[发明专利]一种双极型晶体管，制备方法及检测电路在审

申请号：	202211030878.0	申请日：	2022-08-26
公开（公告）号：	CN115360212A	公开（公告）日：	2022-11-18
发明（设计）人：	E.伊朗曼纳什;梁梓浩;周航	申请（专利权）人：	北京大学深圳研究生院
主分类号：	H01L27/28	分类号：	H01L27/28;H01L41/083;H01L41/113;H01L41/27;H01L51/05;H01L51/40
代理公司：	深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285	代理人：	孙超
地址：	518000 广东省深圳市南***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明公开了一种双极型晶体管，制备方法及检测电路，应用于晶体管技术领域。使用压电薄膜作为晶体管中的n型掺杂层，由两个n型压电层夹住p型聚合物形成n‑p‑n结构的双极型晶体管，任何机械应力施加在该晶体管顶部时，会在压电层产生电荷，并在压电层上下两个表面极化，相反的电荷积聚在不同的表面。且由于形成有两个pn结，自由载流子钝化可以使输出信号放大，从而通过施加压力可以增强感应压电势，从而实现在双极型晶体管中传感功能与能量采集功能的结合，在传感功能工作时可以同时进行能量采集，无需外加任何电源和信号放大电路。
搜索关键词：	一种双极型晶体管制备方法检测电路
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摘要：本发明公开了一种双极型晶体管，制备方法及检测电路，应用于晶体管技术领域。使用压电薄膜作为晶体管中的n型掺杂层，由两个n型压电层夹住p型聚合物形成n‑p‑n结构的双极型晶体管，任何机械应力施加在该晶体管顶部时，会在压电层产生电荷，并在压电层上下两个表面极化，相反的电荷积聚在不同的表面。且由于形成有两个pn结，自由载流子钝化可以使输出信号放大，从而通过施加压力可以增强感应压电势，从而实现在双极型晶体管中传感功能与能量采集功能的结合，在传感功能工作时可以同时进行能量采集，无需外加任何电源和信号放大电路。

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摘要：本发明提供一种用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器，包括三个独立的脉象复现通道，每个脉象复现通道由一个脉搏感应组件以及对应设置的一个CNT‑FET型传感组件构成；每个脉象复现通道的CNT‑FET型传感组件通过导电介质与直接作用于人体皮肤表面的脉搏感应组件电连接，脉搏感应组件具有一手指模拟通道，用于感应脉象及其变化，手指模拟通道的感应输出通过导电介质传输至对应的CNT‑FET型传感组件，基于三个脉象复现通道的CNT‑FET型传感组件的响应输出，获得脉象数据。本发明提出的用于中医脉象复现的碳基场效应晶体管压力传感器，达到微米级水平，能够实现对脉搏信号高灵敏度、低功耗、便携、安全的实时监测，可视化地复现脉象，促进中医传承。

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发明人：楚新波;张立春;赵风周;张登英 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/28
摘要：本发明公开了一种柔性钙钛矿叠层式波长上转换传感器，所述传感器由钙钛矿红外探测单元和钙钛矿发光单元在柔性衬底上串联构筑而成。其中的钙钛矿红外探测单元由依次叠加的柔性衬底、第一透明电极、第一电子传输层、窄带隙钙钛矿吸光层、第一空穴传输层组成；其中的钙钛矿发光单元由依次叠加的第二空穴传输层、宽带隙钙钛矿发光层、第二电子传输层、第二透明电极组成。钙钛矿红外探测单元在红外辐照下产生的光生载流子在电场驱动下注入到钙钛矿发光单元内，发出可见光，实现红外线到可见光的波长上转换。本发明提出的波长上转换传感器的优势在于工艺简单、成本低、可实现柔性制备，在红外成像和可穿戴红外检测等领域具有较大应用前景。

柔性类CMOS反相器及其制备方法-202110448428.2
发明人：江潮;彭朝晗;蔡小勇 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/28
摘要：本发明提供一种柔性类CMOS反相器及其制备方法，该方法包括：提供柔性基底；在所述柔性基底上形成保护层；在所述保护层上制备栅电极；在所述保护层和所述栅电极上沉积介电层；在所述介电层上形成第一沟道层，所述第一沟道层的材料为无机材料；在所述第一沟道层上制备源电极和漏电极；在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上形成第二沟道层，所述第二沟道层的材料为有机材料；其中，所述栅电极、所述介电层、所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极通过光刻进行图案化。本发明在柔性基底上结合有机与无机材料来制备柔性类CMOS反相器。

显示面板、显示基板及衬底的制备方法、衬底-202110395613.X
发明人：段正;郭康;刘震;谷新;袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/28
摘要：本公开提供了一种显示面板、显示基板及衬底的制备方法、衬底。该衬底的制备方法包括：提供基板，所述基板的一侧的表面包括多个第一区域和多个第二区域，所述第一区域和所述第二区域沿着预设方向交错排列；在各所述第一区域上均形成间隔设置的多个纳米柱，以使设有所述纳米柱的所述第一区域的接触角大于所述第二区域的接触角。本公开能够形成碳纳米管薄膜。

高抗辐射存储器件及其制备方法-202110279588.9
发明人：徐何军;张海良;施辉;王印权;郑若成;吴建伟;洪根深;贺琪 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L27/28
摘要：本申请公开了一种高抗辐射存储器件及其制备方法，涉及存储器制造技术领域，所述存储器件包括：衬底；形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；碳纳米管存储单元，所述碳纳米管存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方，所述碳纳米管存储单元由绝缘层、金属阻挡层和碳纳米管膜层上中下堆叠组成，并通过金属通孔与所述碳纳米管晶体管的漏极垂直电相连。不仅能够进一步提高NRAM存储器的运行速度，还能大幅度提高NRAM存储器的抗辐射能力。

一种垂直结构有机薄膜晶体管阵列及其制备方法-201810652591.9
发明人：陈惠鹏;郭太良;方圆;钟建峰 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/28
摘要：本发明涉及一种垂直结构有机薄膜晶体管阵列及其制备方法，垂直结构有机薄膜晶体管中的有机半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印技术制备，有机半导体层为有机半导体薄膜点阵列，源极接触电极和漏极采用PEDOT：PSS纳米导电墨水，通过喷墨打印制备成点阵。源极接触电极和漏极为同步沉积，其中源极点阵沉积在距离有机半导体薄膜点阵列每个点旁，漏极沉积在有机半导体薄膜点阵列每个点的正上方，二者点阵列的中心重合。本发明制备的薄膜晶体管阵列工艺简单、快速、准确，可制备任意图案，且得到器件均一性好，有利于节约成本及大规模生产，该垂直结构的薄膜晶体管阵列有望广泛用于传感器阵列、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。

低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法-201810811310.X
发明人：陆旭兵;何惠欣;何宛兒 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/28
摘要：本发明提供一种低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法，该存储器件包括衬底和在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、存储层、有源层和源漏电极，所述存储层为聚α‑甲基苯乙烯。本发明利用聚α‑甲基苯乙烯有机聚合物作为存储层，由于聚α‑甲基苯乙烯具有很高的表面光滑度和良好的存储效应，能够为有源层生长提供良好的基础，从而提高有源层的载流子迁移率，有效提高存储器件的保持和抗疲劳性能，实现低压高速擦写。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]一种双极型晶体管，制备方法及检测电路在审

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