[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210137348.X | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN115411094A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 雁木比吕;田口安则;井口智明;小林勇介;根本宏树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具有：第一电极；第二电极；包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层；第三电极；第一绝缘区域；第二绝缘区域；第四电极，具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分，第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度，第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度，第三部分与所述第二部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度；以及第三绝缘区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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- 具有在栅极流道层之下的源极场板的晶体管-201711468898.5
- H·友松;H·山崎;S·彭德哈卡尔 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2017-12-29 - 2023-07-07 - H01L29/40
- 本申请涉及具有在栅极流道层之下的源极场板的晶体管。一种晶体管器件(100)包含从源极接触层(132)延伸并在栅极金属层(123)上方限定开口(133)的场板(133)。与源极接触层共面，场板靠近沟道区域(124)定位，这有助于降低它的寄生电容。同时，开口允许场板上方的栅极流道层(104)接近并连接到栅极金属层，这有助于减小栅极结构的电阻。通过竖直地重叠金属栅极层、场板和栅极流道层，晶体管器件可以实现快速开关性能而不会造成任何尺寸损失。
- 一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备-202310500129.8
- 杨超;高吴昊;吴毅锋 - 珠海镓未来科技有限公司
- 2023-05-05 - 2023-07-04 - H01L29/40
- 本发明实施例涉及一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备，该氮化镓器件包括衬底、形成在衬底之上的外延层、设置在外延层上的漏极、源极和栅极以及设置在漏极、源极和栅极上方的第一金属层；栅极还与栅极屏蔽场板连接，栅极屏蔽场板设置在第一金属层与栅极之间，栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构；源极和漏极与第一金属层的金属线之间采用平行布局并通过通孔连接。该氮化镓器件通过栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构提高了该氮化镓器件的响应速度；采用金属线平行布局连接方式的该氮化镓器件的金属连接结构，降低了该氮化镓器件的电阻；共栅结构和金属线平行布局连接方式使得该氮化镓器件能够满足高功率密度电源产品的需求。
- 一种梳齿状场板的GaN基射频器件及其制备方法-202310299355.4
- 王洪;廖梓宏;陈竟雄;黄华茂 - 华南理工大学
- 2023-03-24 - 2023-07-04 - H01L29/40
- 本发明公开了一种梳齿状场板的GaN基射频器件及其制备方法。所述器件从下至上包括衬底、过渡层、氮化物缓冲层和GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层；氮化物缓冲层上表面从一端到另一端顺次设置源极金属电极和漏极金属电极；AlGaN势垒层上表面中部设置栅极金属电极，其余位置覆盖有钝化层；钝化层上设置有梳齿状场板，梳齿状场板朝向漏极金属电极延伸，在靠近漏极金属电极端的梳齿状栅极场板上设置有图形化开口。本发明通过图形化的场板结构，相较于传统的场板结构，其结构优化了沟道电场分布，优化传统场板产生电场的强度大小以及均匀性，可有效改善传统场板技术的GaN基HEMT器件的击穿电压和频率特性。
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