[发明专利]电阻随机存取存储器（RERAM）单元的并行置位和复位电路在审
| 申请号： | 202210207824.0 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN115035938A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | L·达冈;I·塞弗 | 申请（专利权）人： | 威比特纳诺有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 何伟华 |
| 地址： | 以色列霍*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种能够并行复位和置位编程的电阻式随机存取存储器(ReRAM)阵列以及一种用于编程的方法。该ReRAM阵列包括布置成阵列的多个ReRAM单元，其中该阵列包括：多个行和多个列，其中阵列的至少两个ReRAM单元包括字，其中每个ReRAM单元包括具有控制端口、第一端口和第二端口的选择器件，以及电阻元件；以及多个控制器，其中所述多个控制器中的每一个的输出致使该多个ReRAM单元的列中、具有被启用的相应字线的ReRAM单元的复位编程或置位编程；从而使得复位编程和置位编程并行发生。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 reram 单元 并行 复位 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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