[发明专利]曝光图案、用于其形成的曝光掩模和利用其的曝光图案形成方法在审
| 申请号： | 202180035745.X | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN115668450A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李俊九;金浚河;孙同镇;张民锡 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/38;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟海胜;宋海花 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及曝光图案、曝光掩模和利用其的曝光图案形成方法，曝光图案是通过分割曝光而形成的曝光图案，其特征在于，在由第一次曝光形成的第一曝光区域与由第二次曝光形成的第二曝光区域所重叠的区域中，构成上述第一曝光区域的第一单位图案区域的面积与构成上述第二曝光区域的第二单位图案区域的面积不同。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 图案 用于 形成 利用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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