[发明专利]读出定时生成电路及半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202211093663.3 申请日: 2022-09-08
公开(公告)号: CN116844590A 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 平林修 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04;G11C7/22;G11C16/26;G11C16/32
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实施方式涉及读出定时生成电路及半导体存储装置。实施方式的读出定时生成电路基于从输入端子输入的时钟信号,从输出端子输出使读出放大器为使能状态的读出放大器使能信号,读出定时生成电路具有:延迟电路部,具有延迟量伴随温度上升而变少的温度特性,且具有温度特性不同的多个种类的多个延迟电路,延迟电路部使时钟信号延迟后作为读出放大器使能信号进行输出;以及连接切换部,对从输入端子至输出端子的延迟电路部中的多个延迟电路的连接状态进行切换。
搜索关键词: 读出 定时 生成 电路 半导体 存储 装置
【主权项】:
暂无信息
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