[发明专利]一种芯片内负升压电路及其充放电方法

摘要

本发明公开了一种芯片内负升压电路，包括电流源I3、电阻R1、电阻R2，比较器、控制单元、充放电单元，充放电单元包括可调电流源I1、可调电流源I2、电容C、N沟道型MOS管M1和M2，其中，可调电流源I1与可调电流源I2串联，可调电流源I1的输入端接电源VDD，可调电流源I2的输出端接地，NMOS管M2的漏极接地，M2的源极接NMOS管M1的漏极，M1的源极接电阻R2；电容C的一端接可调电流源I1与可调电流源I2的公共端，电容C的另一端接M2的源极与M1的漏极的公共端；控制单元用于控制可调电流源I1、I2的电流大小。本发明还提供一种负升压电路充放电方法，能够减小尖峰电流，EMI特性好，有效提高负载的驱动效率。