[发明专利]一种UVC-LED芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202210330341.X 申请日: 2022-03-31
公开(公告)号: CN114937724A 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 汤磊;徐丽琼;吴叶楠;姜栋裕 申请(专利权)人: 嘉兴鼎镓半导体有限公司
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/00
代理公司: 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 代理人: 张毅
地址: 314000 浙江省嘉兴市南*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种UVC‑LED芯片及其制作方法。本发明提供的UVC‑LED芯片,通过在LED外延层生长过程中插入蚀刻速率差异相对较大的蚀刻停止层,只让p‑GaN层可选择性地进行蚀刻,选择性地留下p‑GaN层,剩下其他的全部覆盖上P电极层。因P电极层内部保留了一部分的p‑GaN层,通过它很容易形成和P电极层的欧姆接触,可以降低驱动电压,而且大部分的P电极层中并不存在p‑GaN或存在p‑GaN的可忽略不计,通过最小化在活性层发生的光吸收导致的光损失,提高了通过P电极层的反射率,从而有效提高UVC‑LED的光效率。而且本发明提供的UVC‑LED芯片制作方法,工艺稳定,操作简单,适用工厂放大生产。
搜索关键词: 一种 uvc led 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
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  • 本公开提供了一种具有复合P型层的发光二极管及其制备方法,属于发光二极管领域。该发光二极管包括:衬底,以及在衬底的一面依次生长的N型层、多量子阱层和复合P型层。复合P型层包括依次生长的第一层、中间层和第二层;第一层和第二层为非掺杂的N型AlxGa1‑xN层(0<x<1)、非掺杂的N型InyGa1‑yN层(0<y<1)或者周期性层叠的非掺杂的AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN层(0<x<1,且0<y<1)中的任一种;中间层为掺Mg的GaN层。本公开能够有效的提高发光二极管的发光效率。
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  • 孙蕾蕾 - 龙口科达化工有限公司
  • 2020-03-07 - 2023-04-18 - H01L33/32
  • 本发明提供了一种杀菌消毒装置制备方法,包括提供一衬底,在所述衬底上依次形成缓冲层、第一半导体层、过渡层、发光层、第二半导体层;所述过渡层包括氮化铝层,铝镓氮层和氮化镓层,形成所述氮化铝层温度等于形成所述第一半导体层温度,形成所述铝镓氮层、氮化镓层分别采用变温生长。本发明通过在第一半导体层上形成氮化铝层且形成氮化铝层温度等于形成第一半导体层温度,先降低后续降温过程中发生的翘曲,再在氮化铝层上形成铝镓氮层和氮化镓层复合结构且形成该复合结构过程中采用变温生长,使得材料内部应力逐步得到释放,与直接降温相比降低了外延片在此过程中的翘曲,减小了裂片风险,可以有效弥补因两种不同材料产生的失配问题。
  • 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED-202211563958.2
  • 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-04-04 - H01L33/32
  • 本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED,所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlBN层和P型接触层;所述P型AlBN层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的MgN层/AlxB1‑xN层超晶格层和Mg掺杂的AlxB1‑xN层,其中,x取值范围为0.1‑0.5。本发明提供的深紫外发光二极管外延片能够提高P型AlGaN层活化Mg浓度,降低P型AlGaN层吸光,提高深紫外发光二极管的光电转化效率。
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