用新型属于太阳能电池领域，提供了一种太阳能电池组件，包括：玻璃层，所述玻璃层的表面设有纳米突起，且所述纳米突起的表面覆盖透明彩色膜；聚合物填充层；电池片和聚合物背板。得益于纳米突起，根据本实用新型的太阳能电池组件具有低反射率和防污功能，并因此能够增加太阳能电池组件的光电转化率和延长其使用寿命。而且得益于透明彩色膜，能够更准确地调节太阳能电池组件的外观颜色。

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申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域。本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括：基底，包括相对设置的第一面、第二面，以及邻接于第一面和第二面之间的多个侧面；在第二面和各侧面均构造有多个塔基状绒面结构，其中，侧面上设有的塔基状绒面结构的顶面的最小边长的长度为L1，第二面上设有的塔基状绒面结构的顶面的最大边长的长度为L2，L1＞L2；掺杂导电层，设置于第一面；以及钝化接触层，包括多晶硅掺杂导电层，钝化接触层设置于第二面。本申请能够提高太阳能电池的效率。

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申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明提供一种在受光面上配置了文字或图形、图案等的光电转换效率较高的光电转换元件、以及具备该光电转换元件的光电转换模块及电子设备。光电转换元件的特征在于，具有：结晶性的硅基板，其具有受光面，所述受光面包括平滑部和粗面部，所述粗面部与所述平滑部相比表面粗糙度较大；无机膜，其具有透光性，并以与所述平滑部以及所述粗面部重叠的方式而被设置，并且所述无机膜中的与所述粗面部重叠的部分的膜厚(t1)小于与所述平滑部重叠的部分的膜厚(t2)。另外，所述粗面部的算术平均粗糙度优选为在0.1μm以上。

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申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种减少背面寄生吸收的背接触电池及其制备方法，背接触电池包括具有正面和背面的硅片，在硅片背面设置的第一半导体层，所述硅片的背面为倒金字塔绒面结构，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，所述倒金字塔绒面结构具有交替布置的平面和向硅片内凹陷的凹坑，第一掺杂多晶硅层包括多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层，所述多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中均掺杂磷且还掺杂碳和/或氧，多晶硅内层、多晶硅中层和多晶硅外层中掺氧量逐渐递减、掺碳量和掺磷量逐渐递增。本发明能够在保证钝化性能、保证导电性的同时减少背面的寄生吸收，有利于提高短路电流密度和电池转换效率。

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摘要：本发明涉及电池片技术领域，具体为一种光伏电池片及制备方法，包括光伏电池片本体，所述光伏电池片本体安装在护边框的表面，护边框的表面活动插接有夹板，护边框的表面转动连接有拨块，拨动拨块阻挡夹板后，夹板夹持光伏电池片本体，拨块的表面设有定位插件，用于对拨块制动；有益效果为：本发明提出的光伏电池片及制备方法，将光伏电池片本体推入护边框后，拨动拨块挤压夹板，此时夹板对光伏电池片本体夹持，两组夹板均对光伏电池片本体夹持后，实现对光伏电池片本体和护边框快速连接，需要拆除护边框时，拨动拨块与夹板错位，夹板不再夹持光伏电池片本体，将护边框和光伏电池片本体分离即可。

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摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种半导体衬底及太阳能电池和光伏组件。半导体衬底的后表面具有N型导电区域和P型导电区域，N型导电区域设有第一非金字塔状纹理结构，P型导电区域设有第二非金字塔状纹理结构；第一非金字塔状纹理结构的顶部表面和第二非金字塔状纹理结构的顶部表面均为多边形平面，且第一非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸小于第二非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸；第一非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸大于等于5μm，且小于等于12μm；第二非金字塔状纹理结构的顶部表面的一维尺寸大于等于10μm，且小于等于40μm。通过在半导体衬底上设置不同非金字塔纹理结构能提高电池转换效率。

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申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本申请公开了一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，具有前表面和与前表面相对的背表面；形成于第一区域上的第一导电层；形成于第二区域上的第二导电层，第二导电层与第一导电层的导电类型相反；间隔区对应的背表面上形成有若干第一金字塔状纹理结构，第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间具有曲面交界区。与现有技术相比，本申请通过对IBC电池的局部结构设计进行了优化，在第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间形成曲面交界区，从而增加了基底背表面的入射光反射，增加了太阳能电池对光线的吸收数量，提高了太阳能电池的转换效率。

