[发明专利]封装结构以及半导体制造方法在审
| 申请号： | 202210298983.6 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN116417450A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄尧峰;吴祖仪;钟宏信;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/48;H01L23/495;H01L23/50;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 杨丹;沈珍珠 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种封装结构以及半导体制造方法，该封装结构包括第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第一衬底、增强型晶体管、空乏型III‑V族晶体管以及二极管。第一衬底放置于第一引线框架上，且与第一引线框架电隔离。增强型晶体管放置于第一衬底上，包括耦接至第二引线框架的第一栅极端、耦接至第一引线框架的第一源极端以及耦接至第一衬底的第一漏极端。空乏型III‑V族晶体管放置于第一引线框架，包括耦接至第一引线框架的第二栅极端、耦接至第一衬底的第二源极端以及耦接至第三引线框架的第二漏极端。二极管包括耦接至第一引线框架的阳极端以及耦接至第二源极端的阴极端。本发明使III‑V族晶体管免于因累积电荷而造成损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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