[发明专利]一种钨掺杂碳化钽铪薄膜材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210561787.3 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114959572A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 杨丽;杨果;陈环宇;银凤;吴响 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 钟丹
地址: 411105 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜材料及薄膜制备方法。通过利用磁控溅射设备,采用双靶共溅射的方式制备出金属钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜,与未经掺杂的Ta0.5Hf0.5C薄膜对比,该薄膜微观结构与力学性能均发生变化,研究结果表明,随着钨掺杂量的增加,样品的面心立方结构发生变化,晶粒尺寸与粗糙度逐渐减小,薄膜截面形貌致密度高。同时,钨掺杂Ta0.5Hf0.5C薄膜的硬度与韧性均得到明显提升。
搜索关键词: 一种 掺杂 碳化 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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