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申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明涉及一种太阳能电池器件及其制备方法和应用，所述太阳能电池器件包括衬底和设置于衬底表面的第一区域和第二区域，所述第一区域用于与金属电极接触，所述第二区域不与金属电极接触；其中，所述第一区域和第二区域表面形成金字塔绒面结构，所述第一区域的金字塔绒面结构的金字塔覆盖率为0～80％；所述第二区域的金字塔绒面结构的第二金字塔覆盖率大于80％；所述第一区域的金字塔塔尖高度高于第二区域的金字塔塔尖高度；所述第一区域和第二区域的掺杂浓度不同，所述第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。本发明器件降低了金属电极接触区复合，也降低激光消融的破坏作用，提高了开路电压和填充因子。

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摘要：本申请公开了一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，具有前表面和与前表面相对的背表面；形成于第一区域上的第一导电层；形成于第二区域上的第二导电层，第二导电层与第一导电层的导电类型相反；间隔区与相邻的第一导电层和/或第二导电层之间具有边界区，边界区对应的背表面的边界区形成有线状凹凸纹理结构，与现有技术相比，本发明通过对IBC电池的局部结构设计进行了优化，从而增加了基底背表面的入射光反射，增加了太阳能电池对光线的吸收数量，提高了太阳能电池的转换效率。

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摘要：本发明公开了太阳能电池的制备方法和太阳能电池，太阳能电池的制备方法包括以下步骤：对硅片的表面进行制绒，形成第一绒面结构；将所述第一绒面结构的表面制作掩膜，在预镀栅线区域进行刻蚀，得到刻蚀区域；将所述刻蚀区域进行抛光，使得所述刻蚀区域形成平面结构，或者，将所述刻蚀区域进行制绒，使得所述刻蚀区域形成第二绒面结构；去除非镀栅线区域的所述掩膜，得到预开膜半成品；将所述平面结构或第二绒面结构进行激光开膜，形成开模区域，在所述开模区域进行电镀，形成栅线。开模区域从绒面结构更改为平面结构或小绒面结构之后，电池的损伤区域会更小，从而提升开路电压，进而提升光电转换效率。

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摘要：本申请提供太阳能电池及光伏组件，其中，太阳能电池包括半导体衬底，半导体衬底的前表面具有第一纹理结构，第一纹理结构包括金字塔状微结构，金字塔状微结构的斜边长度为Cμm，0.4≤C≤1.9；半导体衬底的后表面具有第二纹理结构，第二纹理结构包括至少部分堆叠的两个或多个第一子结构，在远离后表面且垂直于后表面的方向上，最外侧第一子结构的顶部表面及与其相邻的第一子结构的顶部表面的距离H小于等于2μm；位于第一纹理结构上的第一钝化层；位于后表面的隧穿层；位于隧穿层表面的掺杂导电层；位于掺杂导电层表面的第二钝化层。本申请提供的太阳能电池及光伏组件，能够提高形成的第一钝化层的均匀性，提升第一钝化层的减反效果，提高电池的光电转换效率。

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摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：N型基底；N型基底的第一表面设置有P型发射极，P型发射极包括第一部分和第二部分，第一部分的顶面包括第一金字塔结构，第一金字塔结构的至少一个斜面中的至少部分表面朝第一金字塔结构的中心凹陷或凸出，第二部分的顶面包括第二金字塔结构，第二金字塔结构的斜面为平面，在垂直于N型基底的第一表面的方向上，第一部分的结深大于第二部分的结深；位于N型基底的第二表面且在远离N型基底的方向上依次设置的隧穿层以及掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。

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摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件，太阳能电池的制备方法包括：在基底第一表面形成第一薄膜层，第一薄膜层中含有P型掺杂源，还包括：硼元素、氧元素、硅元素、氯元素、氮元素以及碳元素中的至少一种；将预设区域的第一薄膜层中的P型掺杂源扩散至基底内，形成第一发射极；采用氧化工艺在基底的第一表面形成第二薄膜层，第二薄膜层的厚度大于第一薄膜层的厚度，以在预设区域以外的基底内形成第二发射极，第二发射极顶面的掺杂浓度小于或等于第一发射极顶面的掺杂浓度，第二发射极的结深小于或等于第一发射极的结深。本申请实施例有利于提高形成的太阳能电池的光电转换性能。

太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统-202310548868.4
发明人：刘成法;陈红;陈达明;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域。本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括：基底，包括相对设置的第一面、第二面，以及邻接于第一面和第二面之间的多个第一侧面；其中，至少在基底的第一面和第一侧面的部分表面设有绒面结构；掺杂导电层，至少设置于第一面和第一侧面的部分表面，以覆盖绒面结构；第一钝化膜层，层叠设置于掺杂导电层上，第一钝化膜层至少覆盖第一面和第一侧面的至少部分区域，以至少覆盖掺杂导电层；钝化接触层，设置于第二面；以及第二钝化膜层，层叠设置于钝化接触层上，第二钝化膜层覆盖第二面，以覆盖钝化接触层。本申请能够提高太阳能电池的效率。

