[发明专利]一种用于铁电存储器的缺陷表征测试方法在审
| 申请号： | 202211061373.0 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115424656A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 纪志罡;任鹏鹏;刘志伟 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 孟旭彤 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于铁电存储器的缺陷表征测试方法，所述方法包括步骤：通过基础脉冲测试模块进行脉冲测试，得到极化行为与电压之间的关系；通过施加电应力的方式来调控器件的退化情况，利用所述基础脉冲测试模块对不同状态下极化翻转过程进行表征；对测试得到的数据进行处理，对缺陷信息进行提取，得到缺陷的数量和能级信息。本发明提供了一种更加稳定、可控的用于铁电存储器的缺陷表征测试方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 存储器 缺陷 表征 测试 方法 | ||
【主权项】：
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- 李栋;秦飞;苏军 - 浪潮电子信息产业股份有限公司
- 2023-02-16 - 2023-05-30 - G11C29/50
- 本申请公开一种UNC问题定位方法、装置及其介质，涉及存储技术领域，用于确定是否出现UNC问题及出现原因，针对目前的UNC问题原因分析方法效率低的问题，提供一种UNC问题定位方法，通过获取出现UNC问题的NAND闪存的物理区块地址，从而实现对于NAND闪存阈值电压的扫描。由于数据在NAND闪存中是以电荷的形式存储的，故在数据向NAND闪存的写入过程中，会引起对应的电压变化。所以扫描得到的阈值电压分布图一定程度上可以反映NAND闪存的读写情况，进而可以用于指导相关人员对NAND闪存是否出现异常以及异常原因的判断，相对于现有对所有可能原因逐步排除的方法效率更高。
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