[发明专利]异质集成中红外超连续谱产生芯片

摘要

本发明提供一种异质集成中红外超连续谱产生芯片，包括锗硅(Si1‑xGex)、氮化硅和蓝宝石三层结构，所述蓝宝石作为埋氧层，以蓝宝石衬底的氮化硅晶圆在经过电子束光刻后留下光刻胶掩膜层，并通过气体刻蚀形成氮化硅波导；在氮化硅波导上再次使用电子束光刻实现选区窗口的曝光，将高质量锗硅薄膜选区沉积在氮化硅波导上形成异质集成波导，进而深度清洁后予以器件封装。本发明采用的蓝宝石埋氧层‑氮化硅‑硅锗的异质集成方案可以解决片上中红外超连续谱光源的亮度低、带宽受局限，不易大规模集成化的痛点问题。