[发明专利]半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法在审
| 申请号： | 202211100077.7 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115799095A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 太田广树;森敬一朗;长泽崇裕;木濑芳美;谷本龙一 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;吕传奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种能够高精度地评价半导体晶片的表面粗糙度的新的评价方法。在评价对象的半导体晶片的表面的一个以上测定区域中，通过进行利用粗糙度测定装置的测定来取得最大高度Sz和Sz之外的粗糙度参数；以及针对各测定区域，以最大高度Sz的值为指标，判定在该测定区域中取得的Sz之外的粗糙度参数的值是否为在评价对象的半导体晶片的评价用中可采用的值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 评价 方法 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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