一种硅异质结电池-202223247539.6
发明人：来霸;倪志春;连维飞;杨飞 -专利权人：江苏爱康科技股份有限公司;江苏爱康能源研究院有限公司;浙江爱康未来科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本申请实施例提供了一种硅异质结电池，采用非绒面硅片将光管理需求转移至后续制备的绒面掺硼氧化锌薄膜层中，制得高效且成本低硅异质结电池。在保证硅异质结电池性能的前提下，省略了硅片绒面的制作过程，既简化了硅异质结电池的制备过程，降低了成本，又避免了硅片绒面对生产钝化层、掺杂层工艺的影响。另外，采用绒面掺硼氧化锌薄膜层替代以氧化铟系掺杂氧化物(ITO，InO2：H，IWO等)为主的透明导电氧化物(TCO)膜层，又降低了成本。

MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器及其制备方法-202310633527.7
发明人：桂鹏彬;赵远方;李言辉;孙言明;王思亮;曾玮;陈志亮;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明公开了一种MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器，其包括具有金字塔结构的硅基底和覆盖在硅基底上表面的MXene薄膜，MXene薄膜的覆盖面积为硅基底上表面的5％‑75％，在未覆盖有MXene薄膜的硅基底上表面设置InGa电极，InGa电极与MXene薄膜不接触；所述金字塔结构尺寸不同交错排列，MXene与金字塔结构的硅形成肖特基结。本发明提供一种简单且可重复的碱性溶液水浴加热的方式得到金字塔结构硅基底的方法和使用低成本滴涂的方式将MXene转移到金字塔结构硅基底上制作MXene/金字塔结构硅衬底的光电探测器。这种具有自供电且性能优越的光电探测器，为基于MXene/Si肖特基结结构在光电探测器中的应用开拓了前景。

一种叠层太阳能电池及其制备方法-202310730135.2
发明人：何永才;刘江;丁蕾;张富;吴小勇;何博;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本发明提供了一种叠层太阳能电池及其制备方法，涉及光伏技术领域。叠层太阳能电池包括：晶硅太阳能电池和钙钛矿太阳能电池；晶硅太阳能电池包括：硅基底；硅基底包括：靠近钙钛矿太阳能电池的第一表面，以及和第一表面相对分布的第二表面；第一表面和所述第二表面均为绒面结构，第一表面上的第一绒面结构的尺寸，小于第二表面上的第二绒面结构的尺寸。本发明中，第一绒面结构的尺寸较小，对于钙钛矿膜层的制备可以有更多的方式选择，可以提升钙钛矿膜层的成膜质量，可以提升叠层太阳能电池的开路电压和填充因子。第二绒面结构的尺寸较大，可以增加晶硅太阳能电池对长波的反射，可以提升叠层太阳能电池对光线的利用率。

一种TOPCon电池-202223261177.6
发明人：董焕苗;杨益华;李磊;李健 -专利权人：浙江鸿禧能源股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本实用新型公开了一种TOPCon电池，涉及到电池领域，包括基底，所述基底的一侧粘接有氧化铪层，所述氧化铪层的外侧两端对称设置有两个正电极，所述基底的另一侧粘接有隧穿层，所述隧穿层设置为波纹状结构，所述隧穿层的外侧两端对称设置有两个负电极。本实用新型通过掺杂非晶硅层的一侧设置有氮化硅层、多晶硅层、硼掺杂层和氧化铝层，能大大改善掺杂非晶硅层的均匀性，缩减整体的工艺时间，保护所述掺杂非晶硅层，提升TOPCon电池的转换效率。

一种石墨烯包覆光学介电材料复合材料及其制备方法和应用-202210113433.2
发明人：丁松园;夏侯玉娇;张力;田中群 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本申请涉及一种石墨烯包覆光学介电材料复合材料及其制备方法和应用。该石墨烯包覆光学介电材料复合材料包括第一微结构单元，所述第一微结构单元的材质包括光学介电材料，所述第一微结构单元包括具有第二微结构的表面；和石墨烯，所述石墨烯至少部分地覆盖所述具有第二微结构的表面。本申请的石墨烯包覆光学介电材料复合材料具有增强的红外吸收能力且能够可实现表面增强红外吸收光谱、增强红外光探测和其他基于红外吸收的应用。

具有复合基板的衬底、半导体器件及衬底的制备方法-202310378430.6
发明人：葛永晖;肖云飞;陆香花;张奕;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/0236
摘要：本公开公开了一种具有复合基板的衬底、半导体器件及衬底的制备方法，属于半导体技术领域。该衬底包括复合基板；复合基板包括基板主体和ZnO层，ZnO层位于基板主体的一面。本公开能够有效的解决晶格失配的问题。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]光敏探测器和制备方法在审

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