[发明专利]改善沟槽产品栅极填充的方法在审
| 申请号： | 202210022070.1 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114496757A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 赵伯宁;沈浩峰;杨毓龙;陈兆轩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善沟槽产品栅极填充的方法，提供衬底，衬底覆盖有硬质掩膜层；刻蚀硬质掩膜层和衬底，在硬质掩膜层形成第二直沟槽，在衬底上形成与第二直沟槽贯通的第一直沟槽，第一、第二直沟槽的宽度为第一宽度；继续刻蚀硬质掩膜层，使得第二直沟槽的宽度增大至第二宽度，其下方的衬底裸露；刻蚀裸露出的衬底，使得第二沟槽上方的宽度增大为第三宽度；将硬质掩膜层全部去除；淀积沟槽以形成栅极。本发明将硬质掩膜层部分刻蚀后会形成开口处略宽的直沟槽，栅极时不会提前收口，从而在栅极填充阶段不会出现裂缝。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 沟槽 产品 栅极 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
